FOTOTRANSISTOR
Abstract: transistor 9003 p935 Infrared Phototransistor Fototransistor with filter Infrared emitter sfh diode diode bzw 06
Text: SFH 900 SFH 900 feo06270 Miniatur-Reflexlichtschranken Miniature Light Reflection Switches Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale ● Reflexlichtschranken für den Nahbereich bis 5 mm Abstand
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feo06270
FOTOTRANSISTOR
transistor 9003
p935
Infrared Phototransistor
Fototransistor with filter
Infrared emitter
sfh diode
diode bzw 06
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BZW 22 DIODE ZENER
Abstract: 0633B 0615B DIODE ZENER BZW 03 0613B diode bzw 90 06-5V8B 0631B 0619B 06-342
Text: BZW06-5V8 B / 376(B) SERIES Transient Voltage Suppressor Diodes Voltage Range 5.8 to 376 Volts 600 Watts Peak Power DO-15 Features a a a a a a a a a UL Recognized File # E-96005 Plastic package has Underwriters Laboratory Flammability Classification 94V-0
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BZW06-5V8
DO-15
E-96005
MIL-STD-19500
260OC
06-213B
06-256B
06-273B
06-299B
06-342B
BZW 22 DIODE ZENER
0633B
0615B
DIODE ZENER BZW 03
0613B
diode bzw 90
06-5V8B
0631B
0619B
06-342
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DIODE ZENER BZW 06
Abstract: BZW 04-40B B DIODE ZENER BZW 04 diode bzw 06 04-19B 0419B 0415B diode bzw 90 04-213B DIODE ZENER BZW bipolar
Text: BZW04-5V8 B / 376(B) SERIES Transient Voltage Suppressor Diodes Voltage Range 5.8 to 376 Volts 400 Watts Peak Power DO-41 Features a a a a a a a a a UL Recognized File # E-96005 Plastic package has Underwriters Laboratory Flammability Classification 94V-0
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BZW04-5V8
DO-41
E-96005
MIL-STD-19500
260OC
04-213B
04-256B
04-273B
04-299B
04-342B
DIODE ZENER BZW 06
BZW 04-40B B
DIODE ZENER BZW 04
diode bzw 06
04-19B
0419B
0415B
diode bzw 90
04-213B
DIODE ZENER BZW bipolar
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Semipack skfh
Abstract: semikron skkt 56/14e semipack 1 skkt 19 semikron skkt 19 Semipack 1 skfh SKKD semikron semipack skkt 56/14 e Thyristor Tabelle skfh Z 151 VARISTOR
Text: 1. SEMIPACK Thyristor/Dioden - Module Besondere Merkmale Typische Anwendungen • Wärmeabfuhr über keramikisolierte Metall-Bodenplatte • Sanftanlaufgeräte für Wechselstrommotoren • Hartgelötete Verbindungen für höchste • Ungesteuerte Eingangs-Gleichrichter für
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SKiip 83 EC 125 T1
Abstract: SKiiP 82 AC 12 T1 SKiiP 81 AN 15 T1 semikron SKHI 22 SPICE MODEL semikron skiip 32 nab 12 T7 SKiip 83 EC 12 1 T1 SKiiP 24 NAB 063 T12 skiip 83 ac 128 BUZ78 equivalent SKIIP 81 AC 12 I T1
Text: 0 Betriebsweise von Leistungshalbleitern Betriebsweise von Leistungshalbleitern 0.1 Elementare Schaltvorgänge Leistungshalbleiter arbeiten bis auf wenige Sonderanwendungen im Schalterbetrieb. Daraus resultieren grundlegende Prinzipien und Funktionsweisen, die in allen leistungselektronischen
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MOROCCO B 108 B
Abstract: BZW50 BZW04P bzw 04P 15B
Text: BZW50-10,B/180,B TRANSILTM FEATURES PEAK PULSE POWER= 5000 W @ 1ms STAND-OFF VOLTAGE RANGE : From 10V to 180V UNI AND BIDIRECTIONAL TYPES LOW CLAMPING FACTOR FAST RESPONSE TIME UL RECOGNIZED AG Plastic DESCRIPTION Transil diodes provide high overvoltage protection by clamping action. Their instantaneous response to transients makes them particularly
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BZW50-10
B/180
MOROCCO B 108 B
BZW50
BZW04P
bzw 04P 15B
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RAST-5-Standard
