7382
Abstract: CPH5820 D2503 MCH3308 SBS006M
Text: Ordering number : ENN7382 CPH5820 MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode CPH5820 DC / DC Converter Applications Features Package Dimensions Composite type with a P-Channel Sillicon MOSFET unit : mm MCH3308 and a Schottky Barrier Diode (SBS006M) 2171
|
Original
|
PDF
|
ENN7382
CPH5820
MCH3308)
SBS006M)
CPH5820]
7382
CPH5820
D2503
MCH3308
SBS006M
|
CPH5804
Abstract: MCH3312 SBS006M IT03222
Text: 注文コード No. N 6 9 8 0 CPH5804 No. N 6 9 8 0 62001 新 CPH5804 特長 MOSFET : P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード DC / DC コンバータ用 ・P チャネル MOS 形電界効果トランジスタ
|
Original
|
PDF
|
CPH5804
MCH3312)
SBS006M
600mm2
IT00633
IT00632
IT00634
IT00635
CPH5804
MCH3312
SBS006M
IT03222
|
TA-3808
Abstract: CPH5820 D2503 MCH3308 SBS006M
Text: 注文コード No. N 7 3 8 2 CPH5820 三洋半導体データシート N CPH5820 特長 MOSFET : P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード DC / DC コンバータ用 ・P チャネル MOS 形電界効果トランジスタ
|
Original
|
PDF
|
CPH5820
MCH3308
SBS006M
600mm2
IT00633
IT00632
IT00634
IT00635
TA-3808
CPH5820
D2503
MCH3308
SBS006M
|
marking SA
Abstract: No abstract text available
Text: Ordering number : ENN7029 SBS806M Schottky Barrier Diode SBS806M 30V, 0.5A Rectifier Applications Package Dimensions unit : mm 1310 • 2.1 3 2 1 0.65 5 2.0 4 1 : Anode Diode 1 2 : No Contact 3 : Anode (Diode 2) 4 : Cathode (Diode 2) 5 : Cathode (Diode 1)
|
Original
|
PDF
|
ENN7029
SBS806M
SBS806M
SBS006.
SBS806M]
marking SA
|
Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: Ordering number : ENN7029 SBS806M Schottky Barrier Diode SBS806M 30V, 0.5A Rectifier Applications Package Dimensions unit : mm 1310 • 2.1 3 2 1 0.65 5 2.0 4 1 : Anode Diode 1 2 : No Contact 3 : Anode (Diode 2) 4 : Cathode (Diode 2) 5 : Cathode (Diode 1)
|
Original
|
PDF
|
ENN7029
SBS806M
SBS806M]
SBS806M
SBS006.
|
SBS006
Abstract: SBS806M
Text: 注文コード No. N 7 0 2 9 SBS806M No. N 7 0 2 9 83001 新 SBS806M ショットキバリアダイオード 30V, 0.5A 整流素子 用途 ・スイッチングレギュレータ , コンバータ , チョッパ等の高周波回路整流用。 特長 ・順電圧が小さい IF=0.3A, VF max=0.4V (IF=0.5A, VF max=0.47V)。
|
Original
|
PDF
|
SBS806M
SBS006
IT00633
IT00632
IT00634
IT00635
IT00636
SBS006
SBS806M
|
SBS006M
Abstract: No abstract text available
Text: Ordering number : ENN7669 SBS006M Schottky Barrier Diode SBS006M 30V, 0.5A Rectifier Applications Package Dimensions unit : mm 1305A Features 2 1 0.65 0.07 Low forward voltage IF=0.3A, VF max=0.4V (IF=0.5A, VF max=0.47V). Ultrasmall package permitting applied sets to be
|
Original
|
PDF
|
ENN7669
SBS006M
SBS006M]
SBS006M
|
Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: Ordering number : ENN6980 CPH5804 MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode CPH5804 DC / DC Converter Applications Features Package Dimensions Composite type with a P-Channel Sillicon MOSFET unit : mm MCH3312 and a Schottky Barrier Diode (SBS006M) 2171
|
Original
|
PDF
|
ENN6980
CPH5804
MCH3312)
SBS006M)
CPH5804]
|
TA-3176
Abstract: marking QB MCH3308 MCH5802 SBS006M
Text: Ordering number : ENN6961 MCH5802 MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode MCH5802 DC / DC Converter Applications Features Package Dimensions Composite type with a P-Channel Sillicon MOSFET unit : mm MCH3308 and a Schottky Barrier Diode (SBS006M) 2195
|
Original
|
PDF
|
ENN6961
MCH5802
MCH3308)
SBS006M)
MCH5802]
TA-3176
marking QB
MCH3308
MCH5802
SBS006M
|
SBS006
Abstract: No abstract text available
Text: 注文コード No. N 6 9 2 9 A SBS006 No. N 6 9 2 9 A 62901 新 半導体ニューズ No.6929 とさしかえてください。 SBS006 ショットキバリアダイオード 30V, 0.5A 整流素子 用途 ・スイッチングレギュレータ・コンバータ・チョッパ等の高周波回路整流用。
|
Original
|
PDF
|
SBS006
100mA,
100mA
IT00633
IT00634
IT00632
IT00635
IT00636
SBS006
|
7382-1
Abstract: CPH5820 D2503 MCH3308 SBS006M
Text: 注文コード No. N 7 3 8 2 CPH5820 No. N7382 D2503 新 CPH5820 特長 MOSFET : P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード DC / DC コンバータ用 ・P チャネル MOS 形電界効果トランジスタ
|
