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    EA30QS03 Search Results

    EA30QS03 Datasheets (4)

    Part ECAD Model Manufacturer Description Curated Datasheet Type PDF
    EA30QS03 Unknown The Diode Data Book with Package Outlines 1993 Scan PDF
    EA30QS03-F Unknown The Diode Data Book with Package Outlines 1993 Scan PDF
    EA30QS03L Nihon Inter Electronics Schottky Barrier Diode Original PDF
    EA30QS03L-F Nihon Inter Electronics Schottky Barrier Diode Original PDF

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    Catalog Datasheet MFG & Type Document Tags PDF

    EA30QS03L

    Abstract: No abstract text available
    Text: 3A Avg. 30 Volts SBD EA30QS03L •最大定格 Maximum Ratings ■OUTLINE DRAWING mm Item Symbol Conditions く り 返 し ピ ー ク 逆 電 圧 Repetitive Peak Reverse Voltage V RRM 30 平 均 整 流 電 流 Average Rectified Forward Current IO 実


    Original
    EA30QS03L Tc126 EA30QS03L/EA30QS03L-F EA30QS03L PDF

    Untitled

    Abstract: No abstract text available
    Text: SBD Type:EA30QS03L EA30QS03L •OUTLINE DRAWING 構造 : ショトキバリアダイオード S B D Construction: Schottky Barrier Diode 用途 :高周波整流用 Application : High Frequency Rectification Approx Net Weight:0.35g ■最大定格 / Maximum Ratings


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    TypeEA30QS03L EA30QS03L 20x20mm) EA30QS03L/EA30QS03L-F PDF

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    Abstract: No abstract text available
    Text: 3A Avg. 30 Volts SBD EA30QS03L-F •OUTLINE DRAWING mm ■最大定格 Maximum Ratings Item Symbol Conditions く り 返 し ピ ー ク 逆 電 圧 Repetitive Peak Reverse Voltage V RRM 30 平 均 整 流 電 流 Average Rectified Forward Current IO 実


    Original
    EA30QS03L-F EA30QS03L/EA30QS03L-F PDF

    EA30QS03L

    Abstract: No abstract text available
    Text: SBD Type : EA30QS03L EA30QS03L OUTLINE DRAWING FEATURES * TO-251AA Case * Extremely Low Forward Voltage drop * Low Power Loss, High Ecciciency * High Surge Capability Maximum Ratings Rating Repetitive Peak Reverse Voltage Average Rectified Output Current RMS Forward Current


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    EA30QS03L O-251AA 20x20mm) EA30QS03L/EA30QS03L-F EA30QS03L PDF

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    Abstract: No abstract text available
    Text: 3A Avg. 30 Volts SBD EA30QS03L •最大定格 Maximum Ratings ■OUTLINE DRAWING mm Item Symbol Conditions く り 返 し ピ ー ク 逆 電 圧 Repetitive Peak Reverse Voltage V RRM 30 IO 実 効 順 電 流 R.M.S. Forward Current サ ー ジ 順 電


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    EA30QS03L EA30QS03L/EA30QS03L-F PDF

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    Abstract: No abstract text available
    Text: SBD Type:EA30QS03L EA30QS03L30QS03L-F •OUTLINE DRAWING 構造 :表面実装型ショットキバリアダイオード S B D Construction: Surface Mounting, Schottky Barrier Diode 用途 :高周波整流用 Application : High Frequency Rectification


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    TypeEA30QS03L EA30QS03L30QS03L-F EA30QS03LF 20x20mm) EA30QS03L/EA30QS03L-F PDF

    EA30QS03L-F

    Abstract: No abstract text available
    Text: 3A Avg. 30 Volts SBD EA30QS03L-F •最大定格 Maximum Ratings ■OUTLINE DRAWING mm Item Symbol Conditions く り 返 し ピ ー ク 逆 電 圧 Repetitive Peak Reverse Voltage V RRM 30 平 均 整 流 電 流 Average Rectified Forward Current IO 実


