EUPEC DD 105 N 16 L
Abstract: all type of thyristor EUPEC tt 162 n 16 EUPEC Thyristor thyristor tt 162 n EUPEC Thyristor TT thyristor tt 162 n 12 tt 162 n 16 module bsm 25 gp 120 Eupec bsm 25 gb 120
Text: IGBT SCR / Diode Modules Presspacks Stacks Outlines Accessories Explanations 96 Type designations Presspacks IGBT Modules T 930 S 18 T M C T D A 930 1 4 6 7 8 9 3 thyristor diode asymmetric thyristor average on state current A standard ceramic disc high power ceramic disc
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semikron thyristor
Abstract: GAL -700E -1 Thyristor Tabelle Dioden Tabelle Dioden GA 100 Semikron Semitop 3 Thyristor 3kV kode diode BT thyristor GAH 3
Text: 17. SEMITOP : Das innovative Gehäusekonzept für die kleine und mittlere Leistung Merkmale Typische Anwendungen • Kompaktes Gehäusedesign konform mit UL 1557 und • Umrichter für Motorsteuerung VDE 0160 Normen • USV, Schaltnetzteile • Robuste Lötanschlüsse für Leiterplattenmontage
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thyristor tt 162 n
Abstract: fast thyristor 1000V thyristor tt 162 n 16 IGBT module FZ 400 thyristor TT 162 thyristor td 162 n Thyristor PIN CONFIGURATION thyristor tt 500 n 16 thyristor 162 THYRISTOR H 1500
Text: Typenbezeichnungen IGBT Scheibenbauelemente T930 S 18 TM TM C Thyristor K 40µs D Diode L 45µs A asymmetrischer Thyristor M 50µs P 55µs Dauergrenzstrom A N 60µs Standardkeramik-Scheibe T 80µs 1 Hochleistungskeramik-Scheibe U 120µs 930 SCR/Diode Modules
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thyristor tt 162 n 12
Abstract: thyristor tt 162 n thyristor TT 46 N thyristor TT 162 asymmetric thyristor thyristor tt 25 thyristor TD 25 N dd 55 n 14 powerblock powerblock tt 162 thyristor tt 105 n 16
Text: kuka-2006-de-inhalt.qxd 07.02.2006 12:17 Uhr IGBT Seite 128 Presspacks Stacks Outlines Accessories Explanations 128 Type designations Presspacks IGBT Modules T 930 S 18 T M C T D A 930 1 4 6 7 8 9 3 average on state current A standard ceramic disc high power ceramic disc
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kuka-2006-de-inhalt
thyristor tt 162 n 12
thyristor tt 162 n
thyristor TT 46 N
thyristor TT 162
asymmetric thyristor
thyristor tt 25
thyristor TD 25 N
dd 55 n 14 powerblock
powerblock tt 162
thyristor tt 105 n 16
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EUPEC tt 162 n 16
Abstract: thyristor tt 162 n high power thyristor module bsm 25 gp 120 igbt module bsm 100 gb 60 dl DISC THYRISTOR diode high power thyristor scr EUPEC tt 105 N 16 IGBT module FZ
Text: kuka-2003-inhalt.qxd 17.04.2003 10:34 Uhr Seite 101 Type designations Presspacks IGBT Modules T 930 S 18 T M C T D A 930 1 4 6 7 8 9 3 thyristor diode asymmetric thyristor average on state current A standard ceramic disc high power ceramic disc epoxy disc 19 mm high
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kuka-2003-inhalt
EUPEC tt 162 n 16
thyristor tt 162 n
high power thyristor
module bsm 25 gp 120
igbt module bsm 100 gb 60 dl
DISC THYRISTOR
diode
high power thyristor scr
EUPEC tt 105 N 16
IGBT module FZ
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SKiiP 33 NEC 125 To
Abstract: semikron skiip 33 NEC 125 skiip 33 nec 125 t semikron ASIC SKIC semikron skiip 33 nec Semikron Semitop sk 70 kq 12 skiip 11 nec 06 1 Semikron Semitop sk 45 kq 12 MiniSKiiP 8 semikron skiip 33
Text: MiniSKiiP Technologie Druckkontakte bei allen Leistungs- und Hilfsanschlüssen anstelle von Lötverbindungen. Integration der neuesten Chiptechnologie: • • • • Niedrige Schaltverluste bei 600 V oder 1200 V, homogene NPT IGBTs mit antiparallel geschalteten CAL-Dioden
