Q62702P0956
Abstract: sfh203fa SFH203 RoHS SFH203
Text: Silizium-PIN-Fotodiode Silicon PIN Photodiode Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 203 SFH 203 FA SFH 203 SFH 203 FA Wesentliche Merkmale Features • Wellenlängenbereich (S10%) 400nm bis 1100nm (SFH203) und 750nm bis 1100nm (SFH203FA) • Kurze Schaltzeit (typ. 5 ns)
|
Original
|
PDF
|
400nm
1100nm
SFH203)
750nm
SFH203FA)
203FA)
Q62702P0955
Q62702P0956
sfh203fa
SFH203 RoHS
SFH203
|
OHRD1938
Abstract: Q62702-P1137
Text: GaAs-IR-Lumineszenzdioden GaAs Infrared Emitters Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 415 Wesentliche Merkmale Features • • • • GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Hohe Zuverlässigkeit UL Version erhältlich Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger
|
Original
|
PDF
|
|
OHRD1938
Abstract: Q62702-P1137 Q62702-P1139 Q62702-P296
Text: GaAs-IR-Lumineszenzdioden GaAs Infrared Emitters SFH 415 SFH 416 SFH 415 SFH 416 Wesentliche Merkmale Features • GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger • SFH 415: Gehäusegleich mit SFH 300,
|
Original
|
PDF
|
|
transistor 415
Abstract: OHRD1938 Q62702-P1137 Q62702-P1139 Q62702-P296
Text: GaAs-IR-Lumineszenzdioden GaAs Infrared Emitters SFH 415 SFH 416 SFH 415 SFH 416 Wesentliche Merkmale • GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger • SFH 415: Gehäusegleich mit SFH 300,
|
Original
|
PDF
|
GEOY6645
GEXY6630
transistor 415
OHRD1938
Q62702-P1137
Q62702-P1139
Q62702-P296
|
TRANSISTOR SMD MARKING CODE 3401
Abstract: Q65110A6342 TRANSISTOR SMD MARKING CODE 702 fototransistor BPW 39 SFH415U sidelooker smd DIODE transistor smd 3401 SFH 4740 LPT80 BPY62
Text: Silicon Photodetectors, Optical Sensors and Infrared Emitters Si-Fotodetektoren, Optische Sensoren und IR-Lumineszenzdioden 107 Silicon Photodetectors, Optical Sensors and Infrared Emitters Si-Fotodetektoren, Optische Sensoren und IR-Lumineszenzdioden. 111
|
Original
|
PDF
|
GEMY6050
TRANSISTOR SMD MARKING CODE 3401
Q65110A6342
TRANSISTOR SMD MARKING CODE 702
fototransistor BPW 39
SFH415U
sidelooker smd DIODE
transistor smd 3401
SFH 4740
LPT80
BPY62
|
Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: IR-Lumineszenzdiode Infrared Emitter Lead Pb Free Product - RoHS Compliant LD 271 LD 271 H LD 271 L LD 271 LH Wesentliche Merkmale Features • • • • • • • • • • • • GaAs-LED in 5mm radial-Gehäuse Typische Peakwellenlänge 950nm Hohe Zuverlässigkeit
|
Original
|
PDF
|
950nm
|
Q62702P0956
Abstract: 850 nm LED GEOY6645 OHLY0598
Text: Silizium-PIN-Fotodiode mit sehr kurzer Schaltzeit Silicon PIN Photodiode with Very Short Switching Time Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 203 SFH 203 FA SFH 203 SFH 203 FA Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich
|
Original
|
PDF
|
|
STR G 8654
Abstract: A673 transistor transistor A673 transistor Bu 45080 TT 2188 mx 362-0 TRANSISTOR SMD MARKING CODE 3401 diode BZW 70-20 sfh 202 diode 3302 81a ir receiver
Text: Foreword Foreword Foreword Vorwort The information in this catalog is correct as of March 2011. Die Angaben in diesem Katalog entsprechen dem Stand März 2011. All products listed in this catalog are RoHS compliant, a fact that will be explicitly noted in the respective data sheet. For up-to-date