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    EA30QS03L-F Ta126 EA30QS03L/EA30QS03L-F EA30QS03L-F PDF

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    Abstract: No abstract text available
    Text: SBD Type : EA30QS03L EA30QS03L30QS03L-F OUTLINE DRAWING FEATURES * TO-252AA Case, Surface Mounting Device * Extremely Low Forward Voltage drop * Low Power Loss, High Efficiency * High Surge Capability * Packaged in 16mm Tape and Reel Maximum Ratings Rating


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    EA30QS03L EA30QS03L30QS03L-F O-252AA EA30QS03L-F 20x20mm) EA30QS03L/EA30QS03L-F PDF

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    Abstract: No abstract text available
    Text: SBD Type:EA30QS03L EA30QS03L30QS03L-F •OUTLINE DRAWING 構造 :表面実装型ショットキバリアダイオード S B D Construction: Surface Mounting, Schottky Barrier Diode 用途 :高周波整流用 Application : High Frequency Rectification


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    TypeEA30QS03L EA30QS03L30QS03L-F EA30QS03LF 20x20mm) EA30QS03L/EA30QS03L-F PDF

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    Abstract: No abstract text available
    Text: 3A Avg. 30 Volts SBD EA30QS03L-F •最大定格 Maximum Ratings ■OUTLINE DRAWING mm Item Symbol Conditions く り 返 し ピ ー ク 逆 電 圧 Repetitive Peak Reverse Voltage V RRM 30 平 均 整 流 電 流 Average Rectified Forward Current IO 実


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    EA30QS03L-F EA30QS03L/EA30QS03L-F PDF

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    Abstract: No abstract text available
    Text: SBD Type:EA30QS03L EA30QS03L •OUTLINE DRAWING 構造 : ショトキバリアダイオード S B D Construction: Schottky Barrier Diode 用途 :高周波整流用 Application : High Frequency Rectification Approx Net Weight:0.35g ■最大定格 / Maximum Ratings


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    TypeEA30QS03L EA30QS03L 20x20mm) EA30QS03L/EA30QS03L-F PDF

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    Abstract: No abstract text available
    Text: SBD Type : EA30QS03L EA30QS03L OUTLINE DRAWING FEATURES * TO-251AA Case * Extremely Low Forward Voltage drop * Low Power Loss, High Ecciciency * High Surge Capability Maximum Ratings Rating Repetitive Peak Reverse Voltage Average Rectified Output Current RMS Forward Current


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    EA30QS03L EA30QS03L O-251AA 20x20mm) EA30QS03L/EA30QS03L-F PDF

    EA30QS03L-F

    Abstract: EA30QS03L
    Text: SBD Type : EA30QS03L EA30QS03L30QS03L-F OUTLINE DRAWING FEATURES * TO-252AA Case, Surface Mounting Device * Extremely Low Forward Voltage drop * Low Power Loss, High Efficiency * High Surge Capability * Packaged in 16mm Tape and Reel Maximum Ratings Rating


    Original
    EA30QS03LEA30QS03L-F 30QS03L O-252AA EA30QS03L-F 20x20mm) EA30QS03L/EA30QS03L-F EA30QS03L-F EA30QS03L PDF

    tc122 20 5 3

    Abstract: tc 122 25 5 tc122 25 TC-138 tc122 tc122 25 4
    Text: Schottky Diodes Part Number VRRM V IFAV (A) Condition IFSM (A) VFM(V) 25°C IRM(mA) 25°C Tjmax (°C) Case Outline TO-251 EA20QS04 EA20QS06 EA20QS09 EA20QS10 40 60 90 100 1.7 1.7 1.7 1.7 Tc=138℃ Tc=135℃ Tc=139℃ Tc=138℃ 40 40 40 40 0.55 0.58 0.85


    Original
    O-251 EA20QS04 EA20QS06 EA20QS09 EA20QS10 ESL03B03 EA30QS03L EA30QS04 EA30QS06 EA30QS09 tc122 20 5 3 tc 122 25 5 tc122 25 TC-138 tc122 tc122 25 4 PDF

