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    SBS804

    Abstract: ENN6595 SBS004
    Text: Ordering number : ENN6595 SBS804 Schottky Barrier Diode SBS804 15V, 1A Rectifier Applications • Package Dimensions High frequency rectification switching regulators, converters, choppers . unit : mm 1294 [SBS804] • 0.6 2.8 0.05 2 0.95 0.4 0.7 4 0.15 3


    Original
    PDF ENN6595 SBS804 SBS804] SBS804 SBS004. ENN6595 SBS004

    2SJ560

    Abstract: CPH6801 SBS004 TA2492
    Text: Ordering number:EN6419 MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode CPH6801 DC/DC Converter Applications Package Dimensions unit:mm 2172 [CPH6801] 5 4 0.6 6 0.2 0.15 2.9 2.8 0.05 0.6 • The CPH6801 consists of a P-channel MOSFET that features low ON resistance, ultrahigh-speed switching, and low-voltage drive, and a shottky barrier


    Original
    PDF EN6419 CPH6801 CPH6801] CPH6801 2SJ560 SBS004, SBS004 TA2492

    SBS004

    Abstract: 62722
    Text: Ordering number:ENN6272 Schottky Barrier Diode SBS004 15V, 1A Rectifier Applications Package Dimensions • High frequency rectification switching regulators, converters, choppers . unit:mm 1293 [SBS004] 2.9 · Low forward voltage (IF=0.5A, VF max=0.35V) (IF=1.0A, VF max=0.4V).


    Original
    PDF ENN6272 SBS004 SBS004] SBS004applied SBS004 62722

    MCH3307

    Abstract: SBS004 ENN8235 2171A
    Text: CPH5838 Ordering number : ENN8235 CPH5838 MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device Applications Features • • DC / DC converters. Composite type with a P-Channel Sillicon MOSFET MCH3307 and a Schottky Barrier Diode (SBS004)


    Original
    PDF CPH5838 ENN8235 MCH3307) SBS004) MCH3307 SBS004 ENN8235 2171A

    77704

    Abstract: CPH5808 MCH3409 SBS004 77705 77701
    Text: CPH5808 注文コード No. N 7 7 7 0 三洋半導体データシート N CPH5808 MOSFET : N チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード DC / DC コンバータ用 特長 ・N チャネル MOS 形電界効果トランジスタ


    Original
    PDF CPH5808 MCH3409) SBS004 600mm2 TA-100106 IT00624 IT00623 IT00622 77704 CPH5808 MCH3409 77705 77701

    CPH5821

    Abstract: MCH3312 SBS004
    Text: CPH5821 注文コード No. N 7 7 0 1 三洋半導体データシート N CPH5821 MOSFET : P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード 汎用スイッチングデバイス 特長 ・DC / DC コンバータ用。


    Original
    PDF CPH5821 MCH3312) SBS004 600mm2 TA-100874 IT00622 IT00623 CPH5821 MCH3312

    CPH5811

    Abstract: MCH3406 SBS004 2171A marking QM
    Text: CPH5811 Ordering number : ENN8234 CPH5811 MOSFET : N-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode DC / DC Converter Applications Features • Composite type with an N-Channel Sillicon MOSFET MCH3406 and a Schottky Barrier Diode (SBS004) contained in one package facilitating high-density mounting.


    Original
    PDF CPH5811 ENN8234 MCH3406) SBS004) CPH5811 MCH3406 SBS004 2171A marking QM

    SBS004

    Abstract: SBS804
    Text: 注文コード No. N 6 5 9 5 SBS804 No. N 6 5 9 5 63000 新 SBS804 ショットキバリアダイオード 15V, 1A 整流素子 用途 ・スイッチングレギュレータ・コンバータ・チョッパ等の高周波回路整流用。 特長 ・順電圧が小さい IF=0.5A, VF max=0.35V (IF=1.0A, VF max=0.4V)。


    Original
    PDF SBS804 SBS004 IT00623 IT00622 IT00624 IT00625 IT00626 SBS004 SBS804

    CPH5807

    Abstract: MCH3309 SBS004
    Text: CPH5807 Ordering number : EN7751B CPH5807 MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode DC / DC Converter Applications Features • • • Composite type with a P-Channel Silicon MOSFET MCH3309 and a Schottky Barrier Diode (SBS004) contained in


    Original
    PDF CPH5807 EN7751B MCH3309) SBS004) CPH5807 MCH3309 SBS004

    CPH5802

    Abstract: MCH3306 SBS004
    Text: Ordering number : ENN6899 CPH5802 MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode CPH5802 DC / DC Converter Applications Package Dimensions unit : mm 2171 [CPH5802] 2.9 0.15 0.2 4 3 0.6 5 0.05 2.8 1.6 Composite type with a P-Channel Sillicon MOSFET


    Original
    PDF ENN6899 CPH5802 CPH5802] MCH3306) SBS004) CPH5802 MCH3306 SBS004

    Untitled

    Abstract: No abstract text available
    Text: Ordering number : ENN6899 CPH5802 CPH5802 MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode DC / DC Converter Applications Package Dimensions unit : mm 2171 [CPH5802] 2.9 0.15 0.2 4 3 2.8 0.6 5 1.6 Composite type with a P-Channel Sillicon MOSFET