|
Original
|
PDF
|
|
LD271LH
Abstract: ld271
Text: 2007-04-04 GaAs Infrared Emitter GaAs-IR-Lumineszenzdiode Version 1.0 LD 271, LD 271 H, LD 271 L, LD 271 LH Features: • • • • • • Besondere Merkmale: GaAs-LED in 5mm radial package T 1 3/4 Typical peak wavelength 950nm High reliability Available with two different lead lengths
|
Original
|
PDF
|
950nm
D-93055
LD271LH
ld271
|
Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: GaAs-IR-Lumineszenzdioden GaAs Infrared Emitters Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 415 Wesentliche Merkmale Features • GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger • SFH 415: Gehäusegleich mit SFH 300,
|
Original
|
PDF
|
|
4516-U
Abstract: 4516U Q65111A0380 GEOY6645 OHRD1938 SFH4516
Text: GaAs-IR-Lumineszenzdioden GaAs Infrared Emitters Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 4516 Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale Features • • • • • • • • GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Hohe Zuverlässigkeit
|
Original
|
PDF
|
|
Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter LD 271 LD 271 H LD 271 L LD 271 HL Wesentliche Merkmale • GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger • Gehäusegleich mit SFH 300, SFH 203
|
Original
|
PDF
|
GEXY6239
GEOY6645
|
Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: IR-Lumineszenzdiode Infrared Emitter LD 271 LD 271 H LD 271 L LD 271 LH Wesentliche Merkmale Features • • • • • • • • • • • • GaAs-LED in 5mm radial-Gehäuse Typische Peakwellenlänge 950nm Hohe Zuverlässigkeit Mit verschiedenen Beinchenlängen lieferbar
|
Original
|
PDF
|
950nm
|
tc 4516
Abstract: 4516-U sfh4516
Text: 2011-03-14 GaAs Infrared Emitters GaAs-IR-Lumineszenzdioden Version 1.0 SFH 4516 Features: • • • • Besondere Merkmale: Good spectral match with silicon photodetectors UL version available High reliability Very highly efficient GaAs-LED • • •
|
Original
|
PDF
|
D-93055
tc 4516
4516-U
sfh4516
|
|
|
diode 9306
Abstract: FA 4301 SFH 9500 SFH 5110 bpx 48 BP104 SFH 4552 SFH9240 GEOY6972 GPXY6992
Text: SI-FOTODETEKTOREN, OPTISCHE SENSOREN UND IR-LUMINESZENZDIODEN SILICON PHOTODETECTORS, OPTICAL SENSORS AND INFRARED EMITTERS Maßbilder in mm inch Outline Drawings dimensions in mm (inch) 0.6 (0.024) 0.4 (0.016) SFH 5110, SFH 5111 Figure 2 6.1 (0.240) 5.9 (0.232)
|
Original
|
PDF
|
GETY6091
GPLY6899
GPLY6880
diode 9306
FA 4301
SFH 9500
SFH 5110
bpx 48
BP104
SFH 4552
SFH9240
GEOY6972
GPXY6992
|
fototransistor BPW 39
Abstract: fototransistor BPX 81 opto P180 marking s4 diode smt SFH 300-3/4 datasheet OSRAM IR emitter IRL P3596 foto transistor SFH 229 foto sensor
Text: SI-FOTODETEKTOREN, OPTISCHE SENSOREN UND IR-LUMINESZENZDIODEN SILICON PHOTODETECTORS, OPTICAL SENSORS AND INFRARED EMITTERS SICHERHEITSHINWEISE SAFETY INSTRUCTIONS Osram Opto Semiconductor IRED erreichen mit ihrer hohen Strahlungsleistung heute z. T. bereits die Helligkeit von Glühlampen und können die Grenzen der Klasse 1 nach IEC 825.1 bzw.