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bsm 25 gd 1200 n2
Abstract: bsm 75 gd 120 n2 siemens mosfet BSM 50 siemens igbt bsm 50 gd 120 n2 Thyristor Tabelle BSM15GD BSM15GD120DN 250068 BSM15GD120DN2
Text: Technische Angaben Technical Information 1 Übersicht IGBT-Module 1 Overview IGBT Modules Hochsperrende spannungsgesteuerte Bipolar-Module Insulated Gate Bipolar Transistor modules Produktpalette Product Range IGBT-Module mit den Spannungen 600 V, 1200 V und 1700 V und im Strombereich
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SKiip 83 EC 125 T1
Abstract: SKiiP 82 AC 12 T1 SKiiP 81 AN 15 T1 semikron SKHI 22 SPICE MODEL semikron skiip 32 nab 12 T7 SKiip 83 EC 12 1 T1 SKiiP 24 NAB 063 T12 skiip 83 ac 128 BUZ78 equivalent SKIIP 81 AC 12 I T1
Text: 0 Betriebsweise von Leistungshalbleitern Betriebsweise von Leistungshalbleitern 0.1 Elementare Schaltvorgänge Leistungshalbleiter arbeiten bis auf wenige Sonderanwendungen im Schalterbetrieb. Daraus resultieren grundlegende Prinzipien und Funktionsweisen, die in allen leistungselektronischen
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sy 170
Abstract: SY 356 SY 360 05 sy 710 sy 360 Dioden SY 250 byx 21 SY 320 sy710 Halbleiterbauelemente DDR
Text: FUNKAMATEUR-Bauelementeinformation VD Vergleichsliste für Dioden DDR/international D D R - Vergleichs Typ typ GA 100 G A 101 G A 102 GA 104 G A 105 GAY 61 GAY 64 SA 412 SA 415 SA 418 SAY 12 SAY 16 o SAY 17 SAY 18 SAY 20 SAY 30 SAY 32 SAY 40 SAY 42 SY 170
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N4001.
sy 170
SY 356
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sy 710
sy 360
Dioden SY 250
byx 21
SY 320
sy710
Halbleiterbauelemente DDR
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transistor eft 323
Abstract: EFT 323 transistor BC-108 6001-015 service-mitteilungen bc149 EFT323 bauelemente DDR OA1180 TRANSISTOR BC 187
Text: S E R V I C E - MI TTEILUNGEN r a d i o -television DATUM: Juli 1973 VEB INDUSTRIEVERTRIEB RUNDFUNK UND FERNSEHEN AUSGABE: 8/73 Neu« Import - Geräte LUDWIK und JUBILAT - Rundfunkempfänger aus der VR Polen Aua der VR Polen werden o.g. Rundfunkempfänger importiert. Beide Ge
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SRB 012.028
Abstract: granat 216 KD410A service-mitteilungen junost 603 SY360 keramische Werke Hermsdorf KT339A SES N 2405 sy 360
Text: SERVICE-MITTEILUNGEN VEB INDUSTRIEVERTRIEB RUNDFUNK UND FERN SEH EN g M S 1r a d io - television 1 7 J 0 L I 1 9 8 <f Mitteilung aus dem VEB Stern-Radio Sonneberg Neue AM/FM-ZF-Filter in Heimempfändern Auf Grund technischer Weiterentwicklung und Qualität8verbessernder
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OO-08
00-y0
neu105
225/PA
SRB 012.028
granat 216
KD410A
service-mitteilungen
junost 603
SY360
keramische Werke Hermsdorf
KT339A
SES N 2405
sy 360
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SERVICE-MITTEILUNGEN
Abstract: GAY60 OA625 OA645 rft lautsprecher servicemitteilungen Dioden GA 100 RFT Dioden OA665 RFT Plattenspieler
Text: SERVICE-MITTEILUNGEN V E B IN D U S T R IE V E R T R IE B R U N D F U N K U N D F E R N S E H E N Mi E-Ê111 1r a d i o AUSGABE: -television | DATUM: 11/73 Sept. 1973 A U S S T E L L U N G /z fa M Rationalisierungsmittel im RFT - Service AM 2 1 . SEPT. 1973
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R28/R29/C18
R29/C18;
SERVICE-MITTEILUNGEN
GAY60
OA625
OA645
rft lautsprecher
servicemitteilungen
Dioden GA 100
RFT Dioden
