BG39
Abstract: IR diode diode ir Q62901-B79
Text: IR-B2 IR-B2 fpxf6757 fpx06757 Infrarotindikatorkarte Infrared Indicator Card Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Anwendungen ● Überprüfung von IR-LEDs und IR- Laserdioden ● In Versuchsaufbauten, Fernbedienungen,
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fpxf6757
fpx06757
Q62901-B79
BG39
IR diode
diode ir
Q62901-B79
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iC-WKN
Abstract: ALS-250 IC-WKN-SO8TP IC-WKN SO8 zu 103 ma laserdioden iC-WKL IC-WKNDFN10 DFN10 G003
Text: iC-WKN CW-TREIBER FÜR LASERDIODEN BIS 15 V Ausgabe B1, Seite 1/9 EIGENSCHAFTEN ANWENDUNGEN ♦ CW-Betrieb bis 300 mA aus 2.4 bis 15 V Versorgungsspannung ♦ Weicher Schnellstart in typisch 70 µs nach Anlegen der Versorgungsspannung ♦ Optimiert für N-Typ-Laserdioden
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DFN10
DFN10
iC-WKN
ALS-250
IC-WKN-SO8TP
IC-WKN SO8
zu 103 ma
laserdioden
iC-WKL
IC-WKNDFN10
G003
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laserdiode m 140
Abstract: 100 Kondensator zu 103 ma uf007 lda203 IC-WKM DFN10 G003 G008 SO8G
Text: iC-WKM M-TYP-CW-LASERDIODENTREIBER ar y n i im prel Ausgabe C1, Seite 1/9 EIGENSCHAFTEN ANWENDUNGEN ♦ Optimiert für M-Typ-Laserdioden Single-Supply, Gehäuse auf GND ♦ CW-Betrieb bis 350 mA aus 3.6 bis 15 V Versorgungsspannung ♦ Weicher Schnellstart nach Anlegen der Versorgungsspannung
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DFN10
DFN10
laserdiode m 140
100 Kondensator
zu 103 ma
uf007
lda203
IC-WKM
G003
G008
SO8G
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mda 2010
Abstract: SMD Dioden ZU 107 DFN10 G003 G008 100nF Kondensator uf 007 IC-WKP IC-WKP DFN10
Text: iC-WKP P-TYP-CW-LASERDIODENTREIBER Ausgabe A6, Seite 1/11 EIGENSCHAFTEN ANWENDUNGEN ♦ ♦ ♦ ♦ ♦ ♦ ♦ ♦ ♦ ♦ ♦ ♦ ♦ ♦ ♦ ♦ CW-Betrieb bis 350 mA aus 3 bis 15 V Versorgungsspannung Optimiert für P-Typ-Laserdioden Gehäuse auf GND
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DFN10
DFN10
mda 2010
SMD Dioden
ZU 107
G003
G008
100nF Kondensator
uf 007
IC-WKP
IC-WKP DFN10
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C945 p 331
Abstract: 59013 h 331 din 74324 STK 412 770 siemens C1012 thermistor B57045-K471-K B59012 59012 h 331 B59121-B1120-A70 59013 f 331
Text: Inhaltsverzeichnis Bauformen-Übersicht Seite 5 9 Allgemeine technische Angaben Kaltleiter 27 Kaltleiter-Bauformen 49 Allgemeine technische Angaben (Heißleiter) 177 Heißleiter-Bauformen Normierte R/T-Kennlinien 197 260 Einbauhinweise Qualität Umweltschutzmaßnahmen, Klimatische Hinweise
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PL TB450B
Abstract: No abstract text available
Text: Blaue Laser Diode 1.6 W in TO56 Bauform Blue Laser Diode 1.6 W in TO56 Package PL TB450B PRELIMINARY Besondere Merkmale Features • Typ. Emissionswellenlänge 450nm • Effiziente Strahlungsquelle für Dauerstrich- und gepulsten Betriebsmodus • TO56 Gehäuse
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TB450B
450nm
PL TB450B
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4 Pin SMD Hall sensors
Abstract: optokoppler Cross Reference vergleichsliste magnetoresistor "vergleichsliste" hall sensor 4-pin dIP MRS DIP Silizium-Drucksensoren ir laserdioden hall sensor 4-pin
Text: Inhaltsverzeichnis Contents Symbole und Begriffe Symbols and Terms Seite Page 6 Si-Fotodetektoren und IR-Lumineszenzdioden Silicon Photodetectors and Infrared Emitters Typenübersicht; Abbildungen Si-Fotodetektoren Inhaltsverzeichnis Summary of Types; photos (Silicon photodetectors)
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triac vergleichsliste
Abstract: "vergleichsliste" vergleichsliste LED 3MM GE Silizium-Drucksensoren
Text: Contents Inhaltsverzeichnis Seite page Sym bole und Begriffe Sym bols and Terms Si-Fotodetektoren und IR-Lum lneszenzdioden Silicon P hotodetectors and Infrared Em itters 5 Inhaltsverzeichnis Table of Contents 5 Typenübersicht; A bbildungen Si-Fotodetektoren
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51004G
Abstract: laserdioden
Text: Semiconductor Devices for Fiber* Optic Systems and High-Power Lasers Bauelemente für die LWL-Technik und Leistungslaser Emitter für Glasfaseranwendungen Emitters for glass fiber applications InGaAsP/lnP-IRED für das 2. Durchlaßfenster 1300 nm rop= -4 0 C . +85 0 , Bauteile nach Bellcore Spezifikation qualifiziert.
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81005G
1005A
81007G
81007G
51004G
laserdioden
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LFA 12-80
Abstract: SFH4215
Text: Semiconductor Devices for Fiber Optic Systems Bauelemente für die LWL-Technik Emitter für Glasfaseranwendungen Emitters for glass fiber applications InGaAsP/lnP-IRED InGaAsP/lnP IREDs fü rd a s 2 . D u rch la ß fe n ste r 1 3 0 0 n m - 4 0 ° C . + 8 5 °C, Bauteile nach B e llco re S p e zifika tio n
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62702-P
SFH202A
SRA00111Z
SRD00111Z
CSFH2012A)
LFA 12-80
SFH4215
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RPY 86
Abstract: valvo halbleiter RPY94 CQY 24 BV EI 30-20 3001 LDR 03 diode byx 64 600 valvo transistoren KP101A BAV99-1
Text: Elektronik. Wir bauen die Elemente. v a i v D Halbleiterbauelemente Produktprogramm DH, April 1984 Elektronik. Wir bauen die Elemente Unser Arbeitsgebiet - besonders die Mikroelektronik - entwickelt sich immer rascher zum Motor für eine Vielzahl von Innovationen. Mit gründ
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