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    GMB01U Search Results

    GMB01U Datasheets (4)

    Part ECAD Model Manufacturer Description Curated Type PDF
    GMB01(U) Unknown Silicon Diode Scan PDF
    GMB01U Unknown Shortform Data and Cross References (Misc Datasheets) Short Form PDF
    GMB01U Unknown The Diode Data Book with Package Outlines 1993 Scan PDF
    gmb01u Sanyo Semiconductor Silicon epitaxial planar type, very high-speed switching diode Scan PDF

    GMB01U Datasheets Context Search

    Catalog Datasheet MFG & Type PDF Document Tags

    Untitled

    Abstract: No abstract text available
    Text: GMB01U Diodes General Purpose Fast Rectifier Military/High-RelN I O Max.(A) Output Current120m V(RRM)(V) Rep.Pk.Rev. Voltage105 t(rr) Max.(s) Rev.Rec. Time4.0n @I(F) (A) (Test Condition)10m @I(R) (A) (Test Condition) V(FM) Max.(V) Forward Voltage1.2 @I(FM) (A) (Test Condition)100m


    Original     		PDF GMB01U Current120m Voltage105 Current500n

    GMB01

    Abstract: GMB01U
    Text: Ordering number:EN1897A GMB01, 01U Epitaxial Planar Type Very High-Speed Switching Diode Features Package Dimensions • Glass sleeve structure. · Allowable power dissipation : P=250mW max. · Interterminal capacitacne : c=3.0pF max. · Reverse recovery time : trr=4.0ns max.


    Original     		PDF EN1897A GMB01, 250mW DO-34 GMB01 GMB01U GMB01 GMB01U

    ESJA56-24

    Abstract: ESJA57-03 ESJA57-04 ESJA58-06 ESJA58-08 ESJA82-12 ESJA83-16 ESJA83-18 ESJA83-20 ESJA86-24
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    ESJA56-24

    Abstract: ESJA57-03 ESJA57-04 ESJA58-06 ESJA58-08 ESJA82-12 ESJA83-16 ESJA83-18 ESJA83-20 ESJA86-24
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    ESJA56-24

    Abstract: ESJA57-03 ESJA57-04 ESJA58-06 ESJA58-08 ESJA82-12 ESJA83-16 ESJA83-18 ESJA83-20 ESJA86-24
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    ESJA56-24

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    ESJA56-24

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    ESJA56-24

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    357B

    Abstract: ESJA56-24 ESJA57-03 ESJA57-04 ESJA58-06 ESJA58-08 ESJA82-12 ESJA83-16 ESJA83-18 ESJA83-20
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    d1684

    Abstract: C3788 c4217 d1047 c2078 C4161 D1651 D1682 k2043 K1460
    Text: Transistors Type Number SAftYO Index *:New products for FEB added. Type No. Package Page Type No. 2SA Typi T0220 2SA1011 NP Al 016,1 SPA A] 177 NP A 1207 MP Al 208 T0126 Al 209 A ’237 DP6A, B il A: 238 it A! 239 il Ax 240 NP A: 246 T0126 A: 248 h A. 249


    OCR Scan     		PDF 2SA1520 A1522 A1523 A1524 A1525 A1526 A1527 A1528 A1536 A1537 d1684 C3788 c4217 d1047 c2078 C4161 D1651 D1682 k2043 K1460

    DCC010

    Abstract: DO-35 C3 gmb01 MARKING cp6
    Text: SA0YO Q u i c k G u i d e To Small ole Ver-y Rast Swi t c h l n g Type No. Remarks :Marking High withstand Voltage Electrical Characteristics/Ta-251C Package No. General purpose VR 10 (V) (mA) (mA) IF (mA) max (V) IR max VR (V) (ßV trr max (ns) IF (mA)


    OCR Scan     		PDF Characteristics/Ta-251 DS442X GMA01 GMB01 DS446 DS462 GMA01U GMB01U GMA02 DS441 DCC010 DO-35 C3 MARKING cp6

    3FTA

    Abstract: ESJA56-24 ESJA57-03 ESJA57-04 ESJA58-06 ESJA58-08 ESJA82-12 ESJA83-16 ESJA83-18 ESJA83-20
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    ESJA56-24

    Abstract: ESJA57-03 ESJA57-04 ESJA58-06 ESJA58-08 ESJA82-12 ESJA83-16 ESJA83-18 ESJA83-20 ESJA86-24
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    ESJA56-24

    Abstract: ESJA57-03 ESJA57-04 ESJA58-06 ESJA58-08 ESJA82-12 ESJA83-16 ESJA83-18 ESJA83-20 ESJA86-24
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    ESJA56-24

    Abstract: ESJA57-03 ESJA57-04 ESJA58-06 ESJA58-08 ESJA82-12 ESJA83-16 ESJA83-18 ESJA83-20 ESJA86-24
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    20MS

    Abstract: GMB01 GMB01U
    Text: Ordering num ber : EN1897A _GMBOl.OlU N0.1897A Ä Epitaxial P lanar Type I Very High-Speed Switching Diode F e a tu re s •Glass sleeve structure • Allowable power dissipation : P = 250mW max. • Interterm inal capacitance ; c = 3.0pF max.


    OCR Scan     		PDF EN1897A 250mW DO-34 20MS GMB01 GMB01U

    DSB010

    Abstract: DS442X
    Text: SAf/YO Q u i c k G u i d e To Small afc Ver-y Fast. Swi t o h i ng Type No. Package Out 1ine No. :Marking General purpose Diodes Di o d e s Electrical Characteristics/Ta=25°C Absolute Maximum Ratings/Ta=25’C Features Signal Remarks VR 10 IFM (V) (mA)


    OCR Scan     		PDF Do-35 Do-34 Do-34S LL-34 DSB010 DS442X