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CPH5809 Abstract: MCH3411 SBS005 Text: 注文コード No. N 7 2 6 7 CPH5809 三洋半導体データシート N MOSFET : N チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード CPH5809 特長 DC / DC コンバータ用・低オン抵抗 , 超高速スイッチング , 低電圧駆動の N チャネル MOS 形電界効果トランジスタと逆回復時間	Original	CPH5809 CPH5809 MCH3411 SBS005 600mm2 IT00627 IT04655 IT04640 IT00630 MCH3411 SBS005	PDF
CPH5809 Abstract: MCH3411 SBS005 Text: Ordering number : ENN7267 CPH5809 MOSFET : N-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode CPH5809 DC / DC Converter Applications Preliminary • Package Dimensions 4 0.15 3 0.6 5 0.2 [CPH5809] 2.9 0.05 2.8 The CPH5809 composite device consists of followunit : mm	Original	ENN7267 CPH5809 CPH5809] CPH5809 MCH3411 SBS005, SBS005	PDF
CPH5809 Abstract: MCH3411 SBS005 Text: 注文コード No. N 7 2 6 7 CPH5809 No. N 7 2 6 7 83002 新 MOSFET : N チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード CPH5809 特長 DC / DC コンバータ用・低オン抵抗 , 超高速スイッチング , 低電圧駆動の N チャネル MOS 形電界効果トランジスタと逆回復時間	Original	CPH5809 CPH5809 MCH3411 SBS005 600mm2 IT00627 IT04655 IT04640 IT00630 MCH3411 SBS005	PDF
marking KL Abstract: MCH3411 Text: Ordering number : ENN7285 MCH3411 N-Channel Silicon MOSFET MCH3411 Ultrahigh-Speed Switching Applications Preliminary Features • • Low ON-resistance. Ultrahigh-speed switching. 2.5V drive. unit : mm 2167A [MCH3411] 0.3 0.25 • Package Dimensions 0.15	Original	ENN7285 MCH3411 MCH3411] marking KL MCH3411	PDF