    Original
    PDF ENN6899 CPH5802 CPH5802] MCH3306) SBS004) CPH5802/D

    CPH6801

    Abstract: 2SJ560 SBS004 IT00783 TA2492
    Text: 注文コード No. N 6 4 1 9 CPH6801 No. N 6 4 1 9 N1999 CPH6801 特長 MOSFET : P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード DC / DC コンバータ用 ・低オン抵抗 , 超高速スイッチング , 低電圧駆動の P チャネル MOS 形電界効果トランジスタと逆回復時間


    Original
    PDF CPH6801 N1999 CPH6801 2SJ560 SBS004 600mm2 IT00624 IT00789 IT00625 2SJ560 SBS004 IT00783 TA2492

    MCH3406

    Abstract: SBS004 CPH5811 2171A 4863s
    Text: CPH5811 注文コード No. N 8 2 3 4 三洋半導体データシート N CPH5811 MOSFET : N チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード DC / DC コンバータ用 特長 ・N チャネル MOS 形電界効果トランジスタ MCH3406 とショットキバリアダイオード(SBS004)を 1 パッケージに


    Original
    PDF CPH5811 MCH3406) SBS004) 600mm2 22805PE TB-00001212 IT00624 IT00623 MCH3406 SBS004 CPH5811 2171A 4863s

    CPH5807

    Abstract: MCH3309 SBS004
    Text: CPH5807 Ordering number : ENN7751 CPH5807 MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode DC / DC Converter Applications Features • • • Composite type with a P-Channel Silicon MOSFET MCH3309 and a Schottky Barrier Diode (SBS004) contained in


    Original
    PDF CPH5807 ENN7751 MCH3309) SBS004) CPH5807 MCH3309 SBS004

    CPH5808

    Abstract: MCH3409 SBS004 77705
    Text: CPH5808 Ordering number : ENN7770 CPH5808 MOSFET : N-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode DC / DC Converter Applications Features • • • Composite type with a N-Channel Silicon MOSFET MCH3409 and a Schottky Barrier Diode (SBS004) contained


    Original
    PDF CPH5808 ENN7770 MCH3409) SBS004) CPH5808 MCH3409 SBS004 77705

    2171a

    Abstract: MCH3307 SBS004 CPH5838
    Text: CPH5838 注文コード No. N 8 2 3 5 三洋半導体データシート N CPH5838 MOSFET : P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード 汎用スイッチングデバイス 特長 ・DC / DC コンバータ用。


    Original
    PDF CPH5838 MCH3307 SBS004 600mm2 22805PE TB-00001210 IT00624 IT00623 2171a MCH3307 CPH5838

    TA-3048

    Abstract: CPH5802 MCH3306 SBS004
    Text: 注文コード No. N 6 8 9 9 CPH5802 No. N 6 8 9 9 12201 新 CPH5802 特長 MOSFET : P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード DC / DC コンバータ用 ・P チャネル MOS 形電界効果トランジスタ


    Original
    PDF CPH5802 MCH3306 SBS004 SBD12 600mm2 IT00623 IT00622 IT00624 IT00625 TA-3048 CPH5802 MCH3306

    CPH5807

    Abstract: D2005 MCH3309 SBS004
    Text: CPH5807 注文コード No. N 7 7 5 1 B 三洋半導体データシート 半導体ニューズ No. N7751A とさしかえてください。 CPH5807 MOSFET : P チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード


    Original
    PDF CPH5807 N7751A MCH3309) SBS004 600mm2 D2005 TB-00001994 D1504PE TA-100107 CPH5807 MCH3309

    77014

    Abstract: CPH5821 MCH3312 SBS004
    Text: CPH5821 注文コード No. N 7 7 0 1 MOSFET : P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード CPH5821 汎用スイッチングデバイス 特長 ・DC / DC コンバータ用。 ・P チャネル MOS 形電界効果トランジスタ


    Original
    PDF CPH5821 MCH3312) SBS004 600mm2 TA-100874 IT00622 IT00623 77014 CPH5821 MCH3312

    62722

    Abstract: SBS004 TA-2121
    Text: 注文コード No. N 6 2 7 2 SBS004 No. 6 2 7 2 三洋半導体ニューズ 62599 新 SBS004 ショットキバリアダイオード 15V, 1A 整流素子 用途 ・スイッチングレギュレータ・コンバータ・チョッパ等の高周波回路整流用。


    Original
    PDF SBS004 100mA, 600mm2 Duty10% IT00624 IT00623 IT00622 IT00625 IT00626 62722 SBS004 TA-2121

    marking QJ

    Abstract: CPH5808 MCH3409 SBS004
    Text: CPH5808 Ordering number : ENN7770 CPH5808 MOSFET : N-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode DC / DC Converter Applications Features • • • Composite type with a N-Channel Silicon MOSFET MCH3409 and a Schottky Barrier Diode (SBS004) contained


    Original
    PDF CPH5808 ENN7770 MCH3409) SBS004) marking QJ CPH5808 MCH3409 SBS004