MCH6616
Abstract: TA-3262
Text: Ordering number : ENN7013 MCH6616 N-Channel Silicon MOSFET MCH6616 Ultrahigh-Speed Switching Applications • • • Low ON-resistance. unit : mm Ultrahigh-speed switching. 2173A 2.5V drive. Composite type with 2 MOSFETs contained in a single package, facilitating high-density mounting.
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Original
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ENN7013
MCH6616
MCH6616]
MCH6616
TA-3262
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MCH6626
Abstract: No abstract text available
Text: MCH6626 Ordering number : ENN7918 N-Channel and P-Channel Silicon MOSFETs MCH6626 General-Purpose Switching Device Applications unit : mm 2173A [MCH6626] 0.3 4 0.25 2.1 • The MCH6626 incorporates an N-channel MOSFET and a P-channel MOSFET that feature low ONresistance and high-speed switching, thereby enabling
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Original
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MCH6626
ENN7918
MCH6626]
MCH6626
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: MCH6626 MCH6626 N-Channel and P-Channel Silicon MOSFETs General-Purpose Switching Device Applications unit : mm 2173A [MCH6626] 0.3 4 5 6 3 2 0.65 1 0.15 0.07 0.25 2.1 • The MCH6626 incorporates an N-channel MOSFET and a P-channel MOSFET that feature low ONresistance and high-speed switching, thereby enabling
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MCH6626
MCH6626]
MCH6626
ENN7918
MCH6626/D
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71801
Abstract: N7013 MCH6616 7013-1 TA-3262
Text: 注文コード No. N 7 0 1 3 MCH6616 No. N7013 71801 新 MCH6616 特長 N チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ 超高速スイッチング用 ・低オン抵抗。 ・超高速スイッチング。 ・2.5V 駆動。 ・MOS 形電界効果トランジスタを 1 パッケージに 2 素子内蔵した複合タイプであり高密度実装が可能で
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MCH6616
N7013
900mm2
IT02920
900mm2
IT03308
IT03309
71801
N7013
MCH6616
7013-1
TA-3262
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MCH6626
Abstract: IT025
Text: 注文コード No. N 7 9 1 8 MCH6626 三洋半導体データシート N MCH6626 特長 N チャネルおよび P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ 汎用スイッチングデバイス ・低オン抵抗 , 超高速スイッチングの N チャネルおよび P チャネル MOS 形電界効果トランジスタを
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MCH6626
900mm2
900mm2
IT03307
--10V
IT03377
IT02521
MCH6626
IT025
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