    PT76S16

    Abstract: d2n203le 10ERB20 508RP FCHS20A 300MCB
    Text: Power Semiconductors Catalog Nihon Inter Electronics Corporation 安全設計に関するお願い ●当社は常に製品の品質信頼性の維持向上に努めておりますが、一般に半導体製品では故障がある確率で起こることは避けられ


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    508RP

    Abstract: 10ERB20 d2n202le D2W220CD FCH10U15 FCU20A40
    Text: NO. 42 Power Semiconductors Catalog Nihon Inter Electronics Corporation 安全設計に関するお願い ●当社は常に製品の品質信頼性の維持向上に努めておりますが、一般に半導体製品では故障がある確率で起こることは避けられ


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    FCGS20A12

    Abstract: FCHS10A12 EC10QS04 TE12L d2n203le 10ERA60 FCHS20A 20NFB60 FCU20A40 PAH100N8CM 10eda10
    Text: NO. 43 Power Semiconductors Catalog Nihon Inter Electronics Corporation 安全設計に関するお願い ●当社は常に製品の品質信頼性の維持向上に努めておりますが、一般に半導体製品では故障がある確率で起こることは避けられ


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    DE5S4M

    Abstract: CJ26 DIFS4 100L 151MQ30 151MQ40 AK03 AK04 AK06 AK09
    Text: - 98- m m % 151MQ30 151MQ40 AK03 AK04 AK06 AK09 CB803—02 D1FS4 D1FS4A D1FS6 D1NS4 D1NS6 D2FS4 D2S4M D2S6M D3FS4A D3S4M D3S6M D5S4M D5S6M D5S9M DE3S4M DE3S6M DE5S4M DE5S6M E10QS03 E10QS04 E10QS05 E10QS06 E10QS09 ElOQSlO EA20QS03 EA20QS03-F EA20QS04 EA20QS04-F


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    151MQ30 151MQ40 CB803-02 EA20QS10 EA2Q9S10-F EA30QS03 EA30QS03-F 25MIN 26MIN DE5S4M CJ26 DIFS4 100L 151MQ30 151MQ40 AK03 AK04 AK06 AK09 PDF

    D5S9M

    Abstract: DE5S4M DIFS4 100L 151MQ30 151MQ40 AK03 AK04 AK06 AK09
    Text: - 98- m % 151MQ30 151MQ40 AK03 AK04 AK06 AK09 C B 8 0 3 —02 D1FS4 D1FS4A D1FS6 D1NS4 D1NS6 D2FS4 D2S4M D2S6M D3FS4A D3S4M D3S6M D5S4M D5S6M D5S9M DE3S4M DE3S6M DE5S4M DE5S6M E10QS03 E10QS04 E10QS05 E10QS06 E10QS09 ElOQSlO EA20QS03 EA20QS03-F EA20QS04 EA20QS04-F


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    151MQ30 151MQ40 CB803-02 5EA30QS03-F D5S9M DE5S4M DIFS4 100L 151MQ30 151MQ40 AK03 AK04 AK06 AK09 PDF

    DE5S4M

    Abstract: DIFS4 100L 151MQ30 151MQ40 AK03 AK04 AK06 AK09 CB803-02
    Text: - 98- m % m tt £ AK06 AK09 C B 8 0 3 —02 D1FS4 D1FS4A D1FS6 D1NS4 D1NS6 D2FS4 D2S4M D2S6M D3FS4A D3S4M D3S6M D5S4M D5S6M D5S9M DE3S4M DE3S6M DE5S4M DE5S6M E10QS03 E10QS04 E10QS05 E10QS06 E10QS09 ElOQSlO EA20QS03 EA20QS03-F EA20QS04 EA20QS04-F EA20QS05 EA20QS05-F


