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Untitled Abstract: No abstract text available Text: データ・シート MOS 形電界効果トランジスタ MOS Field Effect Transistor µ PA652TT P チャネル MOS FET スイッチング用外形図（単位: mm） µPA652TT は，2.5 V 電源系による直接駆動が可能なスイッチング素子です。	Original	PDF	PA652TT PA652TT G16204JJ1V0DS
Untitled Abstract: No abstract text available Text: お客様各位カタログ等資料中の旧社名の扱いについて 2010 年 4 月 1 日を以って NEC エレクトロニクス株式会社及び株式会社ルネサステクノロジが合併し両社の全ての事業が当社に承継されております。従いまして、本資料中には旧社	Original	PDF	PA652TT PA652TT G16204JJ1V0DS

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Text: データ・シート MOS 形電界効果トランジスタ MOS Field Effect Transistor µ PA652TT P チャネル MOS FET スイッチング用外形図（単位: mm） µPA652TT は，2.5 V 電源系による直接駆動が可能なスイッチング素子です。

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Text: お客様各位カタログ等資料中の旧社名の扱いについて 2010 年 4 月 1 日を以って NEC エレクトロニクス株式会社及び株式会社ルネサステクノロジが合併し両社の全ての事業が当社に承継されております。従いまして、本資料中には旧社

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