kp20a
Abstract: KP100a KP10A KP30A KP28A KP24A KP36A KP12A KP15A KP36
Text: 5 KP 6.5 . 5 KP 110CA Unidirectional and bidirectional Transient Voltage Suppressor Diodes Unidirektionale und bidirektionale Spannungs-Begrenzer-Dioden Peak pulse power dissipation Impuls-Verlustleistung 5000 W Maximum stand-off voltage Maximale Sperrspannung
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110CA
UL94V-0
kp20a
KP100a
KP10A
KP30A
KP28A
KP24A
KP36A
KP12A
KP15A
KP36
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semikron thyristor
Abstract: GAL -700E -1 Thyristor Tabelle Dioden Tabelle Dioden GA 100 Semikron Semitop 3 Thyristor 3kV kode diode BT thyristor GAH 3
Text: 17. SEMITOP : Das innovative Gehäusekonzept für die kleine und mittlere Leistung Merkmale Typische Anwendungen • Kompaktes Gehäusedesign konform mit UL 1557 und • Umrichter für Motorsteuerung VDE 0160 Normen • USV, Schaltnetzteile • Robuste Lötanschlüsse für Leiterplattenmontage
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Dioden BY 251
Abstract: No abstract text available
Text: 5KP 6.5 . 5KP 110A 5KP 6.5C . 5KP 110CA Unidirectional and bidirectional Transient Voltage Suppressor Diodes Unidirektionale und bidirektionale Spannungs-Begrenzer-Dioden Peak pulse power dissipation Impuls-Verlustleistung 7,5 ±0.1 62.5 ±0.5 Ø 8 ±0.1
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110CA
UL94V-0
110CA
Dioden BY 251
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SKiip 83 EC 125 T1
Abstract: SKiiP 82 AC 12 T1 SKiiP 81 AN 15 T1 semikron SKHI 22 SPICE MODEL semikron skiip 32 nab 12 T7 SKiip 83 EC 12 1 T1 SKiiP 24 NAB 063 T12 skiip 83 ac 128 BUZ78 equivalent SKIIP 81 AC 12 I T1
Text: 0 Betriebsweise von Leistungshalbleitern Betriebsweise von Leistungshalbleitern 0.1 Elementare Schaltvorgänge Leistungshalbleiter arbeiten bis auf wenige Sonderanwendungen im Schalterbetrieb. Daraus resultieren grundlegende Prinzipien und Funktionsweisen, die in allen leistungselektronischen
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: BY 251.BY 255, BY 1600.BY 2000 Silizium Gleichrichter Silicon Rectifier 3A Nominal current Nennstrom 200.2000 V Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung Plastic case Kunststoffgehäuse -D O -201 Weight approx. Gewicht ca. 1g Plastic material has UL classification 94V-0
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UL94V-0
R0D1RS14
000017S
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SKiiP 33 NEC 125 To
Abstract: semikron skiip 33 NEC 125 skiip 33 nec 125 t semikron ASIC SKIC semikron skiip 33 nec Semikron Semitop sk 70 kq 12 skiip 11 nec 06 1 Semikron Semitop sk 45 kq 12 MiniSKiiP 8 semikron skiip 33
Text: MiniSKiiP Technologie Druckkontakte bei allen Leistungs- und Hilfsanschlüssen anstelle von Lötverbindungen. Integration der neuesten Chiptechnologie: • • • • Niedrige Schaltverluste bei 600 V oder 1200 V, homogene NPT IGBTs mit antiparallel geschalteten CAL-Dioden
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ABB DSDI 17-04
Abstract: dsdi 7-015 DSDI 17-14 b DSDI 5-08 abb DSDi 110 DSDI 20-01 b DSDI 17-10 b dsdi 7-015 A DSD 35-12 dsdi 7 01A
Text: A S E A BROüJN/ABB A3 SENICON OG4ÔBOÔ Q O D D l t B D1 0 3 - 0 / T - Schnelle Dioden D iode V rr m D SD Fast switching diodes Ifrms DSOI Tc Ifavm Tc - lOCPC A(°C) A(°C) If a v i 8,3 ms DSDI 5-04 A DSD1 5 -0 6 A DSDI 5 -0 8 A DSDI 7-01 A DSDI 7-01 5 A
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Halbleiterbauelemente DDR
Abstract: transistor vergleichsliste u82720 Datenblattsammlung VEB mikroelektronik aktive elektronische bauelemente ddr mikroelektronik datenblattsammlung je 3055 Motorola mikroelektronik DDR Transistor Vergleichsliste DDR