OA665
RFT Plattenspieler
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telefunken transistoren
Abstract: service-mitteilungen halbleiter telefunken funkschau Radio Fernsehen Elektronik Servicemitteilungen telefunken dioden VEB INDUSTRIEVERTRIEB RUNDFUNK UND FERNSEHEN stassfurt diode sy 526
Text: SERVICE-MITTEILUNGEN V EB IN D U S T R IE V E R T R IE B R U N D F U N K U N D FE R N S E H E N AUSGABE: r a d i o -television 675 J ü N I S S IT Ï 1-6 Der "CHASAR - 401" wird aus der Sowjetunion importiert« Ss handelt sich bei diesem Gerät um einen Kofferempfänger der unteren Preisgruppe. Die tech
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13t681·
III/18/379
telefunken transistoren
service-mitteilungen
halbleiter telefunken
funkschau
Radio Fernsehen Elektronik
Servicemitteilungen
telefunken dioden
VEB INDUSTRIEVERTRIEB RUNDFUNK UND FERNSEHEN
stassfurt
diode sy 526
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transistor BD 512
Abstract: transistor kt 801 transistor kt Diode KD 202 junost 603 kt801b GT 404 GT313B MP 41 transistor MP42A
Text: Mau« Import - Geräte Bewdetisoher s/w-gernsehkofferempfänKor " J ü M 0 S T 603 Hit dam Import dos linksseitig skizzier ten Fernsehportable aus dsr Sowjetunion vird die s.Z. in dieser Geräteklasse be stehende liarktlüoke geschlossen. Das Gerät ist für den Bmpfang aller Fern
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12-VAkku
/50Hz
III/18/379
transistor BD 512
transistor kt 801
transistor kt
Diode KD 202
junost 603
kt801b
GT 404
GT313B
MP 41 transistor
MP42A
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DL038D
Abstract: Scans-048 DL038 138A1 DSAGER00017 TGL DDR
Text: Vorläufige technische Daten In te rn a tion ale r V e rg le ich sty p : S N 74 L S 38 W 4 NA ND -Leistungsgatter mit offenem Kollektorausgang und je 2 Eingängen in L o w - Power-Schottky-Technologie Y - M jmessunqen in mm 14 13 12 ,j=L_e3L.CX^0 _0 _C1„£X„,
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RGK20
Abstract: EUPEC Thyristor W101 thyristor 250 2 D 215 diode code b33
Text: EUPEC blE D 34032T? 0001205 flbO • U P E C AD 50 F Elektrische Eigenschaften Electrical properties H öchstzulässige W erte M axim um rated values Periodische V orwärtsS pitzensperrspannung repetitive peak forw ard off-state voltage tv: — V orw ärts-Stoßspitzenspannung
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3403ET?
Q001205
RGK20
EUPEC Thyristor
W101
thyristor 250 2 D 215
diode code b33
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siemens BSM b2
Abstract: smd zener GD AX transistor fp 1016 79 p Siemens anwendungsbeispiele siemens igbt BSM 25 gb 100 d BTS412A DIODE ZENER BZW 04 TRANSISTOR EN SMD TZ N-Kanal FET BTS542R
Text: Technische Angaben SIPMOS-Leistungstransistoren und Dioden SIPMOS-Leistungstransistoren Transistoren im Bereich 50 V . 1000 V, 1,5 A . 60 A und 18 mQ . 8 Q. P -K a n a l N-Kanal Produktpalette • • • • • N- und P-Kanal-Anreicherungstypen FREDFET
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B152-B6299-X-X-7400
siemens BSM b2
smd zener GD AX
transistor fp 1016 79 p
Siemens anwendungsbeispiele
siemens igbt BSM 25 gb 100 d
BTS412A
DIODE ZENER BZW 04
TRANSISTOR EN SMD TZ
N-Kanal FET
BTS542R
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BT diode
Abstract: ECONOPACK mounting instructions bsm 25 gd 1200 n2 bsm 75 gd 120 n2 bsm 50 gd 120 n2 calculation of IGBT snubber siemens igbt BSM 200 GA 120 BSM15GD120DN2 diode bym 26 siemens igbt BSM 100
