VEB mikroelektronik
Abstract: information applikation e435e information applikation mikroelektronik applikation heft fzl135 mikroelektronik Heft 12 D4803DC D718D "Mikroelektronik" Heft
Text: Information Applikation Treiber IC aus dem HFO fr vrn" m m . . Information Applikation HEFT 53 NEUE TREIBERSCHALTKREISE v a b helbleifcerwerk F r a n k f u r t / o d e r botrwb im v«b kombinat mikroeloktranik | KAMMER DER TECHNIK i * » _ J Ebertusstraße 2, Frankfurt Oder
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k3882
Abstract: TAA 981 E25C5 TC8066PB sn 8400 sn 8408 selen-gleichrichter Halbleiterbauelemente DDR A109D SY 170
Text: [ n r D D lk D ^ i^ B lB k f a n a n ilK Halbleiter-Bauelemente Kurzinformation D ie M ik ro e le k tro n ik e rw e is t sich in te rn a tio n a l m e h r u n d m eh r a ls e in e n ts c h e id e n d e r F a k to r be i d e r D u rc h s e tz u n g d e s w isse n s c h a ftlic h -te c h n is c h e n F o rts c h ritte s a lle r B ere ich e d e r W irts c h a ft un d
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Halbleiterbauelemente DDR
Abstract: GAZ17 diode sy-250 "halbleiterwerk frankfurt" sal41 diode sy-170 SF 127 diode say17 Halbleiter-Bauelemente DDR SY 170
Text: eiecrronic Halbleiter-Bauelemente Die vorliegende Übersicht enthält in gedrängter Form die wichtigsten Grenz- und Kenndaten der in der DD R gefertigten H albleiterbauelem ente. Die Kennwerte werden im allgem einen für eine Um gebungs temperatur von 25 °C angegeben.
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DOR102
Halbleiterbauelemente DDR
GAZ17
diode sy-250
"halbleiterwerk frankfurt"
sal41
diode sy-170
SF 127
diode say17
Halbleiter-Bauelemente DDR
SY 170
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mikroelektronik ddr
Abstract: Halbleiterbauelemente DDR VEB mikroelektronik vqb 71 A910D VQB71 "halbleiterwerk frankfurt" diode sy-170 VQB 37 u112d
Text: Halbleiter-Bauelemente Semiconductors Die vorliegende Übersicht enthält in gedrängter Form die wichtigsten Grenz- und Kenn daten der in der DDR gefertigten Halbleiterbauelem ente. Dem Anwender soll durch diese Übersicht die Auswahl der jeweils in Frage kommenden
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Halbleiterbauelemente DDR
Abstract: mikroelektronik Heft 12 VEB mikroelektronik information applikation Mikroelektronik Information Applikation Transistoren DDR information applikation mikroelektronik mikroelektronik Heft sy 710 applikation heft
Text: m o t ^ o e l e l - c f a n c i r Information Applikation Bauelemente der Leistungs elektronik SW77 Bipolare SchaltTransistoren i i l - c m t n r D o lk in î^ e lB l-c ta n a r iik Information Applikation H e f t : BAUELEMENTE DER LEISTUNGSELEKTRONIK
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TDA2800
Abstract: information applikation information applikation mikroelektronik mikroelektronik heft Radio Fernsehen Elektronik 1977 Heft 9 "Mikroelektronik" Heft Mikroelektronik Information Applikation mikroelektronik Heft 12 applikation heft mikroelektronik DDR
Text: m o ^ a f^ o lsl-cta n m iil i Information Applikation Q O 0 t r ö n f l k l n it s O l B l C f a P O T lM Information Applikation - Heft 56 IS für Farbfefnseh-\ empfänger v , * Teil 2 v e b H a lb leite rw e rk fr a n k fu r t/ o d e r im v e b k o m b in a t m ik ro e le k tro n ik
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information applikation mikroelektronik
Abstract: "Mikroelektronik" Heft information applikation mikroelektronik Heft Mikroelektronik Information Applikation VEB mikroelektronik C520D Radio Fernsehen Elektronik 1977 Heft 9 "information applikation" C504D
Text: im f ik F t s n ln l it r a Information Applikation A/D-Wandler Gesamtübersicht n i i QSQ ¥ *- h m ^ J é é é é é | M *•'¥ ¥ ¥ ■ ¥ ¥ ¥ ¥ ¥ ¥ ¥ ' i ¥ ¥ ¥ ¥ m f lk r ^ B ^ ^ - c t a n o r iik Information Applikation H E F T 52 A/D-WANDLER
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information applikation
Abstract: B589N mikroelektronik heft a4100 "Mikroelektronik" Heft information applikation mikroelektronik mikroelektronik Heft 12 Mikroelektronik Information Applikation mikroelektronik DDR applikation heft
Text: In n flk fln H s d o l I t w r j Information Applikation ryv«*t IS für FARBFERNSEH EMPFÄNGER Teil 1 : A 35 10 D A 35 20 D gw im flj-Æ n lg lJ h .J I I I II "TW *• € Information Applikation HEFT 55 • •*. V • r * • - •. IS für FARBFERNSEHEMPFÄNGER
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A109d
Abstract: Halbleiterbauelemente DDR VEB mikroelektronik mikroelektronik DDR a211d B109D "halbleiterwerk frankfurt" VEB Kombinat zf filter VEB Kombinat halbleiterwerk