Text: íx}i3í iu ]9n;g'q s p o s i l i o j p j S j © DNmiAf W¥S±±na N31¥Q >l!UDüq>|! ZUR B E A C H T U N G Die vorliegenden Datenblätter beinhalten ausführliche technische Angaben von aktiven elektronischen Bauelementen des in den "Listen Elektronischer Bauelemente und Bausteine" LEB)
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R-1035
Halbleiterbauelemente DDR
transistor vergleichsliste
u82720
Datenblattsammlung
VEB mikroelektronik
aktive elektronische bauelemente ddr
mikroelektronik datenblattsammlung
je 3055 Motorola
mikroelektronik DDR
Transistor Vergleichsliste DDR
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sy 170
Abstract: SY 356 SY 360 05 sy 710 sy 360 Dioden SY 250 byx 21 SY 320 sy710 Halbleiterbauelemente DDR
Text: FUNKAMATEUR-Bauelementeinformation VD Vergleichsliste für Dioden DDR/international D D R - Vergleichs Typ typ GA 100 G A 101 G A 102 GA 104 G A 105 GAY 61 GAY 64 SA 412 SA 415 SA 418 SAY 12 SAY 16 o SAY 17 SAY 18 SAY 20 SAY 30 SAY 32 SAY 40 SAY 42 SY 170
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N4001.
sy 170
SY 356
SY 360 05
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sy 360
Dioden SY 250
byx 21
SY 320
sy710
Halbleiterbauelemente DDR
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VEB mikroelektronik
Abstract: Mikroelektronik Information Applikation mikroelektronik Heft 12 Radio Fernsehen Elektronik 1977 Heft 9 information applikation information applikation mikroelektronik mikroelektronik DDR Halbleiterbauelemente DDR aktive elektronische bauelemente ddr mikroelektronik Heft
Text: m B Ik i^ ts je le l-c te n o r iil-c information Applikation m l^ o e le l-c fe n a riil-c Information Applikation H EFT 17 LEISTUNGSELEKTRONIK 4 Die sicheren A rbeitsbereiche Leistungsschalttransistoren VEB MIKROELEKTRONIK „VARLIIE8KNECHT“57AHNSDORP
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57AHNSDORP
VEB mikroelektronik
Mikroelektronik Information Applikation
mikroelektronik Heft 12
Radio Fernsehen Elektronik 1977 Heft 9
information applikation
information applikation mikroelektronik
mikroelektronik DDR
Halbleiterbauelemente DDR
aktive elektronische bauelemente ddr
mikroelektronik Heft
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FD6666 diode
Abstract: diode BY100 1N4Q07 BA100 diode BY164 BB139 BAY38 diode aa119 1S184 diode 1N82
Text: mil UIIAGHRISnCS [M IN IS i SDISlimiS BY B J . B AB A N I la TANDY CORPORATION Although every c are is taken with the p rep aration of this book the p u b lish ers will not be resp on sib le for any e r r o r s that might occur. 1975 I. S. B. N. 0 900162 46 5
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A4/10
A5/62
A5/105
A1000
AA100
AA110
AA111
AA112
AA113
AA114
FD6666 diode
diode BY100
1N4Q07
BA100 diode
BY164
BB139
BAY38
diode aa119
1S184 diode
1N82
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Arcom Control Systems
Abstract: AIM104 J538 arcom AIM104-
Text: eREL-1 PC/104 Relay-Modul Hardware-Manual Ausgabe November 1998 PHYTEC Meßtechnik GmbH • Robert-Koch-Straße 39 • D-55129 Mainz Telefon: +49 6131 9221-0 • Telefax: +49 (6131) 9221-33 WWW: http://www.phytec.de • E-Mail: info@phytec.de Nachdruck durch PHYTEC GmbH Mainz
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PC/104
D-55129
AIM104-RELAY8/IN8
AIM104
AIM104-Module
L-273d
Arcom Control Systems
J538
arcom
AIM104-
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BA100 diode
Abstract: BA102 AAY20 B2M1-5 1N2528 PH1021 OA210 diode DIODE AA116 BB105 GAZ17
