FF400R12KL4C
Abstract: No abstract text available
Text: Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules FF 400 R 12 KL4C Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage Kollektor-Dauergleichstrom
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FF400R12KL4C
FF400R12KL4C
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KL4C
Abstract: FF400R12KL4C
Text: Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules FF 400 R 12 KL4C vorläufige Daten preliminary data Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage
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FF400R12KL4C
Abstract: DIODE i2t
Text: Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules FF 400 R 12 KL4C vorläufige Daten preliminary data Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage
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FF400R12KL4C
DIODE i2t
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IGBT FF 300
Abstract: FF400R12KL4C
Text: Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules FF 400 R 12 KL4C vorläufige Daten preliminary data Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage
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FF400R12KL4C
Abstract: No abstract text available
Text: Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules FF 400 R 12 KL4C vorläufige Daten preliminary data Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules FF 400 R 17 KF6 B2 vorläufige Daten preliminary data Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage
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FF46B2
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FF400R17KF6CB2
Abstract: No abstract text available
Text: Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules FF 400 R 17 KF6C B2 1700V IGBT Modul mit low loss IGBT der 2. Generation und softer EmCon Diode 1700V IGBT Module with low loss IGBT of 2nd generation and soft EmCon Diode Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
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IGBT FF 300
Abstract: diode 1700v eupec igbt FF400R17KF6CB2 KF6C
Text: Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules FF 400 R 17 KF6C B2 1700V IGBT Modul mit low loss IGBT der 2. Generation und softer EmCon Diode 1700V IGBT Module with low loss IGBT of 2nd generation and soft EmCon Diode Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
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FF400R17KF6CB2
Abstract: No abstract text available
Text: Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules FF 400 R 17 KF6C B2 1700V IGBT Modul mit low loss IGBT der 2. Generation und softer EmCon Diode 1700V IGBT Module with low loss IGBT of 2nd generation and soft EmCon Diode Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
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FF400R17KF6CB2
Abstract: IGBT FF 300 igbt ff 75 r
Text: Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules FF 400 R 17 KF6C B2 1700V IGBT Modul mit low loss IGBT der 2. Generation und softer EmCon Diode 1700V IGBT Module with low loss IGBT of 2nd generation and soft EmCon Diode Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
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FF400R17KF6CB2
FF400R17KF6CB2
IGBT FF 300
igbt ff 75 r
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Abstract: No abstract text available
Text: Ident-N r. A n forderunq sstufe \fm 2.54 2 x 2.54 - 5,< Elastische Einpresszane / compliant pressfit zone Is o lie rw e rk s to ff / B a uart 7 / housing material PBT GF30 type 7 A n forderung sstufe 2 = 400 S teckzyklen / performance class 2 = 400 mating cycles
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ADK21
Abstract: 2920P
Text: P fà iy R ff lfllìM R f in te r 2920/2921 SIGNAL PROCESSOR 2920—User-Programmable/Erasable EPROM Program Memory TcYC 2921—Mask-Programmable ROM Program Memory (TCYC = 400 ns Real Time Digital Processing of Analog Signals Stability and Accuracy of Digital
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2920--User-Programmable/Erasable
2921--Mask-Programmable
ADK21
2920P
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Abstract: No abstract text available
Text: TO-2Q2 SENSITIVE GATE SCR M A X IM U M M T H M M • m u m - otwmnmmm V R epetitive Peak O ff-S ta te Voltage and U N IT S 4M R epetitive Peak Reverse Voltage VDRM & and T j = 110° C VRRM 50 100 200 400 600 S106FS106A* S106B* S106D* S106M - 50 100 200 400
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S106FS106A*
S106B*
S106D*
S106M
S206F*
S206A*
S206B*
S206DS206M
S306FS306AS306B*
S306D*
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CMs69
