BPX65
Abstract: Q62702-P784 BPX osram BPX-65 sfh 291 tci 571 OHRD1938 Q62702-P787 Q62702-P790 Q62702-P96
Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter SFH 400, SFH 401, SFH 402 SFH 400 SFH 401 SFH 402 Wesentliche Merkmale Features • Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren • Kathode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an
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TRANSISTOR SMD MARKING CODE 3401
Abstract: Q65110A6342 TRANSISTOR SMD MARKING CODE 702 fototransistor BPW 39 SFH415U sidelooker smd DIODE transistor smd 3401 SFH 4740 LPT80 BPY62
Text: Silicon Photodetectors, Optical Sensors and Infrared Emitters Si-Fotodetektoren, Optische Sensoren und IR-Lumineszenzdioden 107 Silicon Photodetectors, Optical Sensors and Infrared Emitters Si-Fotodetektoren, Optische Sensoren und IR-Lumineszenzdioden. 111
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GEMY6050
TRANSISTOR SMD MARKING CODE 3401
Q65110A6342
TRANSISTOR SMD MARKING CODE 702
fototransistor BPW 39
SFH415U
sidelooker smd DIODE
transistor smd 3401
SFH 4740
LPT80
BPY62
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: GaAlAs-Lumineszenzdioden 880 nm GaAlAs Infrared Emitters (880 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 480, SFH 4811), SFH 482 SFH 480 SFH 481: Nicht für Neuentwicklungen Not for new design Wesentliche Merkmale Features • • • • • • •
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880nm
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it 401 a
Abstract: Q62702P0097
Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 400, SFH 401,SFH 402 SFH 400 SFH 401 SFH 402 Wesentliche Merkmale Features • Kathode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: GaAlAs-Lumineszenzdioden 880 nm GaAlAs Infrared Emitters (880 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 480, SFH 4811), SFH 482 SFH 480 SFH 481: Nicht für Neuentwicklungen Not for new design Wesentliche Merkmale Features • • • • • • •
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880nm
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: GaAlAs-Lumineszenzdioden 880 nm GaAlAs Infrared Emitters (880 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 480, SFH 481, SFH 482 SFH 480 SFH 481: Nicht für Neuentwicklungen Not for new design Wesentliche Merkmale Features • • • • • • •
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880nm
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STR G 8654
Abstract: A673 transistor transistor A673 transistor Bu 45080 TT 2188 mx 362-0 TRANSISTOR SMD MARKING CODE 3401 diode BZW 70-20 sfh 202 diode 3302 81a ir receiver
Text: Foreword Foreword Foreword Vorwort The information in this catalog is correct as of March 2011. Die Angaben in diesem Katalog entsprechen dem Stand März 2011. All products listed in this catalog are RoHS compliant, a fact that will be explicitly noted in the respective data sheet. For up-to-date
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Q62702P0097
Abstract: GEOY6314 OHRD1938 BPY 62
Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 400 SFH 401 SFH 400 SFH 401 Wesentliche Merkmale Features • Kathode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an
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GEOY6314
Abstract: OHLY0598 395nm 4840
Text: UV-Lumineszensdiode UV Light Emitting Diode Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 4840 Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale Features • • • • • • • • UV-LED mit Emissionswellenlänge 395nm Enger Abstrahlwinkel Hermetisch dichtes Gehäuse
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395nm
MIL-STD-883E
GEOY6314
OHLY0598
395nm
4840
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emit 480
Abstract: SFH482
Text: 2012-01-19 GaAlAs Infrared Emitters 880 nm GaAlAs-Lumineszenzdioden (880 nm) Version 1.0 SFH 480, SFH 482 SFH 480 SFH 482 Features: Besondere Merkmale: • Typical peak wavelength 880nm • Hermetically sealed package • Same package as SFH 216 • Typische Peakwellenlänge 880nm
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880nm
D-93055
emit 480
SFH482
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Fotodiode
Abstract: GEOY6314 Q62702-P936
Text: Silizium-PIN-Fotodiode mit sehr kurzer Schaltzeit Silicon PIN Photodiode With Very Short Switching Time SFH 216 Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 350 nm bis 1100 nm • Kurze Schaltzeit typ. 5 ns • Hermetisch dichte Metallbauform (TO-18)
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Q62702-P936
Fotodiode
GEOY6314
Q62702-P936
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OHRD1938
Abstract: No abstract text available
Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 400, SFH 401,SFH 402 SFH 400 SFH 401 SFH 402 Wesentliche Merkmale Features • Kathode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an
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TRANSISTOR SMD MARKING CODE 3401
Abstract: DIODE B-10 TRANSISTOR SMD MARKING CODE 702 TRANSISTOR SMD MARKING CODE r28 TRANSISTOR SMD MARKING CODE NM SFH4450 GEOY6969 SFH 4232 SFH 4740 702 transistor smd code
Text: Infrared Components ge 88 - 92 107 108 Infrared Components Summary of Types Silicon Photodetectors For moreComponents Infrared detailed product Summary information of Types andSilicon technical Photodetectors datasheets, please visit http://catalog.osram-os.com