Text: r im m i if Hill tWIBHHH ElBtlAlEHTS I SIISHIIffl IT 1 . 1. m n t IElHlllS{|iliitltrs|lfl The Grampians Shepherds Bush Road,. London W6 7NF ' ' Although every care is taken with the preparation o f this book the publishers will, not be responsible fo r any
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A4/10
A5/62
A5/105
A1000
AA100
AA110
AA111
AA112
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AA114
BA100 diode
BA102
AAY20
B2M1-5
1N2528
PH1021
OA210 diode
DIODE AA116
BB105
GAZ17
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mikroelektronik ddr
Abstract: Halbleiterbauelemente DDR VEB mikroelektronik vqb 71 A910D VQB71 "halbleiterwerk frankfurt" diode sy-170 VQB 37 u112d
Text: Halbleiter-Bauelemente Semiconductors Die vorliegende Übersicht enthält in gedrängter Form die wichtigsten Grenz- und Kenn daten der in der DDR gefertigten Halbleiterbauelem ente. Dem Anwender soll durch diese Übersicht die Auswahl der jeweils in Frage kommenden
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Belcanto ST 3010
Abstract: atakassette Belcanto ST 3001 Stern Radio VEB Kombinat service-mitteilungen robotron stern elite Sonneberg Phonett
Text: SERVICE-MITTEILUNGEN V E B INDUSTRIE V E RTR IEB RU ND FU NK UND FE RN SE H EN r a d i o -television AUSGABE: S E IT E AUGUST 1 - ö Import* Zu dan BandgeräteImporten des Jahres '1974- gehören auch die ungarischen Stereo-Kassetten-Tonbandgeräte MK-!»2/MK'lt3
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III/18/379
Belcanto ST 3010
atakassette
Belcanto ST 3001
Stern Radio
VEB Kombinat
service-mitteilungen
robotron
stern elite
Sonneberg
Phonett
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A109d
Abstract: Halbleiterbauelemente DDR VEB mikroelektronik mikroelektronik DDR a211d B109D "halbleiterwerk frankfurt" VEB Kombinat zf filter VEB Kombinat halbleiterwerk
Text: Halbleiter-Bauelemente Semiconductors 1981 D ie vorliegende Übersicht enthält in gedrängter Form die wichtigsten Grenz- und Kenn daten der in der D D R gefertigten H albleiterbauelem ente. Dem Anw ender soll durch diese Übersicht die Auswahl d er jew eils in Frage kommenden
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k3882
Abstract: TAA 981 E25C5 TC8066PB sn 8400 sn 8408 selen-gleichrichter Halbleiterbauelemente DDR A109D SY 170
Text: [ n r D D lk D ^ i^ B lB k f a n a n ilK Halbleiter-Bauelemente Kurzinformation D ie M ik ro e le k tro n ik e rw e is t sich in te rn a tio n a l m e h r u n d m eh r a ls e in e n ts c h e id e n d e r F a k to r be i d e r D u rc h s e tz u n g d e s w isse n s c h a ftlic h -te c h n is c h e n F o rts c h ritte s a lle r B ere ich e d e r W irts c h a ft un d
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4011N
Abstract: 4013N 4011-N 94HB IC 4015N TIF140 P3055 4021N Bc 140 transistor transistor BC 55 gb
Text: Leiterplattenführung horizontal Horizontal Press-in Card Guide CGI-W-160 r Nur eine Standardlänge speziell für Leiterplatten mit max. 2,3 mm Stärke, Wandhöhe 2,4 mm. One standard lenght for PCBs with max. 2,3 mm thickness, wall height 2,4 mm. r Montage: / Mounting:
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CGI-W-160
H1-50
H2-50
D-85640
4011N
4013N
4011-N
94HB
IC 4015N
TIF140
P3055
4021N
Bc 140 transistor
transistor BC 55 gb
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101ra100
Abstract: 22RC10 71RA120 36RA80 101RC60 PR002W 40RCS60 151ra100 250pa120 250RA80
Text: EUROPEAN CATALOGUE CATALOGO EUROPEO EUROPAISCHER KATALOG CATALOGUE EUROPEEN In tro d u c tio n The products specified in this shortform catalogue have been selected from the comprehensive range manufactured by the International Rectifier group of Companies.