Abstract: ei CM48 Lumberg connector lc4 CZK48 W02 diode Lumberg connector 2A SolarEdge Technologies
Text: closer LC3 LC4® contacts Verbindungslösungen für Photovoltaik-Systeme Standardprodukte und kundenspezifische Lösungen für • Modulhersteller • Komponentenhersteller • Installateure und Systemintegratoren System LC3® • • • besonders schlank
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pml 003 am
Abstract: ic pml 003 am pml 009 S1 DIODE cih smd pml 603 am smd diode code B2 diode bzw 06 26 G003 G008
Text: iC-NZ LASERDIODEN-PULSREGLER Ausgabe B2, Seite 1/20 EIGENSCHAFTEN ANWENDUNGEN ♦ Spitzenwertgeregelter Dreikanal-Laserschalter für CW- und Pulsbetrieb bis 155 MHz ♦ Spike-freies Schalten des Laserstroms bis ca. 100 mA pro Kanal in Summe max. 320 mA aus 3.5 bis 5.5 V
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QFN28
QFN28
pml 003 am
ic pml 003 am
pml 009
S1 DIODE
cih smd
pml 603 am
smd diode code B2
diode bzw 06 26
G003
G008
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Lumberg
Abstract: 61730 JT diode
Text: Verbindungslösungen für Photovoltaik-Systeme LC3 -JT und LC4®-JT Anschlussdosen für Dünnschichtmodule Junction boxes for Thinfilm modules LC3 JT LC4 JT Photovoltaik Anschlussdosen für Dünnschichtmodule1, ein polig mit Anschlussleitungen und Steckverbindern (alter
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datenbuch
Abstract: DATA SHEET OF IGBT FREDFET leistungstransistoren datenbuch transistor
Text: Erläuterungen der Datenblattwerte Explanation of Data Sheet Parameters 1 Symbole, Begriffe, Normen 1 Symbole und Begriffe der verwendeten Größen Symbols, Terms, Standards Symbols and Terms of Magnitudes Used Symbole Symbols Begriffe Terms A Anode Anode
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A66762-A4013-A58
Abstract: din IEC 747 leistungstransistoren Semiconductor Group igbt datenbuch
Text: Erläuterungen der Datenblattwerte Explanation of Data Sheet Parameters 1 Symbole, Begriffe, Normen 1 Symbole und Begriffe der verwendeten Größen Symbols, Terms, Standards Symbols and Terms of Magnitudes Used Symbole Symbols Begriffe Terms A Anode Anode
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: • bb53tm □ □ Eb7T3 bS2 H A P X N AMER PHILIPS/DISCRETE BZW 03 S E R IE S b^E D REGULATOR DIO DES Glass passivated diodes in hermetically sealed axial-leaded glass envelopes. They are intended for use as voltage regulator and transient suppressor diode in medium power regulation and transient suppression
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bb53t
03-C510
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IC270
Abstract: C82 diode IC120 IC200 BZW03 BZW03-C510 BZW03-C7V5 C100 C110 C120
Text: • bb5B^3]i □ □ 5 t i 7 t13 bSB B i A P X N AUER P H I L I P S / D I S C R E T E blE BZW 03 SERIES D REGULATOR DIODES Glass passivated diodes in hermetically sealed axial-leaded glass envelopes. They are intended fo r use as voltage regulator and transient suppressor diode in medium power regulation and transient suppression
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5ti7t13
A11ER
BZW03
BZW03-C7V5
BZW03-C510
OD-64.
02b7cifl
IC270
C82 diode
IC120
IC200
C100
C110
C120
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diode bzw 27
Abstract: St 97 BZW 50 diode bzw 90 diode bzw
Text: SìC S-THOMSON O THOMSON-CSiDIVISION SEMICONDUCTEURS i D • 7 ì 5 cì a 3 7 GOOZtibS 59C 02665 D T - / / a .3 B Z W 30-12 - * B Z W 30-486 UNIDIRECTIONAL TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSORS DIODES O f PROTECTION UNIDIRECTIONNELLES TRAIMSIL Pp : 3 kW /1 ms expo.
