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    Abstract: No abstract text available
    Text: SIEM ENS GaAIAs-IR-Lummeszenzdiode 880 nm GaAIAs Infrared Emitter (880 nm) SFH 485 P Wesentliche Merkmale Features • G aA IA s-IR -Lum ineszenzdiode, hergestellt im Schm elzepitaxieverfahren • Enge Toleranz: Chipoberfläche/ Bauteiloberkante • G ute spektrale A npassung an


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    SFH485P fi53StjQS 0057fl33 PDF