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melcher LM 1000 mk II
Abstract: Melcher AG smrf 51-6 IEC905 melcher LM 1000 PSB 483-7LiR PSC 126-7LiR EN50125 melcher bM 1000 mk II melcher aM 1000 mk II lm 3000 melcher
Text: Melcher Produktklassen definiert nach Umgebungsbedingungen Produktklasse für extreme Umgebungen Rugged Environment Ideal für mobile Anwendungen, bei denen hohe EMV, Stoss-, Schock- und Vibrationsfestigkeit gefordert werden oder wo extreme Temperaturen herrschen. Diese Produkte
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I-20159
melcher LM 1000 mk II
Melcher AG smrf 51-6
IEC905
melcher LM 1000
PSB 483-7LiR
PSC 126-7LiR
EN50125
melcher bM 1000 mk II
melcher aM 1000 mk II
lm 3000 melcher
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melcher LM 1000 mk II
Abstract: melcher bM 1000 mk II MELCHER LM 2000 chopper power supply melcher lsr 3005 melcher LM 1000 melcher aM 1000 mk II melcher bM 1000 melcher SMR 51.5-7 smr 53-7 Melcher Mestro 300
Text: Melcher Produktklassen definiert nach Umgebungsbedingungen Produktklasse für extreme Umgebungen Rugged Environment Ideal für mobile Anwendungen, bei denen hohe EMV, Stoss-, Schock- und Vibrationsfestigkeit gefordert werden oder wo extreme Temperaturen herrschen. Diese Produkte
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I-20159
melcher LM 1000 mk II
melcher bM 1000 mk II
MELCHER LM 2000 chopper power supply
melcher lsr 3005
melcher LM 1000
melcher aM 1000 mk II
melcher bM 1000
melcher SMR 51.5-7
smr 53-7
Melcher Mestro 300
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str f 6264
Abstract: BROWN BOVERI str 6264 uge 1112 AY4 rectificadores "sim welding" diagram Kopp MS 85 ABB CO-8 CI 6264 din 6900
Text: High Voltage rectifiers Hochspannungsgleichrichter Edition 97 Reg. Nr. 2743-02 Symbols and Definitions Kurzzeichen und Begriffe a Acceleration a Rüttelfestigkeit IF AV M IF(RMS) IFSM IR Maximum mean forward current Maximum RMS forward current Surge forward current
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VEB mikroelektronik
Abstract: "Mikroelektronik" Heft GWS servo VEB Kombinat zf filter lm 7803 3V Positive Voltage Regulator E355D "halbleiterwerk frankfurt" mikroelektronik Heft U706D VQB71
Text: H albleiter-B auelem ente Semiconductors D ie vorliegend e Übersicht en th ält in g ed rä n g te r Form d ie wichtigsten G renz- und Kenn d aten d e r in d er D D R g efertigten H a lb le ite rb au e le m e n te . Dem A n w en der soll durch diese Übersicht die Auswahl der jew eils in Frage kom menden
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LDR 03
Abstract: valvo halbleiter LDR -03 cny63 CNY62 BYX 71 800 CXY19 VALVO ldr 07 BZW10-12
Text: Halbleiter bauelemente • 1981/82 N, Bauelemente l m für die gesamte i f Elektronik V A L V O Valvo bietet das breiteste Produktprogram m an Bauelementen für die gesamte Elektronik in Deutschland: Bildröhren A blenkteile Tuner Lautsprecher Transform atoren
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