Please enter a valid full or partial manufacturer part number with a minimum of 3 letters or numbers

    IT06818 Search Results

    IT06818 Datasheets Context Search

    Catalog Datasheet MFG & Type PDF Document Tags

    ENN8175

    Abstract: CPH3430 marking zf
    Text: CPH3430 Ordering number : ENN8175 N-Channel Silicon MOSFET CPH3430 General-Purpose Switching Device Applications Features • • • Low ON-resistance. Ultrahigh-speed switching. 2.5V drive. Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta=25°C Parameter Symbol


    Original
    PDF CPH3430 ENN8175 900mm2 ENN8175 CPH3430 marking zf

    MCH6422

    Abstract: A0162-2
    Text: MCH6422 注文コード No. N A 0 1 6 2 三洋半導体データシート N MCH6422 N チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ 汎用スイッチングデバイス 特長 ・低オン抵抗。 ・超高速スイッチング。 ・2.5V 駆動。


    Original
    PDF MCH6422 1200mm2 IT06819 IT06818 IT06816 1200mm2 IT10361 IT10362 A0162-3/4 MCH6422 A0162-2

    CPH3430

    Abstract: No abstract text available
    Text: CPH3430 注文コード No. N 8 1 7 5 三洋半導体データシート N CPH3430 N チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ 汎用スイッチングデバイス 特長 ・低オン抵抗。 ・超高速スイッチング。 ・2.5V 駆動。


    Original
    PDF CPH3430 900mm2 IT06819 IT06818 900mm2 IT06821 IT09129 CPH3430

    MCH6422

    Abstract: No abstract text available
    Text: MCH6422 Ordering number : ENA0162 N-Channel Silicon MOSFET MCH6422 General-Purpose Switching Device Applications Features • • • Low ON-resistance. Ultrahigh-speed switching. 2.5V drive. Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta=25°C Parameter Symbol


    Original
    PDF MCH6422 ENA0162 1200mm2 A0162-4/4 MCH6422

    A11612

    Abstract: A1161-4 2a11612 A1161 CPH5870 IT13497
    Text: CPH5870 注文コード No. N A 1 1 6 1 三洋半導体データシート N CPH5870 MOSFET : N チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード 汎用スイッチングデバイス 特長 ・N チャネル MOS 型電界効果トランジスタとショットキバリアダイオードを 1 パッケージに内蔵した複合タイプ


    Original
    PDF CPH5870 600mm2 51408PE TC-00001359 A1161-1/5 ID00340 A1161-4/5 A11612 A1161-4 2a11612 A1161 CPH5870 IT13497

    2a11612

    Abstract: 2S200
    Text: CPH5870 Ordering number : ENA1161 SANYO Semiconductors DATA SHEET CPH5870 MOSFET : N-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device Applications Features • • • Composite type with a N-channel sillicon MOSFET and a schottky barrier diode contained in one package


    Original
    PDF CPH5870 ENA1161 A1161-5/5 2a11612 2S200

    CPH6429

    Abstract: No abstract text available
    Text: CPH6429 Ordering number : ENN8081 CPH6429 N-Channel Silicon MOSFET Ultrahigh-Speed Switching Applications Features • • • Low ON-resistance. Ultrahigh-speed switching. 2.5V drive. Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta=25°C Parameter Symbol Conditions


    Original
    PDF CPH6429 ENN8081 1200mm2 CPH6429

    Untitled

    Abstract: No abstract text available
    Text: CPH6429 CPH6429 Ordering number : ENN8081 N-Channel Silicon MOSFET Ultrahigh-Speed Switching Applications Features • • • Low ON-resistance. Ultrahigh-speed switching. 2.5V drive. Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta=25°C Parameter Drain-to-Source Voltage


    Original
    PDF CPH6429 ENN8081 1200mm2â CPH6429/D