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    850 nm LED

    Abstract: GEOY6647 Q62702-P129 S8050
    Text: Silizium-PIN-Fotodiode Silicon PIN Photodiode SFH 206 K Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm • Kurze Schaltzeit typ. 20 ns • 5-mm-Plastikbauform im LED-Gehäuse • Auch gegurtet lieferbar


    Original
    PDF Q62702-P129 850 nm LED GEOY6647 Q62702-P129 S8050

    TRANSISTOR SMD MARKING CODE 3401

    Abstract: Q65110A6342 TRANSISTOR SMD MARKING CODE 702 fototransistor BPW 39 SFH415U sidelooker smd DIODE transistor smd 3401 SFH 4740 LPT80 BPY62
    Text: Silicon Photodetectors, Optical Sensors and Infrared Emitters Si-Fotodetektoren, Optische Sensoren und IR-Lumineszenzdioden 107 Silicon Photodetectors, Optical Sensors and Infrared Emitters Si-Fotodetektoren, Optische Sensoren und IR-Lumineszenzdioden. 111


    Original
    PDF GEMY6050 TRANSISTOR SMD MARKING CODE 3401 Q65110A6342 TRANSISTOR SMD MARKING CODE 702 fototransistor BPW 39 SFH415U sidelooker smd DIODE transistor smd 3401 SFH 4740 LPT80 BPY62

    Q62702-P129

    Abstract: GEOY6647 S8050
    Text: Silizium-PIN-Fotodiode Silicon PIN Photodiode SFH 206 K Wesentliche Merkmale • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm • Kurze Schaltzeit typ. 20 ns • 5-mm-Plastikbauform im LED-Gehäuse • Auch gegurtet lieferbar Features


    Original
    PDF OHF01402 GEOY6647 Q62702-P129 GEOY6647 S8050

    STR G 8654

    Abstract: A673 transistor transistor A673 transistor Bu 45080 TT 2188 mx 362-0 TRANSISTOR SMD MARKING CODE 3401 diode BZW 70-20 sfh 202 diode 3302 81a ir receiver
    Text: Foreword Foreword Foreword Vorwort The information in this catalog is correct as of March 2011. Die Angaben in diesem Katalog entsprechen dem Stand März 2011. All products listed in this catalog are RoHS compliant, a fact that will be explicitly noted in the respective data sheet. For up-to-date


    Original
    PDF

    GEOY6647

    Abstract: OHLY0598 S8050
    Text: Silizium-PIN-Fotodiode Silicon PIN Photodiode Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 206 K Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm • Kurze Schaltzeit (typ. 20 ns) • 5-mm-Plastikbauform im LED-Gehäuse


    Original
    PDF Q62702P0129 GEOY6647 OHLY0598 S8050

    Untitled

    Abstract: No abstract text available
    Text: 2014-01-10 Silicon PIN Photodiode Silizium-PIN-Fotodiode Version 1.1 SFH 206 K Features: Besondere Merkmale: • Especially suitable for applications from 400 nm to 1100 nm • Short switching time typ. 20 ns • 5 mm LED plastic package • Also available on tape and reel


    Original
    PDF D-93055

    GEOY6647

    Abstract: OHLY0598
    Text: Silizium-PIN-Fotodiode Silicon PIN Photodiode Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 206 K Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm • Kurze Schaltzeit (typ. 20 ns) • 5-mm-Plastikbauform im LED-Gehäuse


    Original
    PDF Q62702P0129 GEOY6647 OHLY0598

    TRANSISTOR SMD MARKING CODE 3401

    Abstract: DIODE B-10 TRANSISTOR SMD MARKING CODE 702 TRANSISTOR SMD MARKING CODE r28 TRANSISTOR SMD MARKING CODE NM SFH4450 GEOY6969 SFH 4232 SFH 4740 702 transistor smd code
    Text: Infrared Components ge 88 - 92 107 108 Infrared Components Summary of Types Silicon Photodetectors For moreComponents Infrared detailed product Summary information of Types andSilicon technical Photodetectors datasheets, please visit http://catalog.osram-os.com


    Original
    PDF GEXY6713 TRANSISTOR SMD MARKING CODE 3401 DIODE B-10 TRANSISTOR SMD MARKING CODE 702 TRANSISTOR SMD MARKING CODE r28 TRANSISTOR SMD MARKING CODE NM SFH4450 GEOY6969 SFH 4232 SFH 4740 702 transistor smd code

    diode 9306

    Abstract: FA 4301 SFH 9500 SFH 5110 bpx 48 BP104 SFH 4552 SFH9240 GEOY6972 GPXY6992
    Text: SI-FOTODETEKTOREN, OPTISCHE SENSOREN UND IR-LUMINESZENZDIODEN SILICON PHOTODETECTORS, OPTICAL SENSORS AND INFRARED EMITTERS Maßbilder in mm inch Outline Drawings dimensions in mm (inch) 0.6 (0.024) 0.4 (0.016) SFH 5110, SFH 5111 Figure 2 6.1 (0.240) 5.9 (0.232)


    Original
    PDF GETY6091 GPLY6899 GPLY6880 diode 9306 FA 4301 SFH 9500 SFH 5110 bpx 48 BP104 SFH 4552 SFH9240 GEOY6972 GPXY6992

    fototransistor BPW 39

    Abstract: fototransistor BPX 81 opto P180 marking s4 diode smt SFH 300-3/4 datasheet OSRAM IR emitter IRL P3596 foto transistor SFH 229 foto sensor
    Text: SI-FOTODETEKTOREN, OPTISCHE SENSOREN UND IR-LUMINESZENZDIODEN SILICON PHOTODETECTORS, OPTICAL SENSORS AND INFRARED EMITTERS SICHERHEITSHINWEISE SAFETY INSTRUCTIONS Osram Opto Semiconductor IRED erreichen mit ihrer hohen Strahlungsleistung heute z. T. bereits die Helligkeit von Glühlampen und können die Grenzen der Klasse 1 nach IEC 825.1 bzw.


    Original
    PDF EN60825-1 GETY6091 GPLY6899 GPLY6880 fototransistor BPW 39 fototransistor BPX 81 opto P180 marking s4 diode smt SFH 300-3/4 datasheet OSRAM IR emitter IRL P3596 foto transistor SFH 229 foto sensor

    Untitled

    Abstract: No abstract text available
    Text: 2007-03-30 Silicon PIN Photodiode Silizium-PIN-Fotodiode Version 1.0 SFH 206 K Features: Besondere Merkmale: • Especially suitable for applications from 400 nm to 1100 nm • Short switching time typ. 20 ns • 5 mm LED plastic package • Also available on tape and reel


    Original
    PDF 20isches D-93055