Text: Halbleiter-Bauelemente Semiconductors 1981 D ie vorliegende Übersicht enthält in gedrängter Form die wichtigsten Grenz- und Kenn daten der in der D D R gefertigten H albleiterbauelem ente. Dem Anw ender soll durch diese Übersicht die Auswahl d er jew eils in Frage kommenden
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VEB mikroelektronik
Abstract: information applikation information applikation mikroelektronik mikroelektronik applikation Mikroelektronik Information Applikation a4100d "information applikation" Dioden SY 250 "halbleiterwerk frankfurt" halbleiterwerk
Text: m ö tk n n ^ e le l-c fa n a riil-c Information Applikation ~ in^joNFiggelB k tana n lk Information Applikation H e f t 4 2 : IBISÜIKSSELSKlHOlflK 5 j BijlQiaXßX leiatimgsgchalttranaiatpp ¡teil 1 vab hnlbleiterwark Trankfurt /od«f> im v a b k o m b in a t m ik r t M la k t r o n ü c
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mikroelektronik Heft 12
Abstract: SY 185 Radio Fernsehen Elektronik 1977 Heft 9 B260D information applikation keramische Werke Hermsdorf mikroelektronik Heft 10 VEB mikroelektronik information applikation mikroelektronik mikroelektronik DDR
Text: li ii iff li i l •> ■! l l ■! *i n lil i KBD Information Applikation ANSTEUER SCHALTKREIS FÜR SCHALTNETZTEILE UND GLEICH SPANNUNGSWANDLER — R«ge verstarkm B 260 Informations- und Applikationshefte „M IK R O E LE K TR O N IK " Bisher erschienen:
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information applikation
Abstract: transistor vergleichsliste information applikation mikroelektronik c5658c DS8205D mikroelektronik DDR applikation heft VEB mikroelektronik 14-Bit-DAC mikroelektronik applikation
Text: rr uni Information Applikation . m nlkif^eiBktana rTik / Information Applikation H E F T 51 : D/A - Wandler-Famili«H F 0 1988 v b hafcW t r w rk fmkfurfc loömr im v«t>kombinot mlcmiWiti Ontt KAMMER DER TECHNIK Ebartu u traB * 2, Frankfurt O tU r V o rilo n d d«> M iir k n « r b a n d « t
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b342d
Abstract: information applikation applikation heft mikroelektronik Heft 12 information applikation mikroelektronik Transistoren DDR VEB mikroelektronik "information applikation" mikroelektronik Heft 10 ITT transistoren
Text: m n t k if ^ s j e le lK t e n a r iH - c g|B Information Applikation in n f B = a n iis ö lH W b n a n lK Information Applikation Heft: 28 Transistorarrays Iweb Halbleiterwerk frankfurt/oder | betrieb im veto kombinet mikroelektronik KAMMER DER TECHNIK Bezirksvorstand Frankfurt/O.
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hsk 103
Abstract: 55163 RFT Transistoren service-mitteilungen GER-A RFT HMK 100 aiwa RFT Service Mitteilung GC 6131 RFT A 210 K
Text: SERVICE-MITTEILUNGEN VEB INDUSTRIEVERTRIEB RU ND FU NK UND FERNSEH EN radio -television Ausgabe Seite 198? 1-8 Mitteilung aus dem VBB Elektronische Bauelemente Teltow Neu im Angebot des Handels Phonogerät LT - CS 01 - Vollautomatischer Tangential-Plattenspieler
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III/18/379
hsk 103
55163
RFT Transistoren
service-mitteilungen
GER-A
RFT HMK 100
aiwa
RFT Service Mitteilung
GC 6131
RFT A 210 K
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b589n
Abstract: B511N information applikation b589 mikroelektronik Heft 12 information applikation mikroelektronik B589nm "Mikroelektronik" Heft aktive elektronische bauelemente ddr applikation heft
Text: r r j f c n B e le l- f t e n o n f l- t Information Applikation raeo [ n n f l k l n i B ] B l B | < t i n a r * < Information Applikation HEÏI 4 4 : B 5 1 1 N Twnperatur-Sensor-IS B 5 8 9 I Bandgap-Referenzepannungaguelle m KAMMER OER TECHNIK Ebvftuu traft« 2, Frankfurt (Od*r
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MH1SS1
Abstract: TESLA mh 7400 MH 7404 mh 7400 tesla cdb 838 tda 7851 L 741PC TDB0124DP tda 4100 TDA 7851 A
Text: m ö lk ^ o e le l-c te n a n il-c Information Applikation RGW Typenübersicht Vergleich Teil 2: RGW M iM U Z A U l KÉD lnrüÖC=SraO Information Applikation HEFT 50 RGW Typenübersicht + Vergleich Teil 2: RGW wob Halbleiterwerk Frankfurt /oder bt r iab im v«b kombinat mikrootektronik
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Halbleiterbauelemente DDR
Abstract: Dioden SY 250 diode sy-250 B250C135 u103d GD244 transistor gc 301 SAM42 diode sy 166 D172C
Text: electronic Halbleiter-Bauelemente Die vorliegende Übersicht enthält in gedrängter Form die wichtigsten Grenz-und Kenndaten der in der DDR getertigten Halbleiterbauelemente. Die Kennwerte werden im allgemeinen für eine Umgebungs temperatur von 25 °C angegeben.