Abstract: No abstract text available
Text: FF 400 R 12 KF 1 Therm ische Eigenschaften Therm al properties 0,02 DC, pro Baustein / per module 0,04 DC, pro Zweig / per arm pro B austein/p e r module 0,01 RthCK 0,02 pro Zweig / per arm Transistor Transistor Elektrische Eigenschaften Electrical properties
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15CTC,
CMs69
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7400A
Abstract: 0200C
Text: FF 400 R 06 KF 3 Therm ische Eigenschaften Thermal properties Rthjc DC, pro B austein/p e r module 0,0345°C/W DC, pro Zweig / per am 0,0690°C/W RthCK pro Baustein/p e r module 0,0200°C/W pro Zweig /p e r arm 0,0400°C/W Transistor Transistor Elektrische Eigenschaften
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FZ 300 R 06 KL
Abstract: No abstract text available
Text: FF 400 R 06 KF 2 Transistor Transistor Elektrische Eigenschaften Electrical properties Höchstzulässige W erte Maximum rated values 600 V cE S Therm ische Eigenschaften Thermal properties Rthjc DC, pro Baustein / per module 0,0345°C/W DC, pro Z w e ig /p e r arm
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FFUHJR06KF
FFUMR06
FZ 300 R 06 KL
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Abstract: No abstract text available
Text: e u DEC Technische Information / Technical Information !Ü£££. FF 400 R 17 KF6 B2 Hfvb vorläufige Daten preliminary data Höchstzulässige Werte Elektrische Eigenschaften / Maximum rated values /Electrical properties K o lle k to r-E m itte r-S p e rrs p a n n u n g
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FF46B2@
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Abstract: No abstract text available
Text: Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules FF 400 R 12 KL4C vorläufige Daten preliminary data Höchstzulässige W erte / Maximum rated values Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage p O C O Il o I- p LO C\J II
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FF400R
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Abstract: No abstract text available
Text: FF 400 R 06 KL 2 Thermal properties Therm ische Eigenschaften 0,0345°C/W DC, pro Baustein / per module 0,069 °C/W DC, pro Zweig / per Arm 0,02 °C/W pro Baustein / per module 0,04 °C/W pro Zweig / per Arm Transistor Transistor Elektrische Eigenschaften
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3HQ32W
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Abstract: No abstract text available
Text: FF 100 R 06 KF 2 Electrical properties VcES Maximum rated values 600 V lc 100 A IC R M 200 A O 400 W V ge 20 V Inversdiode Inverse diode V eg 20 V Elektrische Eigenschaften Electrical properties Höchstzulässige W erte lF max ¡F R M t p =1 ms Maximum rated values
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10CJ5
600KF3
-FF130F
123-C,
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308RP40
Abstract: SM3J44 H-17 H-18 H-19 SM2D44 SM2G44 SM3G44
Text: 134 - — 2 * SM 2rD, • * ff£ l2 # # G j4 4 0 / ' 3 / • 7 ‘ V O ^ g it r — fW i 2 A tsftfs. ■ ft* * « si V d sm V drm S M 2D 4 4 SM 2G 44 200 400 ÍÍL ¥ ÜH & % T , — 125°C, It u = 3 A Min ff ft> = 12V Ä L —20Q II ä i I gt I gm di/dt
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SM2D44
SM2G44
50Hz/60Hz,
H-101
308RP40
SM3J44
H-17
H-18
H-19
SM2G44
SM3G44
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: FF 200 R 06 KL 2 Transistor Transistor Thermische Eigenschaften Rthjc Elektrische Eigenschaften Electrical properties Hochstzulässige W erte Maximum rated values RthCK V c es le Ic rm P to t 600 V 200 A tp = 1 ms 400 A tc = 25°C 800 W Thermal properties
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600KFÂ
PF20DROiKF
0D02047
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: INTERNATIONAL^ RECTIFIER ZOR in t e r n a t io n a l 73 DE | 4055455 DDDbTl? 5 Data Sheet No. PD-3.138 r e c t if ie r S18CF & S18CFH S E R IE S 400-200 VOLTS R A N G E ST A N D A R D TU RN -O FF T IM E 8 jjs 140 A M P RM S, C E N T E R A M P L IF Y IN G GATE
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S18CF
S18CFH
S18CF
4flSS452
-209AC
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LRMS-5L
Abstract: No abstract text available
Text: C 3 Mini-Circuits0 U LTR A -m MIXERS 5 Fr eq u en c y M ix e r s Y E A R G U A R A N T E E Surface Mount L evel 3 400 to 1400 MHz FREQUENCY im MODEL NO- RSION LOi& ISOLATION lO-RF ; ISOLATION lO -ff Cd» m LO/Rf k% LRMS JMS + 3 dBm LO, up to -3 dBm RF * ' X.
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DC-200
DC-800
DC-800
BH292
TT100
LRMS-5L
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