diode N1004
Abstract: CPH5812 MCH3317 N1004 SBS010M TA-3787 74674
Text: CPH5812 Ordering number : ENN7467A CPH5812 MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode DC / DC Converter Applications Features • Composite type with a P-Channel Sillicon MOSFET MCH3317 and a Schottky Barrier Diode (SBS010M) contained in one package facilitating high-density mounting.
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Original
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CPH5812
ENN7467A
MCH3317)
SBS010M)
diode N1004
CPH5812
MCH3317
N1004
SBS010M
TA-3787
74674
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PDF
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CPH5815
Abstract: MCH3317 SBS007M
Text: Ordering number : ENN7381 CPH5815 MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode CPH5815 DC / DC Converter Applications 4 0.15 3 0.6 5 0.2 [CPH5815] 2.9 0.05 1 2 0.95 0.4 1 : Cathode 2 : Drain 3 : Gate 4 : Source 5 : Anode 0.9 0.7 0.2 • Composite type with a P-Channel Sillicon MOSFET
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Original
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ENN7381
CPH5815
CPH5815]
MCH3317)
SBS007M)
CPH5815
MCH3317
SBS007M
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PDF
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MCH6631
Abstract: No abstract text available
Text: Ordering number : ENN7444 MCH6631 N-Channel and P-Channel Silicon MOSFETs MCH6631 Ultrahigh-Speed Switching Applications unit : mm 2173A [MCH6631] 0.3 4 0.25 2.1 • The MCH6631 incorporates a N-channel MOSFET and a P-channel MOSFET that feature low ONresistance and high-speed switching, thereby enabling
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Original
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ENN7444
MCH6631
MCH6631]
MCH6631
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PDF
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ic 74243
Abstract: MCH3317 MCH5815 SBS007M TA-3841
Text: Ordering number : ENN7424 MCH5815 MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode MCH5815 DC / DC Converter Applications 0.25 • [MCH5815] 0.25 Composite type with a P-Channel Sillicon MOSFET unit : mm MCH3317 and a Schottky Barrier Diode (SBS007M) 2195
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Original
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ENN7424
MCH5815
MCH5815]
MCH3317)
SBS007M)
ic 74243
MCH3317
MCH5815
SBS007M
TA-3841
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PDF
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74674
Abstract: CPH5812 MCH3317 SBS010M TA-3787
Text: Ordering number : ENN7467 CPH5812 MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode CPH5812 DC / DC Converter Applications 4 0.15 3 0.6 5 0.2 [CPH5812] 2.9 0.05 1 2 0.95 0.4 1 : Cathode 2 : Drain 3 : Gate 4 : Source 5 : Anode 0.9 0.7 0.2 • Composite type with a P-Channel Sillicon MOSFET
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Original
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ENN7467
CPH5812
CPH5812]
MCH3317)
SBS010M)
74674
CPH5812
MCH3317
SBS010M
TA-3787
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PDF
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CPH5815
Abstract: MCH3317 SBS007M N2603
Text: 注文コード No. N 7 3 8 1 CPH5815 三洋半導体データシート N CPH5815 特長 MOSFET : P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード DC / DC コンバータ用 ・P チャネル MOS 形電界効果トランジスタ（MCH3317）とショットキバリアダイオード（SBS007M）を
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Original
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CPH5815
MCH3317
SBS007M
600mm2
IT02912
IT02914
IT02915
IT00636
CPH5815
MCH3317
SBS007M
N2603
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PDF
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74243
Abstract: 74241 MCH3317 MCH5815 SBS007M TA-3841 74242
Text: 注文コード No. N 7 4 2 4 MCH5815 三洋半導体データシート N MOSFET : P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード MCH5815 特長 DC / DC コンバータ用 ・P チャネル MOS 形電界効果トランジスタ（MCH3317）とショットキバリアダイオード（SBS007M）を
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Original
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MCH5815
MCH3317
SBS007M
900mm2
IT02912
IT02914
IT02915
ID00338
74243
74241
MCH3317
MCH5815
SBS007M
TA-3841
74242
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PDF
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WF24
Abstract: TA-3770 MCH6631
Text: 注文コード No. N 7 4 4 4 MCH6631 三洋半導体データシート N MCH6631 特長 N チャネルおよび P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ 超高速スイッチング用 ・低オン抵抗 , 超高速スイッチングの N チャネルおよび P チャネル MOS 形電界効果トランジスタを
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Original
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MCH6631
900mm2
IT04360
IT04359
IT04355
900mm2
IT04362
WF24
TA-3770
MCH6631
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PDF
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SCH2602
Abstract: No abstract text available
Text: SCH2602 Ordering number : ENN8323 N-Channel and P-Channel Silicon MOSFETs SCH2602 General-Purpose Switching Device Applications Features • • • The SCH2602 incorporates a N-channel MOSFET and a P-channel MOSFET that feature low ON- resistance and high-speed switching, thereby enabling high-density mounting.
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Original
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SCH2602
ENN8323
SCH2602
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PDF
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diode N1004
Abstract: N1004 diode CPH5812 n1004 TA-3787 MCH3317 SBS010M N2603
Text: CPH5812 Ordering number : EN7467B SANYO Semiconductors DATA SHEET CPH5812 MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode DC / DC Converter Applications Features • Composite type with a P-Channel Sillicon MOSFET MCH3317 and a Schottky Barrier Diode (SBS010M)
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Original
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CPH5812
EN7467B
MCH3317)
SBS010M)
diode N1004
N1004 diode
CPH5812
n1004
TA-3787
MCH3317
SBS010M
N2603
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PDF
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74674
Abstract: CPH5812 MCH3317 N1004 SBS010M N2603
Text: CPH5812 注文コード No. N 7 4 6 7 B 三洋半導体データシート 半導体ニューズ No. N7467A をさしかえてください。 CPH5812 MOSFET : P チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード
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Original
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CPH5812
N7467A
MCH3317
SBS010M
600mm2
73106PE
TC-00000083
N1004
N2603
74674
CPH5812
MCH3317
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PDF
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SCH2602
Abstract: TA-100972
Text: SCH2602 注文コード No. N 8 3 2 3 三洋半導体データシート N SCH2602 N チャネルおよび P チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ 汎用スイッチングデバイス 特長 ・低オン抵抗 , 高速スイッチングの N チャネルおよび P チャネル MOS 型電界効果トランジスタを
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Original
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SCH2602
900mm2
IT04361
900mm2
IT04362
IT03293
SCH2602
TA-100972
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PDF
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MCH3317
Abstract: No abstract text available
Text: Ordering number : ENN7222 MCH3317 P-Channel Silicon MOSFET MCH3317 Ultrahigh-Speed Switching Applications Features • • Low ON-resistance. Ultrahigh-speed switching. 1.8V drive. unit : mm 2167A [MCH3317] 0.3 0.25 • Package Dimensions 0.15 0.25 2 1 0.65
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Original
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ENN7222
MCH3317
MCH3317]
MCH3317
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PDF
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