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    GERMANIUM TRANSISTOREN V Search Results

    GERMANIUM TRANSISTOREN V Result Highlights (5)

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    GERMANIUM TRANSISTOREN V Datasheets Context Search

    Catalog Datasheet MFG & Type PDF Document Tags

    DCA50e

    Abstract: DCA50 germanium transistors NPN 6F22 MN1604 SK17 germanium transistoren
    Text: DCA50e Komponenten-Analysator erweitert Hergestellt in Großbritannien. Peak Electronic Design Ltd. Atlas House, Kiln Lane, Harpur Ind. Est, Buxton, SK17 9JL, U.K. Einleitung Der DCA50e KomponentenAnalysator ist ein zukunftsweisendes Instrument, das eine Vielzahl von


    Original     		PDF DCA50e DCA50e DCA50 germanium transistors NPN 6F22 MN1604 SK17 germanium transistoren

    Asy transistor

    Abstract: ASY 15 asy70 Asy 00 ASY48-V germanium transistor asy Q62901-B1 semix igbt GAL ASY50 ASY48
    Text: ASY48 A SY 70 PNP-Transistoren für Schalteranwendungen A S Y 48 und A S Y 70 sind legierte PNP-Germanium-Transistoren im Gehäuse 1 A 3 DIN 41871 TO-1 ähnl. . Die Anschlüsse sind vom Gehäuse elektrisch isoliert. Der Kollektoranschluß wird mit einem roten Punkt am Gehäuserand gekennzeichnet. Die Transistoren sind besonders


    OCR Scan     		PDF Q60118-Y48- Q60118-Y48- Q60118-Y70- Q62901-B1 Asy transistor ASY 15 asy70 Asy 00 ASY48-V germanium transistor asy Q62901-B1 semix igbt GAL ASY50 ASY48

    103MA

    Abstract: Q62901-B1 transistor ACY PNP Q60103-Y32-F ACY 23 V legiert
    Text: ACY 23 ACY 32 PIVIF’-Transistoren fü r NF-Vorstufen ACY 23 und ACY 32 sind legierte PNP-Germanium-Transistoren im Gehäuse 1 A 3 DIN 41 871 TO-1 ähnl. . Die Anschlüsse sind vom Gehäuse elektrisch isoliert. Der Kollektoranschluß wird mit einem roten Punkt am Gehäuserand gekennzeichnet. Die Transistoren sind besonders


    OCR Scan     		PDF Q60I03-Y23-E Q60I03-Y23-F Q60130-Y32-E Q60103-Y32-F Q62901-B1 /ACY32 101mA 103MA Q62901-B1 transistor ACY PNP Q60103-Y32-F ACY 23 V legiert

    AUY 10

    Abstract: AUY19 legiert Q62901-B11-A pnptransistor W130 AUY20V PNP-Germanium
    Text: PNP-Transistoren für Schalteranw endungen bis 3 A A U Y 19 A U Y 20 A U Y 19, A U Y 20 sind legierte PNP-Germanium-Transistoren im Gehäuse 3 A 2 DIN 41872 T O -3 . Der Kollektor ist mit dem Gehäuse elektrisch verbunden. Die Transistoren sind besonders für den Einsatz als NF-Leistungsschalter geeignet.


    OCR Scan     		PDF Q62901-B11-A Q62901-B13-B Q60120-Y19-C Q62901-B13-B Q60120-Y19-D Q62901-B11-A AUY19 Q60120-Y19-E Q60120-Y20-C Q60120-Y20-D AUY 10 legiert pnptransistor W130 AUY20V PNP-Germanium

    UL224D30

    Abstract: UB880D radio fernsehen elektronik selen-gleichrichter L6516DG15 selengleichrichter L224D U6516dg bauelemente Kombinat D74LS999DK U6516D L6516DG15
    Text: Typbezeichnung u nd K ennzeichnung von H alb le iterb a u e lem e n te n Dipl.-Ing. PETER H A N D R A C K Mitteilung aus dem V EB Kombinat Mikroelektronik Erfurt Ziel der Überarbeitung der TGL 38015 war es, sowohl die bei der A rbeit m it der beste­ henden Ausgabe gewonnenen Erfahrungen


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    keramische Werke Hermsdorf

