TA-3485
Abstract: IC 72131 MCH3318 72131
Text: Ordering number : ENN7213 MCH3318 P-Channel Silicon MOSFET MCH3318 Ultrahigh-Speed Switching Applications Features • • Low ON-resistance. Ultrahigh-speed switching. 1.8V drive. unit : mm 2167A [MCH3318] 0.3 0.25 • Package Dimensions 0.15 0.25 2 1 0.65
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Original
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ENN7213
MCH3318
MCH3318]
TA-3485
IC 72131
MCH3318
72131
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SPW 078
Abstract: pst 39 transformer Wabash Transformer spw -136 spw+-079+transformer 4-07-7016 MT12/SPW 078 spw -055 transformer pc-24-450 TRANSFORMER 4-44-5010
Text: WabashTransformer.com ● Class 2, VDE, UL, CSA Recognized ● Zero Defect, 100 % Tested ● Competitive Prices ● Standard & Custom Designs ● 2 Year Warranty Table of Contents Product Description Class 2 CL UL5085-3 Transformer International Power Transformer
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Original
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UL5085-3
SPW 078
pst 39 transformer
Wabash Transformer
spw -136
spw+-079+transformer
4-07-7016
MT12/SPW 078
spw -055 transformer
pc-24-450
TRANSFORMER 4-44-5010
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74682
Abstract: 74684 74685 CPH5813 MCH3318 SBS010M
Text: 注文コード No. N 7 4 6 8 CPH5813 No. N 7 4 6 8 32803 新 CPH5813 特長 MOSFET : P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード DC / DC コンバータ用 ・P チャネル MOS 形電界効果トランジスタ（MCH3318）とショットキバリアダイオード（SBS010M）を
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Original
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CPH5813
MCH3318
SBS010M
600mm2
IT05881
IT05883
IT00625
IT00626
74682
74684
74685
CPH5813
MCH3318
SBS010M
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CPH6619
Abstract: A047
Text: CPH6619 注文コード No. N A 0 4 7 3 三洋半導体データシート N CPH6619 N チャネルおよび P チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ 汎用スイッチングデバイス 特長 ・低オン抵抗 , 超高速スイッチングの P チャネルおよび P チャネル MOS ドライブ用の小信号 N チャネル MOS 型電界
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Original
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CPH6619
900mm2
IT11329
IT04321
IT04320
IT11330
A0473-6/6
CPH6619
A047
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AN 7468
Abstract: diode N1004 ic 74682 TA-3804 CPH5813 MCH3318 N1004 SBS010M 74682
Text: CPH5813 Ordering number : ENN7468A CPH5813 MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode DC / DC Converter Applications Features • Composite type with a P-Channel Sillicon MOSFET MCH3318 and a Schottky Barrier Diode (SBS010M) contained in one package facilitating high-density mounting.
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Original
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CPH5813
ENN7468A
MCH3318)
SBS010M)
AN 7468
diode N1004
ic 74682
TA-3804
CPH5813
MCH3318
N1004
SBS010M
74682
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AN 7468
Abstract: CPH5813 MCH3318 SBS010M TA-3804 IT00 74684
Text: Ordering number : ENN7468 CPH5813 MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode CPH5813 DC / DC Converter Applications 4 0.15 3 0.6 5 0.2 [CPH5813] 2.9 0.05 1 2 0.95 0.4 1 : Cathode 2 : Drain 3 : Gate 4 : Source 5 : Anode 0.9 0.7 0.2 • Composite type with a P-Channel Sillicon MOSFET
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ENN7468
CPH5813
CPH5813]
MCH3318)
SBS010M)
AN 7468
CPH5813
MCH3318
SBS010M
TA-3804
IT00
74684
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N1004
Abstract: N7468 74682 CPH5813 MCH3318 SBS010M 74685 TA-3804
Text: CPH5813 注文コード No. N 7 4 6 8 A 三洋半導体データシート 半導体ニューズ No. N7468 とさしかえてください。 CPH5813 MOSFET : P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード
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CPH5813
N7468
MCH3318
SBS010M
600mm2
N1004
TA-3804
IT05904
N7468
74682
CPH5813
MCH3318
74685
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CPH6619
Abstract: No abstract text available
Text: CPH6619 Ordering number : ENA0473 SANYO Semiconductors DATA SHEET CPH6619 N-Channel and P-Channel Silicon MOSFETs General-Purpose Switching Device Applications Features • • • • Composite type of a low on-resistance ultra-high switching P-channel MOSFET and a small signal N-channel MOSFET
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CPH6619
ENA0473
A0473-7/7
CPH6619
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