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    DUNGS Price and Stock

    Maxim Integrated Products LANDUNGSBRUECKE

    LANDUNGSBRUCKE K20 EVAL BRD
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    DigiKey LANDUNGSBRUECKE Bulk 9 1
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    Analog Devices Inc LANDUNGSBRUECKE

    Development Boards & Kits - ARM Microcontroller Board for Trinamic Evalu
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    Mouser Electronics LANDUNGSBRUECKE 46
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    Newark LANDUNGSBRUECKE Bulk 11 1
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    Analog Devices Inc LANDUNGSBR CKE

    Landungsbr cke
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    Symmetry Electronics LANDUNGSBR CKE 1
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    DUNGS Datasheets Context Search

    Catalog Datasheet MFG & Type PDF Document Tags

    Nauen

    Abstract: Telefunkenzeitung hitachi ft 4500 l Deutsche Post siemens zeitung Seite47 EIFAh Mess sender
    Text: Gesellschaft für drahtlose Telegraphie :b m• H: System Telefunken entstanden aus den funkentelegraphischen Abteilungen der Allgemeinen Elektrizitäts-Gesellschaft System Slaby - Arco und Siemens & Halske (System Prof. Braun und Siemens & Halske) Z e n t r a l v e r w a l t u n g : Berlin SW11, Hallesches Ufer 12/13


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    apparatebau hundsbach

    Abstract: ATEX1169 crouse-hinds CEAG ceag ghg 2 en 50082-2 D-77815 ceag ghg atex CE0102 ceag GHG 41
    Text: Betriebsanleitung 2/942 - Trennschaltverstärker mit Relaisausgang Zielgruppe: erfahrene Elektrofachkräfte gem. Elex V. Operating instructions 2/942 - Switch Amplifier with Relay Output Target group: Experienced skilled electricians according to relevant national


    Original
    PDF D-77815 apparatebau hundsbach ATEX1169 crouse-hinds CEAG ceag ghg 2 en 50082-2 ceag ghg atex CE0102 ceag GHG 41

    Untitled

    Abstract: No abstract text available
    Text: M ulti-Contact _0 2 mm Leads 1 . 0 2 mm V e rb in dungsleitungen Cordons 0 2 mm LK 2 0 5 -B LK 205-B Hochflexitale Verlangerungsleitung m it 0 2 mm Buchsen, starr. Buchsen: Messing vergoldet. H ighly flexible extension lead w ith sockets. Sockets: Brass, gold plated.


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    PDF 205-B 205-B 205-B,

    Untitled

    Abstract: No abstract text available
    Text: Multi-C onta ct 1 . 0 4 mm dungsleitungen 0 4 mm Leads LK 425-Z LK 425-Z LK 425-Z H o chflexible Verbm dungsleitung m it 0 4 mm M C ’ -Lam ellensteckern und axial liegenden 0 4 mm Abgriffbuchsen. Die Kontaktteile sind verm ckelt. Die Stecker sind m it einem Schutz


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    PDF 425-Z

    Oktode

    Abstract: No abstract text available
    Text: - RENS 1284 3 - HF Pentode. Als HF und ZF Verstärker vorzüglich geeignet} jedoch auch als Audion- und Anodengleichrichter anwendbar. RENS 1294 HF Exponentialpentode. Als regelbare Röhre in HF u. ZF Verstärkern anwendbar. Maxim. RegelSpannung RENS 1374- d


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    Audion

    Abstract: Scans-0017750
    Text: R ö h r e n z u s a m m e n s t e l l u n g Gruppe A indirekt geheizt für 4 V Wechselstrom. REN 704 d Doppelgitterröhre. Diese Röhre ist als Mischröhre für Ueberlagerungsempfänger entwickelt worden. Um GitterStromdämpfungen zu ver­ meiden, ist eine Gittervorspannung von -1,5 erforderlich.


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    oszillator

    Abstract: EK 110 ZEN xf 2 Langwelle oszillatorfrequenz
    Text: EK 3 EK 3 Oktode Die Röhre E K 3 ist eine Mischröhre n ach dem Oktodenprinzip m it m ax48 w esentlich verbesserten E igen sch aften . D urch die B ündelung der E lek ­ tronenbahnen sind einige nachteilige E ffekte a u f ein M indestm aß h erab­ gesetzt worden. D ie E K 3 g e statte t im Kurzw ellenbereich eine ebenso


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    PDF max48 oszillator EK 110 ZEN xf 2 Langwelle oszillatorfrequenz