|
Original
|
PDF
|
EN60825-1
GETY6091
GPLY6899
GPLY6880
fototransistor BPW 39
fototransistor BPX 81
opto P180
marking s4 diode smt
SFH 300-3/4 datasheet
OSRAM IR emitter IRL
P3596
foto transistor
SFH 229
foto sensor
|
ms 415
Abstract: design opto interrupter OHRD1938 Q62702-P1137
Text: GaAs-IR-Lumineszenzdioden GaAs Infrared Emitters Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 415 Wesentliche Merkmale Features • GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger • SFH 415: Gehäusegleich mit SFH 300,
|
Original
|
PDF
|
|
Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: GaAs-IR-Lumineszenzdioden GaAs Infrared Emitters SFH 415 SFH 416 SFH 415 SFH 416 Wesentliche Merkmale Features • GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger • SFH 415: Gehäusegleich mit SFH 300,
|
Original
|
PDF
|
415-U
416-R
Q62702-P296
Q62702-P1137
Q62702-P1139
|
data sheet ld 271
Abstract: ir dimmer circuits ir led datasheet hi-fi system touch dimmer IR 5MM LED OPTO LD 271 H A 69258 colour tv circuit OHRD1938
Text: IR-Lumineszenzdiode Infrared Emitter Lead Pb Free Product - RoHS Compliant LD 271 LD 271 H LD 271 L LD 271 LH Wesentliche Merkmale Features • • • • • • • • • • • • GaAs-LED in 5mm radial-Gehäuse Typische Peakwellenlänge 950nm Hohe Zuverlässigkeit
|
Original
|
PDF
|
950nm
data sheet ld 271
ir dimmer circuits
ir led datasheet
hi-fi system
touch dimmer
IR 5MM LED
OPTO LD 271 H
A 69258
colour tv circuit
OHRD1938
|
850 nm LED
Abstract: sfh203fa GEOY6645 Q62702-P955 Q62702-P956
Text: Silizium-PIN-Fotodiode mit sehr kurzer Schaltzeit Silicon PIN Photodiode with Very Short Switching Time SFH 203 SFH 203 FA SFH 203 SFH 203 FA Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm SFH 203 und bei
|
Original
|
PDF
|
|
GEOY6645
Abstract: Q62702-P955 Q62702-P956 SFH203FA
Text: Silizium-PIN-Fotodiode mit sehr kurzer Schaltzeit Silicon PIN Photodiode with Very Short Switching Time SFH 203 SFH 203 FA SFH 203 SFH 203 FA Wesentliche Merkmale • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm SFH 203 und bei 880 nm (SFH 203 FA)
|
Original
|
PDF
|
GEOY6645
GEOY6645
Q62702-P955
Q62702-P956
SFH203FA
|
Q62702P0955
Abstract: 850 nm LED GEOY6645 OHLY0598 Q62702P0956
Text: Silizium-PIN-Fotodiode mit sehr kurzer Schaltzeit Silicon PIN Photodiode with Very Short Switching Time Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 203 SFH 203 FA SFH 203 SFH 203 FA Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich
|
Original
|
PDF
|
|
GEXY6239
Abstract: OHRD1938 LD271 Q62703Q0838
Text: IR-Lumineszenzdiode Infrared Emitter Lead Pb Free Product - RoHS Compliant LD 271 LD 271 H LD 271 L LD 271 LH Wesentliche Merkmale Features • • • • • • • • • • • • GaAs-LED in 5mm radial-Gehäuse Typische Peakwellenlänge 950nm Hohe Zuverlässigkeit
|
Original
|
PDF
|
950nm
GEXY6239
OHRD1938
LD271
Q62703Q0838
|
GEXY6239
Abstract: OHRD1938 Q62703-Q148 Q62703-Q256 Q62703-Q833 Q62703-Q838
Text: IR-Lumineszenzdiode Infrared Emitter LD 271 LD 271 H LD 271 L LD 271 LH Wesentliche Merkmale Features • • • • • • • • • • • • GaAs-LED in 5mm radial-Gehäuse Typische Peakwellenlänge 950nm Hohe Zuverlässigkeit Mit verschiedenen Beinchenlängen lieferbar
|
Original
|
PDF
|
950nm
GEXY6239
OHRD1938
Q62703-Q148
Q62703-Q256
Q62703-Q833
Q62703-Q838
|