CPH5809
Abstract: MCH3411 SBS005
Text: 注文コード No. N 7 2 6 7 CPH5809 三洋半導体データシート N MOSFET : N チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード CPH5809 特長 DC / DC コンバータ用 ・低オン抵抗 , 超高速スイッチング , 低電圧駆動の N チャネル MOS 形電界効果トランジスタと逆回復時間
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Original
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PDF
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CPH5809
CPH5809
MCH3411
SBS005
600mm2
IT00627
IT04655
IT04640
IT00630
MCH3411
SBS005
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CPH5809
Abstract: MCH3411 SBS005
Text: Ordering number : ENN7267 CPH5809 MOSFET : N-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode CPH5809 DC / DC Converter Applications Preliminary • Package Dimensions 4 0.15 3 0.6 5 0.2 [CPH5809] 2.9 0.05 2.8 The CPH5809 composite device consists of followunit : mm
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ENN7267
CPH5809
CPH5809]
CPH5809
MCH3411
SBS005,
SBS005
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CPH5809
Abstract: MCH3411 SBS005
Text: 注文コード No. N 7 2 6 7 CPH5809 No. N 7 2 6 7 83002 新 MOSFET : N チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード CPH5809 特長 DC / DC コンバータ用 ・低オン抵抗 , 超高速スイッチング , 低電圧駆動の N チャネル MOS 形電界効果トランジスタと逆回復時間
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CPH5809
CPH5809
MCH3411
SBS005
600mm2
IT00627
IT04655
IT04640
IT00630
MCH3411
SBS005
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