Original
|
PDF
|
CPH5820
N7382
D2503
MCH3308
SBS006M
600mm2
IT00633
IT00632
IT00634
7382-1
CPH5820
D2503
MCH3308
SBS006M
|
SBS006
Abstract: No abstract text available
Text: Ordering number : ENN6929A SBS006 Shottky Barrier Diode SBS006 30V, 0.5A Rectifier Applications • Package Dimensions High frequency rectification switching regulators, converters and choppers . unit : mm 1197A 0.3 0.15 3 0.425 • Low forward voltage (IF=0.3A, VF max=0.4V)
|
Original
|
PDF
|
ENN6929A
SBS006
SBS006applied
SBS006]
SBS006
|
mch3412
Abstract: ta3173 DIODE MARKING 3173 TA-317
Text: Ordering number : ENN6981 CPH5805 MOSFET : N-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode CPH5805 DC / DC Converter Applications Features Package Dimensions Composite type with an N-Channel Sillicon MOSFET unit : mm MCH3412 and a Schottky Barrier Diode (SBS006)
|
Original
|
PDF
|
ENN6981
CPH5805
MCH3412)
SBS006)
CPH5805]
mch3412
ta3173
DIODE MARKING 3173
TA-317
|
Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: Ordering number : ENN6929A SBS006 Shottky Barrier Diode SBS006 30V, 0.5A Rectifier Applications • Package Dimensions High frequency rectification switching regulators, converters and choppers . unit : mm 1197A 0.3 0.15 3 0.425 • Low forward voltage (IF=0.3A, VF max=0.4V)
|
Original
|
PDF
|
ENN6929A
SBS006
SBS006]
SBS006applied
|
|
|
SBS006M
Abstract: No abstract text available
Text: 注文コード No. N 7 6 6 9 SBS006M 三洋半導体データシート N SBS006M ショットキバリアダイオード 30V, 0.5A 整流素子 用途 ・スイッチングレギュレータ・コンバータ・チョッパ等の高周波回路整流用。
|
Original
|
PDF
|
SBS006M
100mA,
600mm2
Duty10%
100mA
IT00633
IT00632
IT06662
SBS006M
|
TA-3176
Abstract: MCH5802 MCH3308 SBS006M N6961
Text: 注文コード No. N 6 9 6 1 MCH5802 No. N6961 62501 新 MCH5802 特長 MOSFET : P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード DC / DC コンバータ用 ・P チャネル MOS 形電界効果トランジスタ
|
Original
|
PDF
|
MCH5802
N6961
MCH3308
SBS006M
900mm2
IT00633
IT00632
IT00634
IT00635
TA-3176
MCH5802
MCH3308
SBS006M
N6961
|
CPH5805
Abstract: MCH3412 SBS006 cph58 TA-3173
Text: 注文コード No. N 6 9 8 1 CPH5805 No. N 6 9 8 1 62001 新 CPH5805 特長 MOSFET : N チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード DC / DC コンバータ用 ・N チャネル MOS 形電界効果トランジスタ（MCH3412）とショットキバリアダイオード
|
Original
|
PDF
|
CPH5805
MCH3412
SBS006
600mm2
IT00633
IT00632
IT00634
IT00635
CPH5805
MCH3412
SBS006
cph58
TA-3173
|
sw 13003 MOSFET
Abstract: sw 13003 A MOSFET 13003 MOSFET CPH5819 MCH3408 SBS006M
Text: 注文コード No. N 7 4 0 9 CPH5819 三洋半導体データシート N CPH5819 特長 MOSFET : N チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード DC / DC コンバータ用 ・N チャネル MOS 形電界効果トランジスタ（MCH3408）とショットキバリアダイオード
|
Original
|
PDF
|
CPH5819
MCH3408
SBS006M
600mm2
IT00633
IT00632
IT00634
IT00635
sw 13003 MOSFET
sw 13003 A MOSFET
13003 MOSFET
CPH5819
MCH3408
SBS006M
|
13003 MOSFET
Abstract: sw 13003 13003 MOSFET transistor transistor sd 13003 MARKING QV 13003 sd sw 13003 A MOSFET CPH5819 MCH3408 SBS006M
Text: Ordering number : ENN7409 CPH5819 MOSFET : N-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode CPH5819 DC / DC Converter Applications Features Package Dimensions Composite type with an N-Channel Sillicon MOSFET unit : mm MCH3408 and a Schottky Barrier Diode (SBS006M) 2171
|
Original
|
PDF
|
ENN7409
CPH5819
MCH3408)
SBS006M)
CPH5819]
13003 MOSFET
sw 13003
13003 MOSFET transistor
transistor sd 13003
MARKING QV
13003 sd
sw 13003 A MOSFET
CPH5819
MCH3408
SBS006M
|
13003 MOSFET
Abstract: sw 13003 MOSFET sw 13003 A MOSFET sw 13003 CPH5819 Sw 13003 c SW 13003 A TR 13003 A MCH3408 N7409
Text: 注文コード No. N 7 4 0 9 CPH5819 No. N7409 13003 新 CPH5819 特長 MOSFET : N チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード DC / DC コンバータ用 ・N チャネル MOS 形電界効果トランジスタ（MCH3408）とショットキバリアダイオード
|
Original
|
PDF
|
CPH5819
N7409
MCH3408
SBS006M
600mm2
IT00633
IT00632
IT00634
IT00635
13003 MOSFET
sw 13003 MOSFET
sw 13003 A MOSFET
sw 13003
CPH5819
Sw 13003 c
SW 13003 A
TR 13003 A
MCH3408
N7409
|