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GEXY6713
TRANSISTOR SMD MARKING CODE 3401
DIODE B-10
TRANSISTOR SMD MARKING CODE 702
TRANSISTOR SMD MARKING CODE r28
TRANSISTOR SMD MARKING CODE NM
SFH4450
GEOY6969
SFH 4232
SFH 4740
702 transistor smd code
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diode 9306
Abstract: FA 4301 SFH 9500 SFH 5110 bpx 48 BP104 SFH 4552 SFH9240 GEOY6972 GPXY6992
Text: SI-FOTODETEKTOREN, OPTISCHE SENSOREN UND IR-LUMINESZENZDIODEN SILICON PHOTODETECTORS, OPTICAL SENSORS AND INFRARED EMITTERS Maßbilder in mm inch Outline Drawings dimensions in mm (inch) 0.6 (0.024) 0.4 (0.016) SFH 5110, SFH 5111 Figure 2 6.1 (0.240) 5.9 (0.232)
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GETY6091
GPLY6899
GPLY6880
diode 9306
FA 4301
SFH 9500
SFH 5110
bpx 48
BP104
SFH 4552
SFH9240
GEOY6972
GPXY6992
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fototransistor BPW 39
Abstract: fototransistor BPX 81 opto P180 marking s4 diode smt SFH 300-3/4 datasheet OSRAM IR emitter IRL P3596 foto transistor SFH 229 foto sensor
Text: SI-FOTODETEKTOREN, OPTISCHE SENSOREN UND IR-LUMINESZENZDIODEN SILICON PHOTODETECTORS, OPTICAL SENSORS AND INFRARED EMITTERS SICHERHEITSHINWEISE SAFETY INSTRUCTIONS Osram Opto Semiconductor IRED erreichen mit ihrer hohen Strahlungsleistung heute z. T. bereits die Helligkeit von Glühlampen und können die Grenzen der Klasse 1 nach IEC 825.1 bzw.
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EN60825-1
GETY6091
GPLY6899
GPLY6880
fototransistor BPW 39
fototransistor BPX 81
opto P180
marking s4 diode smt
SFH 300-3/4 datasheet
OSRAM IR emitter IRL
P3596
foto transistor
SFH 229
foto sensor
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SFH400
Abstract: No abstract text available
Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter SFH 400, SFH 401, SFH 402 SFH 400 SFH 401 SFH 402 Wesentliche Merkmale Features • Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren • Kathode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an
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GETY6091
GEOY6314
GETY6013
SFH400
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: GaAlAs-Lumineszenzdioden 880 nm GaAlAs Infrared Emitters (880 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 480, SFH 481, SFH 482 SFH 480 SFH 481: Nicht für Neuentwicklungen Not for new design Wesentliche Merkmale Features • • • • • • •
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880nm
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 400 SFH 401 SFH 400 SFH 401 Wesentliche Merkmale Features • Kathode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: UV-Lumineszensdiode UV Light Emitting Diode SFH 4840 Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale Features • • • • • • • • UV-LED mit Emissionswellenlänge 395nm Enger Abstrahlwinkel Hermetisch dichtes Gehäuse ESD-Festigkeit Klasse 1 nach MIL-STD-883E
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395nm
MIL-STD-883E
MIL-STD-883E
GEOY6314
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BPX osram
Abstract: SFH 291 E7800
Text: GaAlAs-Lumineszenzdioden 880 nm GaAlAs Infrared Emitters (880 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 480, SFH 481, SFH 482 SFH 480 SFH 481: Nicht für Neuentwicklungen Not for new designs Wesentliche Merkmale Features • • • • • • •
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880nm
BPX osram
SFH 291
E7800
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BPX osram
Abstract: E7800 Q62703-Q1088 Q62703-Q1089 Q62703-Q2186 opto 7800
Text: GaAlAs-Lumineszenzdioden 880 nm GaAlAs Infrared Emitters (880 nm) SFH 480, SFH 481, SFH 482 SFH 480 SFH 481 SFH 482 Wesentliche Merkmale Features • Hergestellt im Schmezepitaxieverfahren • Anode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden • Hohe Zuverlässigkeit
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: GaAlAs-Lumineszenzdioden 880 nm GaAlAs Infrared Emitters (880 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 480, SFH 481, SFH 482 SFH 480 SFH 481: Nicht für Neuentwicklungen Not for new design Wesentliche Merkmale Features • • • • • • •
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880nm
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: 2007-12-07 GaAs Infrared Emitter GaAs-IR-Lumineszenzdiode Version 1.0 SFH 400, SFH 401 SFH 400 SFH 401 Features: Besondere Merkmale: • Cathode is electrically connected to the case • • • • • Kathode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden • Hohe Zuverlässigkeit
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D-93055
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GEOY6314
Abstract: Fotodiode tci 571 Q62702-P936
Text: Silizium-PIN-Fotodiode mit sehr kurzer Schaltzeit Silicon PIN Photodiode With Very Short Switching Time SFH 216 Wesentliche Merkmale • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 350 nm bis 1100 nm • Kurze Schaltzeit typ. 5 ns • Hermetisch dichte Metallbauform (TO-18)
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Q62702-P936
GEOY6314
GEOY6314
Fotodiode
tci 571
Q62702-P936
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