Text: Technische Angaben Technical Information SIEMENS 1 Übersicht IGBT-Module 1 O verview IG BT Modules Hochsperrende spannungsgesteuerte Bipolar-Module Insulated Gate Bipolar Transistor modules Produktpalette Product Range IGBT-Module mit den Spannungen 600 V,
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gc 301
Abstract: selen-gleichrichter GAZ17 GY125 GD244 VEB M ik ro e le k tro n ik 04A657 ITT transistoren ga106 selen
Text: Erläuterung der Kurzzeichen von Halbleiterbauelem enten Transistoren B b C 1 15 C 22 b C 1h 2 i ä f h2 1o fT f F 1121 o | Il I2Tj| I E> Im o 11 • i>; o le n s IrKV Io Ic I K Bo In I d l^tot B ung Basisschaltung, Basis E in g an g sk ap azität MOS -FE T )
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diode sy 162
Abstract: SC236D 6P14P diode sy SF 127 C GF147S 6D22S 6P45S ECC88 6n23p
Text: SERVICE-MITTEILUNGEN VEB IN DUSTRIEVERTRIEB RUNDFUNK UND FERNSEHEN iR iU ii 1r a d i o - t e i e v i s l o n I SEITE JUNI 1 9 8 1 b 1 - 7 Mitteilung aus dem VEB RFT Industrievertrieb R.u.F. Leipzig / S SERVICE-ANLEITUNG zum Translstor-Taschenempfänger "Signal 402"
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Halbleiterbauelemente DDR
Abstract: Dioden SY 250 diode sy-250 B250C135 u103d GD244 transistor gc 301 SAM42 diode sy 166 D172C
Text: electronic Halbleiter-Bauelemente Die vorliegende Übersicht enthält in gedrängter Form die wichtigsten Grenz-und Kenndaten der in der DDR getertigten Halbleiterbauelemente. Die Kennwerte werden im allgemeinen für eine Umgebungs temperatur von 25 °C angegeben.
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6x10x12
Halbleiterbauelemente DDR
Dioden SY 250
diode sy-250
B250C135
u103d
GD244
transistor gc 301
SAM42
diode sy 166
D172C
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5252 F 1006
Abstract: 40r6 NF 846 RFT service-mitteilungen "service-mitteilungen" vqe 21 RFT Servicemitteilungen servicemitteilungen service-mitteilungen 5252 f 1201
Text: SERVICE-MITTEILUNGEN 12-15 Iradio - television VEB RFT INDUSTRIEVERTRIEB RUNDFUNK UND F E R N S E H E N Ausgabe Seite S e p t. 88 1- 3 16 M itte ilu n g aus dem VEB S te r n -B a d io B e r l in , K u n d en d ien st Laufw erk MU 3oo S-DB - S e r v ic e v a r ia n te n
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K/10--
K/10-10
5252 F 1006
40r6
NF 846
RFT service-mitteilungen
"service-mitteilungen"
vqe 21
RFT Servicemitteilungen
servicemitteilungen
service-mitteilungen
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KF 517
Abstract: transistor KF 517 Transistoren DDR service-mitteilungen KF517 transistor gt 322 b1 Ziphona bauelemente DDR servicemitteilungen KT326B
Text: SERVICE-MITTEILUNGEN V E B IN D U ST R IE V E R T R IE B R U N D FU N K UND FE R N SE H E N piy!E§HÜ [r a d io -television] APRIL 1976 S5ITS 1-8 SHJLENBANDGERÄT "B 90” TESLA - .B 90" Zu den Importen bei Spulentonbandgeräten wird künftig auch das TESLA-Erzeugnis "B 90"
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KF 517
transistor KF 517
Transistoren DDR
service-mitteilungen
KF517
transistor gt 322 b1
Ziphona
bauelemente DDR
servicemitteilungen
KT326B
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Eupec diode
Abstract: AL 1450 DV
Text: EUPEC blE D • 34032T7 DQ01211 OLM H U P E C AD 60 F Elektrische Eigenschaften Electrical properties Höchstzulässige Werte Maximum rated values Periodische VorwärtsSpitzensperrspannung repetitive peak forward off-state voltage t.jj — —40°C . tvj max
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34032T7
DQ01211
Eupec diode
AL 1450 DV
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