TRANSISTOR K 314
Abstract: GEX06630 Q62702-P1668 Q62702-P1675 Q62702-P1755 Q62702-P1756 Q62702-P1757 Q62702-P1758
Text: SFH 314 SFH 314 FA NPN-Silizium-Fototransistor New: Silicon NPN Phototransistor SFH 314 SFH 314 FA feo06652 .Neu: Area not flat 1.8 1.2 5.9 5.5 4.0 3.4 0.6 0.4 Chip position GEX06630 feof6652 29.5 27.5 Cathode Diode Collector (Transistor) 6.9 6.1 5.7 5.5
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Original
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PDF
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feo06652
GEX06630
feof6652
OHF02340
OHF02338
OHF02342
TRANSISTOR K 314
GEX06630
Q62702-P1668
Q62702-P1675
Q62702-P1755
Q62702-P1756
Q62702-P1757
Q62702-P1758
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GEO06645
Abstract: GEX06630 OHRD1938 Q62702-P1136 Q62702-P1137 Q62702-P1139 Q62702-P296
Text: GaAs-IR-Lumineszenzdioden GaAs Infrared Emitters SFH 415 SFH 416 Cathode 29 27 7.8 7.5 5.9 5.5 4.8 4.2 Area not flat fexf6626 0.4 0.6 ø4.8 ø5.1 0.4 0.8 spacing 2.54 mm 1.8 1.2 9.0 8.2 0.6 0.4 GEO06645 Chip position Area not flat 29.5 27.5 Cathode Diode
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Original
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PDF
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fexf6626
GEO06645
fex06630
GEX06630
OHR01553
OHR00860
GEO06645
GEX06630
OHRD1938
Q62702-P1136
Q62702-P1137
Q62702-P1139
Q62702-P296
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter SFH 495 P SFH 4552 SFH 495 P SFH 4552 Wesentliche Merkmale • Stimulierter Emitter mit sehr hohem Wirkungsgrad • Laserdiode in diffusem Gehäuse • Besonders geeignet für Impulsbetrieb bei hohen Strömen
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Original
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PDF
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GEX06971
GEX06630
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214 opto
Abstract: GEX06630 Q62702-P1672 Q62702-P922
Text: Silizium-PIN-Fotodiode mit sehr kurzer Schaltzeit Silicon PIN Photodiode with Very Short Switching Time SFH 214 SFH 214 FA SFH 214 SFH 214 FA Wesentliche Merkmale • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm SFH 214 und bei 880 nm (SFH 214 FA)
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Original
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PDF
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OHR00883
OHF01026
GEX06630
214 opto
GEX06630
Q62702-P1672
Q62702-P922
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SFH 314
Abstract: Q62702-P1668 Q62702-P1675 Q62702-P1755 Q62702-P1756 Q62702-P1757 Q62702-P1758 TRANSISTOR K 314
Text: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor SFH 314 SFH 314 FA SFH 314 SFH 314 FA Wesentliche Merkmale • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 460 nm bis 1080 nm SFH 314 und bei 880 nm (SFH 314 FA) • Hohe Linearität • 5 mm-Plastikbauform
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Original
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OHF02342
GEX06630
SFH 314
Q62702-P1668
Q62702-P1675
Q62702-P1755
Q62702-P1756
Q62702-P1757
Q62702-P1758
TRANSISTOR K 314
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TRANSISTOR K 314
Abstract: foto transistor SFH 314 phototransistor 500-600 nm GEX06630 Q62702-P1668 Q62702-P1675 Q62702-P1755 Q62702-P1756 Q62702-P1757
Text: SFH 314 SFH 314 FA NPN-Silizium-Fototransistor New: Silicon NPN Phototransistor Area not flat 6.9 6.1 5.7 5.5 5.9 5.5 1.8 1.2 29.5 27.5 Cathode Diode Collector (Transistor) ø5.1 ø4.8 0.8 0.4 2.54 mm spacing 0.6 0.4 SFH 314 SFH 314 FA feo06652 .Neu: 4.0
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Original
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PDF
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feo06652
GEX06630
feof6652
OHF02340
OHF02338
OHF02342
TRANSISTOR K 314
foto transistor
SFH 314
phototransistor 500-600 nm
GEX06630
Q62702-P1668
Q62702-P1675
Q62702-P1755
Q62702-P1756
Q62702-P1757
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transistor 495
Abstract: GEX06630 GEX06971 Q62702-P5054 OHF00328 SFH495P
Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter SFH 495 P SFH 4552 SFH 495 P SFH 4552 Wesentliche Merkmale Features • Stimulierter Emitter mit sehr hohem Wirkungsgrad • Laserdiode in diffusem Gehäuse • Besonders geeignet für Impulsbetrieb bei hohen Strömen
