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    IT00632 Search Results

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    7382

    Abstract: CPH5820 D2503 MCH3308 SBS006M
    Text: Ordering number : ENN7382 CPH5820 MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode CPH5820 DC / DC Converter Applications Features Package Dimensions Composite type with a P-Channel Sillicon MOSFET unit : mm MCH3308 and a Schottky Barrier Diode (SBS006M) 2171


    Original
    PDF ENN7382 CPH5820 MCH3308) SBS006M) CPH5820] 7382 CPH5820 D2503 MCH3308 SBS006M

    CPH5804

    Abstract: MCH3312 SBS006M IT03222
    Text: 注文コード No. N 6 9 8 0 CPH5804 No. N 6 9 8 0 62001 新 CPH5804 特長 MOSFET : P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード DC / DC コンバータ用 ・P チャネル MOS 形電界効果トランジスタ


    Original
    PDF CPH5804 MCH3312) SBS006M 600mm2 IT00633 IT00632 IT00634 IT00635 CPH5804 MCH3312 SBS006M IT03222

    TA-3808

    Abstract: CPH5820 D2503 MCH3308 SBS006M
    Text: 注文コード No. N 7 3 8 2 CPH5820 三洋半導体データシート N CPH5820 特長 MOSFET : P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード DC / DC コンバータ用 ・P チャネル MOS 形電界効果トランジスタ


    Original
    PDF CPH5820 MCH3308 SBS006M 600mm2 IT00633 IT00632 IT00634 IT00635 TA-3808 CPH5820 D2503 MCH3308 SBS006M

    marking SA

    Abstract: No abstract text available
    Text: Ordering number : ENN7029 SBS806M Schottky Barrier Diode SBS806M 30V, 0.5A Rectifier Applications Package Dimensions unit : mm 1310 • 2.1 3 2 1 0.65 5 2.0 4 1 : Anode Diode 1 2 : No Contact 3 : Anode (Diode 2) 4 : Cathode (Diode 2) 5 : Cathode (Diode 1)


    Original
    PDF ENN7029 SBS806M SBS806M SBS006. SBS806M] marking SA

    Untitled

    Abstract: No abstract text available
    Text: Ordering number : ENN7029 SBS806M Schottky Barrier Diode SBS806M 30V, 0.5A Rectifier Applications Package Dimensions unit : mm 1310 • 2.1 3 2 1 0.65 5 2.0 4 1 : Anode Diode 1 2 : No Contact 3 : Anode (Diode 2) 4 : Cathode (Diode 2) 5 : Cathode (Diode 1)


    Original
    PDF ENN7029 SBS806M SBS806M] SBS806M SBS006.

    SBS006

    Abstract: SBS806M
    Text: 注文コード No. N 7 0 2 9 SBS806M No. N 7 0 2 9 83001 新 SBS806M ショットキバリアダイオード 30V, 0.5A 整流素子 用途 ・スイッチングレギュレータ , コンバータ , チョッパ等の高周波回路整流用。 特長 ・順電圧が小さい IF=0.3A, VF max=0.4V (IF=0.5A, VF max=0.47V)。


    Original
    PDF SBS806M SBS006 IT00633 IT00632 IT00634 IT00635 IT00636 SBS006 SBS806M

    SBS006M

    Abstract: No abstract text available
    Text: Ordering number : ENN7669 SBS006M Schottky Barrier Diode SBS006M 30V, 0.5A Rectifier Applications Package Dimensions unit : mm 1305A Features 2 1 0.65 0.07 Low forward voltage IF=0.3A, VF max=0.4V (IF=0.5A, VF max=0.47V). Ultrasmall package permitting applied sets to be


    Original
    PDF ENN7669 SBS006M SBS006M] SBS006M

    Untitled

    Abstract: No abstract text available
    Text: Ordering number : ENN6980 CPH5804 MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode CPH5804 DC / DC Converter Applications Features Package Dimensions Composite type with a P-Channel Sillicon MOSFET unit : mm MCH3312 and a Schottky Barrier Diode (SBS006M) 2171


    Original
    PDF ENN6980 CPH5804 MCH3312) SBS006M) CPH5804]

    TA-3176

    Abstract: marking QB MCH3308 MCH5802 SBS006M
    Text: Ordering number : ENN6961 MCH5802 MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode MCH5802 DC / DC Converter Applications Features Package Dimensions Composite type with a P-Channel Sillicon MOSFET unit : mm MCH3308 and a Schottky Barrier Diode (SBS006M) 2195


    Original
    PDF ENN6961 MCH5802 MCH3308) SBS006M) MCH5802] TA-3176 marking QB MCH3308 MCH5802 SBS006M

    SBS006

    Abstract: No abstract text available
    Text: 注文コード No. N 6 9 2 9 A SBS006 No. N 6 9 2 9 A 62901 新 半導体ニューズ No.6929 とさしかえてください。 SBS006 ショットキバリアダイオード 30V, 0.5A 整流素子 用途 ・スイッチングレギュレータ・コンバータ・チョッパ等の高周波回路整流用。


    Original
    PDF SBS006 100mA, 100mA IT00633 IT00634 IT00632 IT00635 IT00636 SBS006

    7382-1

    Abstract: CPH5820 D2503 MCH3308 SBS006M
    Text: 注文コード No. N 7 3 8 2 CPH5820 No. N7382 D2503 CPH5820 特長 MOSFET : P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード DC / DC コンバータ用 ・P チャネル MOS 形電界効果トランジスタ


