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Abstract: No abstract text available
Text: UNISONICTECHNOLOGIESCO., LTD UTT120P06 Preliminary Power MOSFET 1 2 0 A, 6 0 V P-CH AN N EL POWER M OSFET ̈ DESCRI PT I ON The UTC UTT120P06 is a P-channel power MOSFET using UTC’s advanced technology to provide the customers with high switching speed and a minimum on-state resistance. It can also
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Original
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UTT120P06
UTT120P06
UTT120P06L-TA3-T
UTT120P06G-TA3-T
QW-R502-728
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21l1
Abstract: 22L2
Text: Optointerrupter S p e c ific a tio n s H21L1, H21L2 Optointerrupter G aA s Infrared Emitting Diode and Microprocessor Compatible Schmitt Trigger Module with 1mm Aperture MILLIMETERS ' sy m bo l!
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H21L1,
H21L2
21l1
22L2
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diode sy 345
Abstract: diode SY 192 sd 339 sy 320 diode SD 338 SY 345 KT 829 b k3451 KT 828 A SD337
Text: SERVICE-MITTEILUNGEN V E B R F T I N D U S T R I E V E R T R I E B R U N D F U N K UND F E R N S E H E N t B i n n a |r a d i o - t e l e v i s i o n I Ausgobe 1-2 _ _ Febr. 89 1-7 Mitteilung aus dam VEB RFT IV RuF Leipzig, Organisation Plan der Inventurtermine Ersatztell/sroßhandel 1989
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III/18/379
diode sy 345
diode SY 192
sd 339
sy 320 diode
SD 338
SY 345
KT 829 b
k3451
KT 828 A
SD337
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Diode SY 345
Abstract: transistor TIP 320 1080min sy 320 diode
Text: SLOTTED OPTICAL SWITCH OPTOELECTRONICS QVA SERIES DESCRIPTION PACKAGE DIMENSIONS SEE NOTE 3 [S T S OPTICAL ' 125 a 1 8 >CENTERLINE H -.485 (12.32 r .110 (2.79) .345 (8.78) The QVA series of switches is designed to allow the user maximum flexibility in applications. Each switch consists
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QVA11123
QVA11124
QVA11223
QVA11224
QVA11323
QVA11324
QVA11133
QVA11134
QVA11233
QVA11234
Diode SY 345
transistor TIP 320
1080min
sy 320 diode
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Diode KD 514
Abstract: B30C250 GD507A DIODE OA-172 kyx 28 SY360 ky 202 h thyristor B280C1500 C5000-3300 BZY79C
Text: Deutsche Post Studiotechnik Fernsehen BauelementeMitteilunq Nr.7 Diodenvergleichsliste Verfasser: Dipl.-Ing. Klaus-Peter Hartmann Abteilung PMM Herausgeber: \>y Studiotechnik Fernsehen Informationsstelle RIS 1429 1 19 9 Berlin Rudower Chaussee 3 Fernruf: 6 7 3 3381
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Diode SY 356
Abstract: SY 356 sy356 34992 diode sy 345 C6042 Lautsprecher LP SY360 sy 360 stassfurt
Text: SERVICE-M ITTEILUNGEN V E B IN O U S T R tE V E R T R IE B R U N D F U N K U N D F E R N S E H E N r a d i o -television AUSGABE: Seite 1986 1-4 Mitteilung aus den VEB Fernsehgerätewerk Staßfurt 1. Ablösung der sowjetischen Ge-Diode D 7 D in den Geräten
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2001/DBBtjT
Diode SY 356
SY 356
sy356
34992
diode sy 345
C6042
Lautsprecher LP
SY360
sy 360
stassfurt
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"DIODE" SY 171 1 g
Abstract: diode sy 171 Diode SY 345 diode sy 171 10 diode sy 170 "DIODE" SY 171 1 "DIODE" SY 171 ds 1494 1428m
Text: AD VA NC E D POWER TECHNOLOGY M IE D • □SST'IO'i 00Q 0Sfl2 fllG HAVP A d van ced po w er Te c h n o lo g y APT40M42BFN 400V 95.0A 0.042 APT35M42BFN 350V 95.0A 0.042 POWER MOS IV N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOST MAXIMUM RATINGS All Ratings: Tc = 25°C unless otherwise
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APT40M42BFN
APT35M42BFN
MIL-STD-750
"DIODE" SY 171 1 g
diode sy 171
Diode SY 345
diode sy 171 10
diode sy 170
"DIODE" SY 171 1
"DIODE" SY 171
ds 1494
1428m
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mikroelektronik Heft 12
Abstract: SY 185 Radio Fernsehen Elektronik 1977 Heft 9 B260D information applikation keramische Werke Hermsdorf mikroelektronik Heft 10 VEB mikroelektronik information applikation mikroelektronik mikroelektronik DDR
Text: li ii iff li i l •> ■! l l ■! *i n lil i KBD Information Applikation ANSTEUER SCHALTKREIS FÜR SCHALTNETZTEILE UND GLEICH SPANNUNGSWANDLER — R«ge verstarkm B 260 Informations- und Applikationshefte „M IK R O E LE K TR O N IK " Bisher erschienen:
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Halbleiterbauelemente DDR
Abstract: sy 170 diode sy-180 diode sy 171 10 diode sy-170 mikroelektronik DDR mikroelektronik Heft 12 VEB mikroelektronik SY 180 Applikation Information
Text: m o ß ^ t s ie le l- c ia n o r ill- i Information Applikation INFORMATION A PPLIKA TIO N M IK R O E L E K T R O N IK Heft 16: L E IS T U N G S -E L E K T R O N IK II Bauelemente-Sortiment der DDR -Teil 1: Dioden- VEB GLEICHRICHTERWERK STAHNSDORF im VEB Kombinat Mikroelektronik
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diode sy 171 10
Abstract: diode sy 171 Diode SY 345 "DIODE" SY 171 "DIODE" SY 171 1 diode sy 170 LD 757 ps SY 345 APT40M42BFN Diode SY 350
Text: AD VA NC ED PO WE R T E C H N O L O G Y MIE D Hi □SST'JCH 0 0 0 0 5 0 8 AIO M A V P A dva n c ed P o w er ^ Tec h n o lo g y APT40M42BFN 400V 95.0A 0.042 APT35M42BFN 350V 95.0A 0.042 POWER MOS IV N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFEp*
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0000SÃ
APT40M42BFN
APT35M42BFN
97702-1035bol
MIL-STD-750
diode sy 171 10
diode sy 171
Diode SY 345
"DIODE" SY 171
"DIODE" SY 171 1
diode sy 170
LD 757 ps
SY 345
Diode SY 350
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diode sy 345
Abstract: No abstract text available
Text: Philips Semiconductors Product specification Rectifier diodes PBYR1545CTF series schottky barrier_ _ GENERAL DESCRIPTION Dual low leakage, platinum barrier, schottky rectifier diodes in a full pack plastic envelope, featuring low
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PBYR1545CTF
OT186
diode sy 345
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diode sy 345
Abstract: T0220AB
Text: Philips Semiconductors Objective specification PowerMOS transistor GENERAL DESCRIPTION PHP3055E QUICK REFERENCE DATA N-channel enhancement mode field-effect power transistor in a plastic envelope featuring high avalanche energy capability, stable blocking voltage, fast switching and
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PHP3055E
T0220AB
100A4is;
diode sy 345
T0220AB
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Abstract: No abstract text available
Text: □IXYS MUBW 15-12 A7 Advanced Technical Information Converter - Brake - Inverter Module cbi2 21 D11 D13 £ 2Ï 1 22 D15 1£ 2 3 >""""^1 1 D14 D12 k 1£ 2Ï D16 23 Three Phase Rectifier Brake Chopper Three Phase Inverter VRRM = 1600V *DAVM = 36 A lC QM = 300
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Abstract: No abstract text available
Text: □IXYS MUBW 25-12 A7 Advanced Technical Information Converter - Brake - Inverter Module cbi2 21 D11 D13 £ 2Ï 1 D12 k 22 D15 1£ 2 >""""^1 3 1 D16 D14 1£ 2Ï 23 Three Phase Rectifier Brake Chopper Three Phase Inverter VRRM = 1600V *DAVM = 36 A lC QM = 300
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Diode SY 345
Abstract: STR F 6234 VEB mikroelektronik TRANSISTOR KT 837 mikroelektronik RFT STRALSUND RFT KB 100 Mitteilung VEB RFT EY500 aiwa tpr
Text: SERVICE-MITTEILUNGEN VEB RFT I N D U S T R I E V E R T R I E B RUNDFUNK UND FER N SE H EN ¡RimnM l r a d io - t e / e v is io n | Ausgabe 1988 9-11 Seite 1 - 12 1. Mitteilung aus dem VEB RFT Industrievertrieb RuF Leipzig, Bereich S Raduga 726/730 - Neues Äquivalent für den Hochspannungsgleich
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SAL 41
Abstract: rft mira diktat s Mitteilung VEB RFT Statron robotron RFT Service Mitteilung Sonneberg diode sy 345 schiebe servicemitteilungen
Text: SERVICE-MITTEILUNGEN VE 8 IN D U STRIEV ERTRIEB RUNDFUNK UND FERNSEHEN JAM.-MRZ. 1981 m m i 1r a d io - Television 1 1/3 SEITE 1-8 Mitteilung aus dem VEB RFT Industrievertrieb R.u.F Leipzig / S + LR Hinwe is e erzeugnisse zur Garantiegewährung Zusatzgarantie für Final
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VEB mikroelektronik
Abstract: Mikroelektronik Information Applikation mikroelektronik Heft 12 Radio Fernsehen Elektronik 1977 Heft 9 information applikation information applikation mikroelektronik mikroelektronik DDR Halbleiterbauelemente DDR aktive elektronische bauelemente ddr mikroelektronik Heft
