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    Q62703-Q71

    Abstract: ld263 GEO06367 OHRD1938 Q62703-Q70 Q62703-Q72 Q62703-Q73 Q62703-Q74 Q62703-Q75 Q62703-Q76
    Text: 0 . 5 3.6 3.2 0.7 0.6 0.25 0.15 LD 260 LD 262 . LD 269 fez06365 2.54 mm spacing 1.9 1.7 0.5 0.4 3.5 3.0 Chip position 7.4 7.0 2.7 2.5 GaAs-IR-Lumineszenzdioden-Zeilen GaAs Infrared Emitter Arrays 2.1 1.5 A 0.4 A GEO06367 feo06367 1.4 1.0 Collector BPX 83


    Original     		PDF fez06365 GEO06367 feo06367 80-Serie OHR02182 OHR01878 Q62703-Q71 ld263 GEO06367 OHRD1938 Q62703-Q70 Q62703-Q72 Q62703-Q73 Q62703-Q74 Q62703-Q75 Q62703-Q76

    OHRD1938

    Abstract: Q62703-Q70 Q62703-Q71 Q62703-Q72 Q62703-Q73 Q62703-Q74 Q62703-Q75 Q62703-Q76 Q62703-Q77 Q62703-Q78
    Text: GaAs-IR-Lumineszenzdioden-Zeilen GaAs Infrared Emitter Arrays LD 260 LD 262 … LD 269 Wesentliche Merkmale • GaAs-IR-Lumineszenzdiode • Hohe Zuverlässigkeit • Gruppiert lieferbar • Gehäusegleich mit BPX 80-Serie • Miniatur-Gehäuse Features • GaAs infrared emitting diode


    Original     		PDF 80-Serie OHR01878 GEO06367 OHRD1938 Q62703-Q70 Q62703-Q71 Q62703-Q72 Q62703-Q73 Q62703-Q74 Q62703-Q75 Q62703-Q76 Q62703-Q77 Q62703-Q78

    foto transistor

    Abstract: Q62702-P21 GEO06367 Q62702-P22 Q62702-P25 Q62702-P26 Q62702-P28 Q62702-P30 Q62702-P31 Q62702-P32
    Text: NPN-Silizium-Fototransistor Zeilen Silicon NPN Phototransistor Arrays BPX 80 BPX 82 … 89 Wesentliche Merkmale • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 440 nm bis 1070 nm • Hohe Linearität • Mehrstellige Zeilenbauform aus klarem Epoxy • Gruppiert lieferbar


    Original     		PDF IPCE/IPCE25o GEO06367 foto transistor Q62702-P21 GEO06367 Q62702-P22 Q62702-P25 Q62702-P26 Q62702-P28 Q62702-P30 Q62702-P31 Q62702-P32