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Original
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PDF
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GEX06971
GEX06630
transistor 495
GEX06630
GEX06971
Q62702-P5054
OHF00328
SFH495P
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transistor 415
Abstract: GEO06645 GEX06630 OHRD1938 Q62702-P1136 Q62702-P1137 Q62702-P1139 Q62702-P296 transistor sr 61
Text: GaAs-IR-Lumineszenzdioden GaAs Infrared Emitters SFH 415 SFH 416 Cathode 29 27 7.8 7.5 5.9 5.5 4.8 4.2 Area not flat 0.6 0.4 fexf6626 0.4 0.6 ø4.8 ø5.1 0.4 0.8 spacing 2.54mm 1.8 1.2 9.0 8.2 GEO06645 Chip position Approx. weight 0.2 g 5.9 5.5 0.6 0.4 4.0
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Original
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fexf6626
GEO06645
GEX06630
fex06630
OHR01553
OHR00860
transistor 415
GEO06645
GEX06630
OHRD1938
Q62702-P1136
Q62702-P1137
Q62702-P1139
Q62702-P296
transistor sr 61
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transistor 415
Abstract: MARKING 416 OPTO OHRD1938 Q62702-P1137 Q62702-P1139 Q62702-P296 SFH 960
Text: GaAs-IR-Lumineszenzdioden GaAs Infrared Emitters SFH 415 SFH 416 SFH 415 SFH 416 Wesentliche Merkmale • GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger • SFH 415: Gehäusegleich mit SFH 300,
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Original
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stea01-01
GEO06645
GEX06630
transistor 415
MARKING 416 OPTO
OHRD1938
Q62702-P1137
Q62702-P1139
Q62702-P296
SFH 960
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter 5.0 4.2 Anode 5.9 5.5 ø5.1 ø4.8 2.54 mm spacing 0.6 0.4 0.8 0.4 29 27 SFH 495 P SFH 4552 3.85 3.35 0.6 0.4 Area not flat fex06971 1.8 1.2 Chip position GEX06971 Area not flat 29.5 27.5 Cathode Diode Collector (Transistor)
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Original
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GEX06971
GEX06630
OHF00328
OHF00329
OHF00330
OHF00441
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80 ESP 12
Abstract: GEX06630 GEX06971 Q62702-P5054 Q62703-Q7891 OHF00329 transistor sr 61
Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter 5.0 4.2 Anode 5.9 5.5 ø5.1 ø4.8 2.54 mm spacing 0.6 0.4 0.8 0.4 29 27 SFH 495 P SFH 4552 3.85 3.35 0.6 0.4 Area not flat fex06971 1.8 1.2 Chip position GEX06971 Area not flat 29.5 27.5 Cathode Diode Collector (Transistor)
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Original
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fex06971
GEX06971
feo06652
GEX06630
OHF00328
OHF00329
OHF00330
OHF00441
80 ESP 12
GEX06630
GEX06971
Q62702-P5054
Q62703-Q7891
OHF00329
transistor sr 61
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: SIEMENS Neu: NPN-Silizium-Fototransistor New: Silicon NPN Phototransistor SFH 314 SFH 314 FA Area not flat 5.9 5.5 JX6 0.4 GEX06630 Collector Transistor Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/D im ensions in mm, unless otherw ise specified. Wesentliche Merkmale
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GEX06630
SFH314
sensitivitySFH314FA,
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: SIEMENS GaAs-IR-Lumineszenzdioden GaAs Infrared Emitters SFH415 SFH 416 Area not flat o Cathode Diode Collector (Transistor) CO (O (O o X 0) GEX06630 Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. W esentliche Merkmale
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SFH415
GEX06630
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: SIEMENS Neu: Silizium-PIN-Fotodiode mit sehr kurzer Schaltzeit New: Silicon PIN Photodiode with Very Short Switching Time SFH 214 SFH 214 FA Area not flat c\l in CD CD oo CD Cathode Diode GEX06630 Collector (Transistor) CM Ifi CD CO 'S CD Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
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GEX06630
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a850
Abstract: N70a GEX06630
Text: SIEMENS SFH214 SFH214FA Very Short Switching Time Silicon NPN Photodiode Dimensions in inches mm A rea r>o< flat 100(2 54 ) icing CW hode (D iode) > C ottectof (Trarmiator) FEATURES • Especially suitable for application« - SFH 214:440 nm to 1100 ran - SFH214FA: 880nm
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SFH214
SFH214FA
GEX06630
SFH214FA:
880nm
SFH214/FA
a850
N70a
GEX06630
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