Text: m B Ik i^ ts je le l-c te n o r iil-c information Applikation m l^ o e le l-c fe n a riil-c Information Applikation H EFT 17 LEISTUNGSELEKTRONIK 4 Die sicheren A rbeitsbereiche Leistungsschalttransistoren VEB MIKROELEKTRONIK „VARLIIE8KNECHT“57AHNSDORP
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57AHNSDORP
VEB mikroelektronik
Mikroelektronik Information Applikation
mikroelektronik Heft 12
Radio Fernsehen Elektronik 1977 Heft 9
information applikation
information applikation mikroelektronik
mikroelektronik DDR
Halbleiterbauelemente DDR
aktive elektronische bauelemente ddr
mikroelektronik Heft
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SMW70N06-14
Abstract: 4176 diode smw70n06 250JJ
Text: SMW70N06-14 fEX'SiEconix JJm in c o r p o r a te d N-Channel Enhancement Mode Transistor TO -247 AD TOP VIEW ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS 0 c = 25°C Unless Otherwise Noted PAR AM ETERS/TEST CO NDITIONS Gate-Source Voltage Continuous Drain Current Tc = 25°C
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SMW70N06-14
10peration
SMW70N06-14
4176 diode
smw70n06
250JJ
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VEB mikroelektronik
Abstract: "Mikroelektronik" Heft GWS servo VEB Kombinat zf filter lm 7803 3V Positive Voltage Regulator E355D "halbleiterwerk frankfurt" mikroelektronik Heft U706D VQB71
Text: H albleiter-B auelem ente Semiconductors D ie vorliegend e Übersicht en th ält in g ed rä n g te r Form d ie wichtigsten G renz- und Kenn d aten d e r in d er D D R g efertigten H a lb le ite rb au e le m e n te . Dem A n w en der soll durch diese Übersicht die Auswahl der jew eils in Frage kom menden
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Abstract: No abstract text available
Text: C i r c u i t D e s c r i p t io n Pin Descriptions Pin Name Description The first three pins described are defined and named depending upon the timing mode chosen for use. In timing modes 0,1 and 3, the pins F/BLANK*, H/HSYNC* and V/VSYNC* refer to BLANK*, HSYNC* and VSYNC*. In timing mode 2 they refer to F field , H (horizontal blank),
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lbM55
Bt858
160-pin
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SAL 41
Abstract: junost 603 MBA540 selen-gleichrichter RFT Dioden SERVICE-MITTEILUNGEN elko 50 uf KT 817 stassfurt R6C22
Text: SERVICE-MITTEILUNGEN VE B I N D U S T R I E V E R T R I E 8 R U N D F U N K U N D F E R N S E H E N ¡Rim ila r a d i o - t e l e v i s i o n ] Seite Dezember Sb 1981 1 - 4 Mitteilung aus dem VEB Fernsehgerätewerke "Friedr. Engels" Staßfurt I 4 Zusammenfassung technischer Änderungen beim.
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transistor t4B
Abstract: service-mitteilungen TRANSISTOR BC 109 transistor BC 238 Stassfurt VEB INDUSTRIEVERTRIEB RUNDFUNK UND FERNSEHEN servicemitteilungen Service Mitteilungen bc 201 transistor transistor BC
Text: SERVICE-MITTEILUNGEN V E B IN D U STRIEVERTRIEB RU N D FU N K UND F E R N SE H E N r a d io -television AUSGABE: 10/72 DATUM: H ov. <1972 Technische Hinweise für die Abfassung von Zuarbeiten zu den SERVICE - MITTEILUNGEN Wir bitten alle Interessenten, die unser Mitteilungsblatt für In
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Te1-041-1
178p/AC
uF/10
201/SY
transistor t4B
service-mitteilungen
TRANSISTOR BC 109
transistor BC 238
Stassfurt
VEB INDUSTRIEVERTRIEB RUNDFUNK UND FERNSEHEN
servicemitteilungen
Service Mitteilungen
bc 201 transistor
transistor BC
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SN 74H 004
Abstract: No abstract text available
Text: 74HC/HCT4051 MSI 8-CHANNEL ANALOG MULTIPLEXER/DEMULTIPLEXER FEATURES • • • • • • T Y P IC A L Wide analog input voltage range: ± 5 V. Low "O N " resistance: 80 £2 ityp . at - 4.5 V 70 Q typ.) at V c c - V EE= 6.0 V 60 £2 Etyp.) at V qc “ V EE=9.0 V
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74HC/HCT4051
SN 74H 004
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2SK 1110
Abstract: hd1-M -DC5V
Text: 2 S K 1 8 1 7 -M S IP M O S F U J I P O W E R M O S -F E T N-CHANNEL SILICON POWER MOS-FET _ TTT - r - l l i • Features ^ S E R I E S Outline Drawings • High current • Low no-resistance
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2SK1817-M
A2-247
2SK 1110
hd1-M -DC5V
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