    Abstract: Mischstufen VEB Keramische Werke OA741 OA645 OA625 hermsdorf OA665 neue halbleiterbauelemente Amateur
    Text: HalbleiterBauelemente Dioden Germanium dioden Type Durchlaß­ spannung U a k IVI Durchlaß­ strom Sperr­ spannung lA K l m A l U k a |V| Sperrstrom IKA li'AI max. zuläss. Sperr­ spannung jEä max. zuass. Durchlaß­ strom UKAma* IVI ^AKmax !mAl Bau­


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    Halbleiterbauelemente DDR

    Abstract: information applikation mikroelektronik Heft 12 information applikation mikroelektronik applikation heft VEB mikroelektronik mikroelektronik DDR Mikroelektronik Information Applikation mikroelektronik Heft "Mikroelektronik" Heft
    Text: r ï n i k a r ^ e l e l - c Information Applikation t e n a n î l - c m [ n r L ü ^ i s i î s t e k t e n a r i i k Information Applikation HEFT 3 4 : H A LBLEITER V EN TILE und LEISTU N GSELEKTRO N IK v»bmikrooloVtronîk.kartItebknefchtiBtfthnnddtf imvobNombinfttmitiroeloktronik


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    GY 123

    Abstract: SY 170 gd 241 c gd241c funkamateur sy 166 sy 164 VSF203 VSF200 SF 127
    Text: Preisliste für Halbleiterbauelemente gültig ab 18. November 1969 Type EVP alt M ark EVP neu M ark Germanium- und Silizium-Gleichrichter GY 099 GY 100 GY 101 GY 102 GY 103 GY 104 GY 105 GY 109 GY 110 GY 111 GY 112 GY 113 GY 114 GY 115 GY 120 GY 121 GY 122


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    bpx28

    Abstract: Germanium diode OA 182 TAA920 fy sot 143 BSV57B AC187K BPW14 BF194 AD 161 BPX34
    Text: Halbleiter TELE FUN KEN Übersicht Sem iconductor survey 1972/1973 B2/V.3.20/0872 D ie s e Liste soll die W ahl g ee ig n e te r H albleiter-Typen fü r die verschiedenen A n w en du ng szw ecke e rleich te rn . Z ur besseren Ü b e rs ic h t sind nur die w e se ntlich en D aten


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    Halbleiterbauelemente DDR

    Abstract: BEL 639 transistor Sowjetische Halbleiter-Bauelemente KBC111 k4213 Germanium Transistor katalog radio fernsehen elektronik elektronik DDR KT904 KT372
    Text: K a ta lo g sowjetischer H albleiterbauelem ente Si« linden im K a t a lo g t e il : Der hiermit unseren Lesern vorgelegte Katalog sowjetischer Transistoren, Dioden und integrierter Schaltkreise ist das Resultat enger Zusammen­ arbeit zwischen dem VEB Elektronikhandel Berlin und der Redaktion der


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    a210k

    Abstract: Mikroelektronik Heft "Mikroelektronik" Heft information applikation mikroelektronik mikroelektronik Heft 12 A211D A209K VEB mikroelektronik mikroelektronik DDR IC A211D
    Text: INFORMATION APPLIKATIO N MIKROELEKTRONIK In fo r m a tio n - Applikation Die monolithisch integrierten N F-V erstärker A 210D A210K A211D Eigenschaften und ! Anwendung Mikroelektronik Heft 1 veb haîbîeîterwerk frankfurt/oder l e i t b e t r i e b im v e b k o m b i n a t m ik r o e le k t r o n ik


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    MP21E

    Abstract: sowjetische transistoren MP21D UdSSR KT904 ASZ16 KT315 OC1072 Transistoren DDR asz1015
    Text: electronic Sowjetische Transistoren I n h a l t s v e r z e i c h n i s V o rw o rt K u rz c h a ra lc te rls tlk - G e rm a n iu n tra n s is to re n - S illz lu m tra n s ito re n S t a a t l i c h e r S ta n d a r d d e s S y ste m s f ü r d i e B e z e ic h n u n g d e r H a l b l e i t e r b a u e l e u e n t e d e r UdSSR


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    2T6551

    Abstract: information applikation information applikation mikroelektronik mikroelektronik Heft KD 605 KT825 transistoren KT 960 A Mikroelektronik Information Applikation KT827 mikroelektronik DDR
    Text: im S l^ is B le l- c t s n o r iil- c Information Informations- und Applikationshefte „ M IK R O E L E K T R O N IK " Bisher ersch ien en : Heft Heft Heft Heft Heft Heft Heft 1: 2: 3: 4: 5: 6: 7: A 210 und 211 A 301 A 290 A 202 A 244 und A281 Importbauelem ente RGW „IS"


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