    TRANSISTOR 132-gd

    Abstract: TRANSISTORS 132 GD equivalent io transistor 131-G bbc ds diodes DS 1,8 transistor vergleichsliste aeg diode Si 61 L AF124 Transistor Vergleichsliste DDR OC1044 bbc ds diodes
    Text: Vergleichsliste Halbleiter Bauelemente In h a lt: Einleitung Typenbezeichnung und Form elzeichen G e g e n ü b e r s t e ll u n g n a c h A l p h a b e t : T ransistoren G leichrichterdioden Leistungs-Zenerdioden V e rg le ic h nach T y p e n g ru p p e n


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    PDF 06o3H TRANSISTOR 132-gd TRANSISTORS 132 GD equivalent io transistor 131-G bbc ds diodes DS 1,8 transistor vergleichsliste aeg diode Si 61 L AF124 Transistor Vergleichsliste DDR OC1044 bbc ds diodes

    service-mitteilungen

    Abstract: Ziphona funkschau VEB INDUSTRIEVERTRIEB RUNDFUNK UND FERNSEHEN servicemitteilungen Zittau Scans-048 color antenne Mitteilungen Sonneberg
    Text: SERVICE-MITTEILUNGEN VEB IN D U S T R IE V E R T R IE B R U N D F U N K U N D FE R N S E H E N iR jie ri 1r a d i o -teievision 1 SEITE NOVEMBER 19 7 6 11 01-10 Radio-Phono-Kombinationen schienen umgekehrt proportional zur Entwicklung von Bausteinanlagen aus der Mode gekommen zu sein.


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    Schalenkerne

    Abstract: Manifer 183 funkamateur nr 6 1980 Schalenkern veb taschenbuch Scans-048 Leipzig DSAGER00043 Schaltungen 1971 Manifer
    Text: Sehalenlcerne —M cptiieities und Besonderheiten R. BELLMANN Schalenkem e werden unter den hoch­ frequenz-ferromagnetischen Materialien geführt und arbeiten in einem Frequenz­ bereich von 1 kHz bis 10 MHz zuverlässig als konstante und abgleichbare Induktivi­


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    bauelemente DDR

    Abstract: SPF 455 Teltow Mechanische Filter VEB Kombinat zf filter rft katalog SPF 10700 49004 SPF455 490.2159 Kombinat VEB Elektronische Bauelemente
    Text: Passive elektronische Bauelemente O Widerstände Q Kondensatoren 0 Kinlaklfcaüelemenle 2 Suidererzeognisse Passive elektronische Bauelemente Auf allen G ebieten der Elektronik und Elektrotechnik werden an Leistungsfähigkeit, Lebensdauer und Zu­ verlässigkeit elektronischer Bauelemente ständig


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    B083D

    Abstract: u82720 A110D TDA4100 ub8830d V40511D taa981 A109D sy 710 IC 7447
    Text: > i ! U O i j q > i a | a S [ ^ ] 0 [ y y H erstellerbetriebe Bei den einzelnen Erzeugnissen werden die Herstellerbetriebe durch die nachfolgend angegebenen Symbole gekennzeichnet: VEB M ik ro e le k tro n ik „K a rl M a r x “ Erfurt L e itb e tr ie b im VEB K o m b in a t M ik ro e le k tr o n ik


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    selen-gleichrichter

    Abstract: Halbleiterbauelemente DDR selengleichrichter selenkleinstgleichrichter "halbleiterwerk frankfurt" Kombinat VEB A 301 RG 403 halbleiterwerk Halbleiterwerk Frankfurt ddr veb
    Text: CD AUSGABE GO 1971 I 5 2 CD • M H CD CD CD ■ SELEN­ FREIFLÄCHEN­ GLEICHRICHTER Kombinat VEB Halbleiterwerk Frankfurt Oder Gleichrichterwerk Großräsdien Information 20-1-71 Änderungen der allgemeinen und tech­ nischen Angaben, die durch die Weiter­


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    PDF 59/71/D selen-gleichrichter Halbleiterbauelemente DDR selengleichrichter selenkleinstgleichrichter "halbleiterwerk frankfurt" Kombinat VEB A 301 RG 403 halbleiterwerk Halbleiterwerk Frankfurt ddr veb

    ITT transistoren

    Abstract: nf schaltungen Schaltungen TDA4605-3 S910N diode sg 5 ts bus08a BD139 25EK ITT bzx 85
    Text: S IE M E N S ICs für die Unterhaltungs­ elektronik SNTs Ausgabe 5.86 S IE M E N S ICs für die Unterhaltungselektronik SNTs Datenblätter der Typen TDA 4600-3, TDA 4601, TDA 4601 D, TDA 4605 Problemlos bestellen mit der SBS-Preis- und Lagerliste F ür Kunden in d er B undesrepublik D eutschlan d und Berlin W est .