    Original
    PDF CPH5820 N7382 D2503 MCH3308 SBS006M 600mm2 IT00633 IT00632 IT00634 7382-1 CPH5820 D2503 MCH3308 SBS006M

    SBS006

    Abstract: No abstract text available
    Text: Ordering number : ENN6929A SBS006 Shottky Barrier Diode SBS006 30V, 0.5A Rectifier Applications • Package Dimensions High frequency rectification switching regulators, converters and choppers . unit : mm 1197A 0.3 0.15 3 0.425 • Low forward voltage (IF=0.3A, VF max=0.4V)


    Original
    PDF ENN6929A SBS006 SBS006applied SBS006] SBS006

    mch3412

    Abstract: ta3173 DIODE MARKING 3173 TA-317
    Text: Ordering number : ENN6981 CPH5805 MOSFET : N-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode CPH5805 DC / DC Converter Applications Features Package Dimensions Composite type with an N-Channel Sillicon MOSFET unit : mm MCH3412 and a Schottky Barrier Diode (SBS006)


    Original
    PDF ENN6981 CPH5805 MCH3412) SBS006) CPH5805] mch3412 ta3173 DIODE MARKING 3173 TA-317

    Untitled

    Abstract: No abstract text available
    Text: Ordering number : ENN6929A SBS006 Shottky Barrier Diode SBS006 30V, 0.5A Rectifier Applications • Package Dimensions High frequency rectification switching regulators, converters and choppers . unit : mm 1197A 0.3 0.15 3 0.425 • Low forward voltage (IF=0.3A, VF max=0.4V)


    Original
    PDF ENN6929A SBS006 SBS006] SBS006applied

    SBS006M

    Abstract: No abstract text available
    Text: 注文コード No. N 7 6 6 9 SBS006M 三洋半導体データシート N SBS006M ショットキバリアダイオード 30V, 0.5A 整流素子 用途 ・スイッチングレギュレータ・コンバータ・チョッパ等の高周波回路整流用。


    Original
    PDF SBS006M 100mA, 600mm2 Duty10% 100mA IT00633 IT00632 IT06662 SBS006M

    TA-3176

    Abstract: MCH5802 MCH3308 SBS006M N6961
    Text: 注文コード No. N 6 9 6 1 MCH5802 No. N6961 62501 新 MCH5802 特長 MOSFET : P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード DC / DC コンバータ用 ・P チャネル MOS 形電界効果トランジスタ


    Original
    PDF MCH5802 N6961 MCH3308 SBS006M 900mm2 IT00633 IT00632 IT00634 IT00635 TA-3176 MCH5802 MCH3308 SBS006M N6961

    CPH5805

    Abstract: MCH3412 SBS006 cph58 TA-3173
    Text: 注文コード No. N 6 9 8 1 CPH5805 No. N 6 9 8 1 62001 新 CPH5805 特長 MOSFET : N チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード DC / DC コンバータ用 ・N チャネル MOS 形電界効果トランジスタ(MCH3412)とショットキバリアダイオード


    Original
    PDF CPH5805 MCH3412 SBS006 600mm2 IT00633 IT00632 IT00634 IT00635 CPH5805 MCH3412 SBS006 cph58 TA-3173

    sw 13003 MOSFET

    Abstract: sw 13003 A MOSFET 13003 MOSFET CPH5819 MCH3408 SBS006M
    Text: 注文コード No. N 7 4 0 9 CPH5819 三洋半導体データシート N CPH5819 特長 MOSFET : N チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード DC / DC コンバータ用 ・N チャネル MOS 形電界効果トランジスタ(MCH3408)とショットキバリアダイオード


    Original
    PDF CPH5819 MCH3408 SBS006M 600mm2 IT00633 IT00632 IT00634 IT00635 sw 13003 MOSFET sw 13003 A MOSFET 13003 MOSFET CPH5819 MCH3408 SBS006M

    13003 MOSFET

    Abstract: sw 13003 13003 MOSFET transistor transistor sd 13003 MARKING QV 13003 sd sw 13003 A MOSFET CPH5819 MCH3408 SBS006M
    Text: Ordering number : ENN7409 CPH5819 MOSFET : N-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode CPH5819 DC / DC Converter Applications Features Package Dimensions Composite type with an N-Channel Sillicon MOSFET unit : mm MCH3408 and a Schottky Barrier Diode (SBS006M) 2171


    Original
    PDF ENN7409 CPH5819 MCH3408) SBS006M) CPH5819] 13003 MOSFET sw 13003 13003 MOSFET transistor transistor sd 13003 MARKING QV 13003 sd sw 13003 A MOSFET CPH5819 MCH3408 SBS006M

    13003 MOSFET

    Abstract: sw 13003 MOSFET sw 13003 A MOSFET sw 13003 CPH5819 Sw 13003 c SW 13003 A TR 13003 A MCH3408 N7409
    Text: 注文コード No. N 7 4 0 9 CPH5819 No. N7409 13003 新 CPH5819 特長 MOSFET : N チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード DC / DC コンバータ用 ・N チャネル MOS 形電界効果トランジスタ(MCH3408)とショットキバリアダイオード


    Original
    PDF CPH5819 N7409 MCH3408 SBS006M 600mm2 IT00633 IT00632 IT00634 IT00635 13003 MOSFET sw 13003 MOSFET sw 13003 A MOSFET sw 13003 CPH5819 Sw 13003 c SW 13003 A TR 13003 A MCH3408 N7409