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    151MQ30 151MQ40 CB803-02 EA20QS03-F EA20QS04 EA20QS04-F EA20QS05 EA20QS05-F EA20QS06 EA20QS05-F DE5S4M DIFS4 100L 151MQ30 151MQ40 AK03 AK04 AK06 AK09 CB803-02 PDF

    DIFS4

    Abstract: D5S6M DE5S4M 100L 151MQ30 151MQ40 AK03 AK04 AK06 AK09
    Text: - 98- m m % 151MQ30 151MQ40 AK03 AK04 AK06 AK09 CB803—02 D1FS4 D1FS4A D1FS6 D1NS4 D1NS6 D2FS4 D2S4M D2S6M D3FS4A D3S4M D3S6M D5S4M D5S6M D5S9M DE3S4M DE3S6M DE5S4M DE5S6M E10QS03 E10QS04 E10QS05 E10QS06 E10QS09 ElOQSlO EA20QS03 EA20QS03-F EA20QS04 EA20QS04-F


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    151MQ30 151MQ40 CB803-02 EA20QS04 EA20QS04-F EA20QS05 EA20QS05-F EA20QS06 EA20QS05-F EA20QS09 DIFS4 D5S6M DE5S4M 100L 151MQ30 151MQ40 AK03 AK04 AK06 AK09 PDF

    DE5S4M

    Abstract: DINS4 100L 151MQ30 151MQ40 AK03 AK04 AK06 AK09 CB803-02
    Text: - 98- m % m tt £ AK06 AK09 C B 8 0 3 —02 D1FS4 D1FS4A D1FS6 D1NS4 D1NS6 D2FS4 D2S4M D2S6M D3FS4A D3S4M D3S6M D5S4M D5S6M D5S9M DE3S4M DE3S6M DE5S4M DE5S6M E10QS03 E10QS04 E10QS05 E10QS06 E10QS09 ElOQSlO EA20QS03 EA20QS03-F EA20QS04 EA20QS04-F EA20QS05 EA20QS05-F


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    151MQ30 151MQ40 CB803-02 20MIN 20MIN 26MIN 26MIN 28MIN DE5S4M DINS4 100L 151MQ30 151MQ40 AK03 AK04 AK06 AK09 CB803-02 PDF

    DE5S4M

    Abstract: DIFS4 100L 151MQ30 151MQ40 AK03 AK04 AK06 AK09 CB803-02
    Text: - 98- m % m tt £ AK06 AK09 C B 8 0 3 —02 D1FS4 D1FS4A D1FS6 D1NS4 D1NS6 D2FS4 D2S4M D2S6M D3FS4A D3S4M D3S6M D5S4M D5S6M D5S9M DE3S4M DE3S6M DE5S4M DE5S6M E10QS03 E10QS04 E10QS05 E10QS06 E10QS09 ElOQSlO EA20QS03 EA20QS03-F EA20QS04 EA20QS04-F EA20QS05 EA20QS05-F


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    151MQ30 151MQ40 CB803-02 sc-11 -28UNF-2ATÂ i042U SC-11U 27MIN 27M1N DE5S4M DIFS4 100L 151MQ30 151MQ40 AK03 AK04 AK06 AK09 CB803-02 PDF

    DE5S4M

    Abstract: 100L 151MQ30 151MQ40 AK03 AK04 AK06 AK09 CB803-02
    Text: - 98- m % m tt £ AK06 AK09 C B 8 0 3 —02 D1FS4 D1FS4A D1FS6 D1NS4 D1NS6 D2FS4 D2S4M D2S6M D3FS4A D3S4M D3S6M D5S4M D5S6M D5S9M DE3S4M DE3S6M DE5S4M DE5S6M E10QS03 E10QS04 E10QS05 E10QS06 E10QS09 ElOQSlO EA20QS03 EA20QS03-F EA20QS04 EA20QS04-F EA20QS05 EA20QS05-F


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    151MQ30 151MQ40 CB803-02 DE5S4M 100L 151MQ30 151MQ40 AK03 AK04 AK06 AK09 CB803-02 PDF