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    BT diode

    Abstract: ECONOPACK mounting instructions bsm 25 gd 1200 n2 bsm 75 gd 120 n2 bsm 50 gd 120 n2 calculation of IGBT snubber siemens igbt BSM 200 GA 120 BSM15GD120DN2 diode bym 26 siemens igbt BSM 100
    Text: Technische Angaben Technical Information SIEMENS 1 Übersicht IGBT-Module 1 O verview IG BT Modules Hochsperrende spannungsgesteuerte Bipolar-Module Insulated Gate Bipolar Transistor modules Produktpalette Product Range IGBT-Module mit den Spannungen 600 V,


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    SIPMOS

    Abstract: din IEC 68
    Text: SIEMENS 1 Qualität und Zuverlässigkeit Quality and Reliability Qualität 1 Quality Der Bereich Halbleiter HL der Siemens AG plant, entwickelt, fertigt und vertreibt ein breites Spektrum von Halbleiter-Bauelementen und optoelektronischen Kom­ ponenten und erbringt die dazu erforderli­


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    YD 1270

    Abstract: yl 1050 tetrode yl 1060 QQE 03 32 YD 1336 philips oszillator yd1336 yd 7377 Valvo valvo transistoren
    Text: Elektronik. Wir bauen die Elemente. Vaniti \ Ö Senderöhren für Nachrichtensender 1983 Datenbuch Elektronik. Wir bauen die Elemente. Unser Arbeitsgebiet - besonders die Mi­ kroelektronik - entwickelt sich immer rascher zum Motor für eine Vielzahl von Innovationen.


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    Untitled

    Abstract: No abstract text available
    Text: I M u lti-C o n ta c t 9. Anhang Appendix Appendice Technische Inform ationen Technical inform ation Inform ations techniques Technische Daten Bei Teilen, die aus mehreren Komponenten besteben, wie z. B. Adapterleitungen, ist immer der niedrigste Nennwert der technischen Da­


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    Untitled

    Abstract: No abstract text available
    Text: R ö h r e n z u s a m m e n s t e l l u n g Gruppe A indirekt geheizt für 4 V Wechselstrom. REN 704 d Doppelgitterröhre. Diese Röhre ist als Mischröhre für Ueberlagerungsempfänger entwickelt worden. Um GitterStromdämpfungen zu ver­ meiden, ist eine Gittervorspannung von -1,5 erforderlich.


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    Untitled

    Abstract: No abstract text available
    Text: R ö h r e n z u s a m m e n s t e l l u n g Gruppe A indirekt geheizt für 4 V Wechselstrom. REN 704 d Doppelgitterröhre. Diese Röhre ist als Mischröhre für Ueberlagerungsempfänger entwickelt worden. Um GitterStromdämpfungen zu ver­ meiden, ist eine Gittervorspannung von -1,5 erforderlich.


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    wurth 742 792 02

    Abstract: wurth* 742 700 5 wurth 742 792 04 wurth 742 792 15 742 792 113 wurth 742 793 742 792 07 wurth 742 792 622 742 792 71 "742 793 1"
    Text: W ü rth E lektronik G m bH & C o. KG V e r b in d u n g s te c h n ik R iedenstraße 16 D 74635 Kupferzell Telefon: +49 (0 7 9 4 4 ) 91 9 3-0 WURTH ELEKTRONIK Telefax: (+49) (0 7 9 4 4 ) 91 93-51 à NOUVEAUTE 0402 SMD-Ferrites / Ferrites CMS BL ""E n □ >


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    Untitled

    Abstract: No abstract text available
    Text: R ö h r e n z u s a m m e n s t e l l u n g Gruppe A indirekt geheizt für 4 V Wechselstrom. REN 704 d Doppelgitterröhre. Diese Röhre ist als Mischröhre für Ueberlagerungsempfänger entwickelt worden. Um GitterStromdämpfungen zu ver­ meiden, ist eine Gittervorspannung von -1,5 erforderlich.


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    RES 964

    Abstract: No abstract text available
    Text: - RENS 1284 3 - HF Pentode. Als HF und ZF Verstärker vorzüglich geeignet} jedoch auch als Audion- und Anodengleichrichter anwendbar. RENS 1294 HF Exponentialpentode. Als regelbare Röhre in HF u. ZF Verstärkern anwendbar. Maxim. RegelSpannung RENS 1374- d


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    MP21E

    Abstract: sowjetische transistoren MP21D UdSSR KT904 ASZ16 KT315 OC1072 Transistoren DDR asz1015
    Text: electronic Sowjetische Transistoren I n h a l t s v e r z e i c h n i s V o rw o rt K u rz c h a ra lc te rls tlk - G e rm a n iu n tra n s is to re n - S illz lu m tra n s ito re n S t a a t l i c h e r S ta n d a r d d e s S y ste m s f ü r d i e B e z e ic h n u n g d e r H a l b l e i t e r b a u e l e u e n t e d e r UdSSR


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