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6x10x12
Halbleiterbauelemente DDR
Dioden SY 250
diode sy-250
B250C135
u103d
GD244
transistor gc 301
SAM42
diode sy 166
D172C
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information applikation
Abstract: information applikation mikroelektronik "Mikroelektronik" Heft mikroelektronik Heft 12 Mikroelektronik Information Applikation mikroelektronik heft applikation heft mikroelektronik applikation DL374D VEB mikroelektronik
Text: LnnJQ[]=<3r D ö]ElE 3l"<t3r ,LJI lilK Information Applikation in r # ^ o s J e k t 3r» ariik Information Applikation Heft Saue * 35 I S aus dem K i O 1 9 8 6 i I I 1 I . . \mb Halhi^iterw r k frankfurt/odai» imvebkombin mücroatektrontoc wt KAMMER DER TECHNIK
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Halbleiterbauelemente DDR
Abstract: information applikation applikation heft mikroelektronik Heft "halbleiterwerk frankfurt" mikroelektronik Heft 12 information applikation mikroelektronik "Mikroelektronik" Heft VEB mikroelektronik "information applikation"
Text: m ffik a r ^ e le l-c b n a r iîl-c Information Applikation [ n nf l^ On i □ Information Applikation Heft : 3 7 Qualitätssicherung - Zuverlässigkeit veto halbtaMfcorwerk frankfurt/oder bateriabkn veb kombinat mikroelektrontk KAMMER PER TECHNIK Vorslond des Beiirkiverbondei
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74S487
Abstract: information applikation cdb 4121 e CDB 447 FZH 195 mh 3212 applikation heft 74LS125N MH 74141 FZH195
Text: m ô D ^ n iœ lo M s n a n ilK Information Applikation INTERFACE SCHALTUNGEN RGW mit internationaler Typen übersicht ¿ kH KKÄÄÄÄAZJ, r in iO lk r t^ B lo lK b n a in H K I Information Applikation H a f t I N T E E F A C E E 4 8 » - S C G H A L T U N G E N
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information applikation
Abstract: information applikation mikroelektronik mikroelektronik Heft 12 Mikroelektronik Information Applikation mikroelektronik Heft A4100D "Mikroelektronik" Heft applikation heft mikroelektronik applikation VEB mikroelektronik
Text: m o N n ^ e le l-c te n o r iil-c Kp Information Applikation m L r r t l k < I r J[ S J E 2 l E l - < f c i r ,a r - | i t < Information Applikation H e f t : 40 L S - T T L - R e l h e Teil 1 ueb Halbleiterwerk frankfurt /oder* b o t r - ie b im v e t k o m b m a t m ik r o o le k t r o n « k
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MSD 7818
Abstract: MN9106 information applikation 7490 N TDA 5700 information applikation mikroelektronik udssr hefte 143KT1 Mikroelektronik Information Applikation K 176 LE, K 561 LN
Text: In n in ik ü r Q fâ lI Information Applikation RGW Typen übersicht + Vergleich TeiM UdSSR JitfÆÊL JUUUUUUL&JJJUL i m i n i ^ r ^ c z l c i c b p o n Information Applikation , 9 H E F T 4 9 * R G W T y p e n ü b e r s i c h t + V e r g l e i c h Teil 1
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6250b
MSD 7818
MN9106
information applikation
7490 N
TDA 5700
information applikation mikroelektronik
udssr hefte
143KT1
Mikroelektronik Information Applikation
K 176 LE, K 561 LN
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information applikation
Abstract: Mikroelektronik Information Applikation B305D B304D eft 317 transistor information applikation mikroelektronik B303D Kombinat VEB A 301 A301D "information applikation"
Text: LnnJÖD=^Jj i ^ j s l E k t j P D n i k Information Applikation B 303 D B 304 D B 305 D B 306 D m ölkr^elel-ctsnariik Information Applikation Heft: 23 INITIATOREN-IS B303D- B 304D B 305D *B 306D VEB. Halbleiterwerk FrankfurtïOder im VEB Kom binat Mikroelektronik,
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information applikation mikroelektronik
Abstract: information applikation Mikroelektronik Information Applikation applikation heft mikroelektronik applikation VEB mikroelektronik "Mikroelektronik" Heft mikroelektronik DDR radio fernsehen elektronik "information applikation"
Text: m o lk ^ o e le l-c ts n a r iik c Information Applikation 31/2 DIGIT CMOS Analog-DigitalWandler G O Q . i m f l k i n i o e l B l H c f a p a r T B Inform ation Applikation Heft C 47: 7 13 6 A / D - W a n d l e r I 1 * *• vm b u w t L frrinkfu r f c / o d f
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