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: SG S-ÏHO M SO N mœmieraiMOSS BZW04-5V8/376 BZW04-5V8B/376B TRANSIL FEATURES • PEAK PULSE POWER: 400 W 10/IOOQus ■ STAND-OFF VOLTAGE RANGE: From 5.8V to 376 V ■ UNI AND BIDIRECTIONAL TYPES ■ LOW CLAMPING FACTOR ■ FAST RESPONSE TIME ■ UL RECOGNIZED
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BZW04-5V8/376
BZW04-5V8B/376B
10/IOOQus)
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50-150B
Abstract: No abstract text available
Text: S G S - Ï H O M S O N m œ m ie r a M o s s B Z W 5 0 - 10 , B/18 0 , B TRANSIL FEATURES • PEAK PULSE POWER : 5000 W 10/1 OOO^s ■ STAND-OFF VOLTAGE RANGE: From 10V to 180 V ■ UNI AND BIDIRECTIONAL TYPES ■ LOW CLAMPING FACTOR ■ FAST RESPONSE TIME
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diode bzw 06
Abstract: diode bzw 06-23b 0626B BZW06-37 0631B 06342 0623B
Text: SGS-THOMSON MglMlLiCTlHlisMOS BZW06-5V8/376 BZW06-5V8B/376B TRANS IL FEATURES • PEAK PULSE POWER : 600 W 10/1 OOC^is ■ STAND-OFF VOLTAGE RANGE : From 5.8V to 376 V ■ UNI AND BIDIRECTIONAL TYPES ■ LOW CLAMPING FACTOR ■ FAST RESPONSETIME ■ UL RECOGNIZED
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BZW06-5V8/376
BZW06-5V8B/376B
diode bzw 06
diode bzw
06-23b
0626B
BZW06-37
0631B
06342
0623B
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diode bzw 06
Abstract: BZW04-5V8 BZW04-5V8B BZW04P5V8 BZW04P5V8B BZW04P6V4 BZW04P6V4B F126
Text: ^ 7/ SGS-TtfOMSON ILI BZW04-5V8,B/376,B BZW04P5V8,B/376,B TRANS ILTM FEATURES • PEAK PULSE POWER= 400 W @ 1ms ■ STAND-OFF VOLTAGE RANGE : From 5V8 to 376 V ■ UNI AND BIDIRECTIONAL TYPES ■ LOW CLAMPING FACTOR . FAST RESPONSE TIME . UL RECOGNIZED DESCRIPTION
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BZW04-5V8
B/376
BZW04P5V8
diode bzw 06
BZW04-5V8B
BZW04P5V8B
BZW04P6V4
BZW04P6V4B
F126
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DF703
Abstract: telefunken-spezialrohren ecc85 Resonators magic eye ech 81 Fluorescent Indicator Tube T116 spezialrohrentypen RG-294
Text: TELEFUNKEN Erläuterungen zu den technischen Daten der TELEFUNKEN-Spezialröhren für Elektronik Einführung Die technischen Daten werden in Form von Meßwerten, Betriebswerten, Kapazitäten, Grenzwerten und Kennlinien angegeben. Diese Meßwerte, Betriebswerte und Kenn
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: N AMER PHILIPS/DISCRETE TDD D bb53T 31 0010L iT2 h • BZW 86 S E R IE S T " TR A N S IE N T SUPPRESSO R DIODES A ran g e of diffused silicon diodes in a DO-30 m etal envelope intended for u se in the p r o tectio n of the e le c tric a l and elec tro n ic equipm ent ag a in st voltage tra n sie n ts.
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bb53T
0010L
DO-30
BZW86-7V5
BZW86-7V5R
bti53T31
001D701
bb53T31
0D10703
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siemens dioden
Abstract: Transistor Datenbuch Siemens Halbleiterbauelemente A66762-A4013-A58 dioden siemens
Text: SIEMENS 1 Erläuterungen der Datenblattwerte Explanation of Data Sheet Parameters Symbole, Begriffe, Normen 1 Symbole und Begriffe der verwendeten Größen Symbols, Terms, Standards Symbols and Terms of Magnitudes Used Symbole Symbols Begriffe Terms A Anode
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siemens datenbuch
Abstract: No abstract text available
Text: SIEMENS 1 Erläuterungen der Datenblattwerte Explanation of Data Sheet Parameters Symbole, Begriffe, Normen 1 Symbole und Begriffe der verwendeten Größen Symbols, Terms, Standards Symbols and Terms of Magnitudes Used Symbole Symbols Begriffe Terms A Anode
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A66762-A4013-A58
Abstract: leistungstransistoren Transistor Datenbuch halbleiter index transistor
Text: SIEM ENS 1 Symbole, Begriffe, Normen Symbole und Begriffe der verwendeten Größen Symbole Symbols Begriffe A Anode C Kapazität; Kollektor Ciss Eingangskapazität Í oss Ausgangskapazität rss Rückwirkungskapazität CDS Drain-Source Kapazität ^ GD Gate-Drain Kapazität
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information applikation
Abstract: Radio Fernsehen Elektronik 1977 Heft 9 information applikation mikroelektronik 40098 Mikroelektronik Information Applikation mikroelektronik Heft 12 mikroelektronik applikation MIKROELEKTRONIK Frankfurt applikation heft 40511
Text: in j^ D lk ^ im iB lB l- c t e n n r iil- c KaD Information Applikation CMOSLOGIKSCHALTKREISE i - : d o l - i t s n a n i l - c Information Applikation • Heft 12: CMOS-Logilc-IS ^ K»D T veb halbleiterwerkfrankfurt oder ' VEB ZENTRUM FÜR FO R SC H U N G
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