SAS 251
Abstract: 4580d tda 2022 Tda 865 TDA 7650 CPA 7660 cmo 765 TAA 2761 A TCA4510 TAA761A
Text: 1:UNKAMATEUR-Bauelementeinformation IS Vergleichslisten für integrierte Schaltkreise DDR/international IS für den Einsatz in Rundfunkempfängern und Recordern DDR-Typ Vergleichstyp Beschreibung DDR-Typ Vergleichstyp Beschreibung A 202 D A 22SD A 244 D/SD
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A225D
1310P
1524D
A273D
1818D
A274D
A4100D
A277D
TJAAI80)
A4510D
SAS 251
4580d
tda 2022
Tda 865
TDA 7650
CPA 7660
cmo 765
TAA 2761 A
TCA4510
TAA761A
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VEB mikroelektronik
Abstract: mikroelektronik DDR aktive elektronische bauelemente ddr TESLA Tesla katalog 74c915 V4093D 4502c mosfet 4040BC K561TM2
Text: DATEN DIGITALER INTEGRIERTER SCHALTKREISE AMATEUR BIBLIOTHEK Klaus K.Streng Streng, Klaus K.: Daten digitaler integrierter Schaltkreise CMOS-Schaltkreise . Berlin: Militirverlag der DDR. 1987. - 192 S.: 314 Bilder (Amateurbibliothek) ISBN 3-327-00360-2 l. Auflage, 1987
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HC4316
HC503
4351D/L
VEB mikroelektronik
mikroelektronik DDR
aktive elektronische bauelemente ddr
TESLA
Tesla katalog
74c915
V4093D
4502c mosfet
4040BC
K561TM2
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Halbleiterbauelemente DDR
Abstract: Dioden SY 250 diode sy-250 B250C135 u103d GD244 transistor gc 301 SAM42 diode sy 166 D172C
Text: electronic Halbleiter-Bauelemente Die vorliegende Übersicht enthält in gedrängter Form die wichtigsten Grenz-und Kenndaten der in der DDR getertigten Halbleiterbauelemente. Die Kennwerte werden im allgemeinen für eine Umgebungs temperatur von 25 °C angegeben.
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6x10x12
Halbleiterbauelemente DDR
Dioden SY 250
diode sy-250
B250C135
u103d
GD244
transistor gc 301
SAM42
diode sy 166
D172C
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mikroelektronik ddr
Abstract: Halbleiterbauelemente DDR VEB mikroelektronik vqb 71 A910D VQB71 "halbleiterwerk frankfurt" diode sy-170 VQB 37 u112d
Text: Halbleiter-Bauelemente Semiconductors Die vorliegende Übersicht enthält in gedrängter Form die wichtigsten Grenz- und Kenn daten der in der DDR gefertigten Halbleiterbauelem ente. Dem Anwender soll durch diese Übersicht die Auswahl der jeweils in Frage kommenden
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DDR Schaltkreise
Abstract: DL014D DL132D 74LS132N Deutschen Demokratischen Republik DSAGER00016 74ls014 26713
Text: inn]D[klP3is ] ^ i0 ^ ^ 3 ls,Q n S ' DL 014 D DL 132 D Internationale Vergleichstypen; SN 74L S 014 N SN 74LS132 N Schaltkreise in Low -pow er-S chottky-Tschnologie DL 0 14 D 6 Schm itt-Trigger-Inverter Y = Ä DL 132 D 4 S chm itt-Trigger NAND-Gatter m it je 2 Eingängen
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74LS132
DDR Schaltkreise
DL014D
DL132D
74LS132N
Deutschen Demokratischen Republik
DSAGER00016
74ls014
26713
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Halbleiterbauelemente DDR
Abstract: MAA 436 TESLA mikroelektronik applikation Radio Fernsehen Elektronik 1977 Heft 9 IL709M mikroelektronik Heft MAA725 K553UD1A "Mikroelektronik" Heft Tesla katalog
Text: INFORMATION MIKROELEKTRONIK APPLIKATION K 159 INNENSCHALTUNG SONDERHEFT IMPORT BAUELEMENTE UDSSR INTEGRIERTE SCHALTUNGEN INFORMATION-APPLIKATION SONDERHEFT IMPORTBAUELEMENTE INTEGRIERTE SCHALTUNGEN MIKROELEKTRONIK HEFT 6 veb Halbleiterwerk frankfurt oder
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4093 BP
Abstract: cd 4093 equivalent V40098D V40511D 40511 4017 BP MC 4011 BCP MC 4093 ZUD 132 ci 4093 equivalent
Text: i iriilk if^ B c lG l-c te n a n il-i Übersicht CMOS-Schaltkreise CMOS-IC’s Übersicht CMOS-Schaltkreise - CMOS-IC’s V4001 D V 4007 D V4011 D V 4012 D V 4013 D V4015D V4017D V4019D V 4023 D V 4027 D V 4028 D V 4029 D V 4030 D V 4034 D V 4035 D V 4042
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V4001
V4011
V4015D
V4017D
V4019D
V4051
4093 BP
cd 4093 equivalent
V40098D
V40511D
40511
4017 BP
MC 4011 BCP
MC 4093
ZUD 132
ci 4093 equivalent
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VEB mikroelektronik
Abstract: mikroelektronik DDR mikroelektronik RFT elektronik DDR DDR Schaltkreise bauelemente DDR elektronische bauelemente rft Transistoren DDR service-mitteilungen RFT Service Mitteilung
Text: RFT INDUSTRIEVERTRIEB RUNDFUNK UND FERNSEHEN Ausgabe ¡^M\radio-te/evision\ Ckt. 1988 f VEB 00 SERVICE-MITTEILUNGEN Seite 1-9 Mitteilung aus dem VEB RFT IV RuF Leipzig/Servicevorbereitung Effektive Eroduktionstechnologie in der KonBumguterelektronik - kontra Heparaturtechnologie ?
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B556D
Abstract: elektronik DDR DDR Schaltkreise HA 555 bs560 b 555 u2 555 scans-048 halbleiterwerk DSAGER00016
Text: Vorläufige technische Daten Internationale Vergleichstypeni Die Schaltkreise B 555 0 und B 556 D sind monolithisch integrierte Einfach» und D o p p e l - Z a i t g e b e r s o h a l t u n g e n , die sich für sehr präzise Z aitverzögerungsn und als Oszillator
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14-polxges
B556D
elektronik DDR
DDR Schaltkreise
HA 555
bs560
b 555
u2 555
scans-048
halbleiterwerk
DSAGER00016
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schlenzig
Abstract: electronica reihe reihe electronica VEB M ik ro e le k tro n ik ddr veb Electronica DDR Scans-048 sc 236 SC236 DSAGER00043
Text: veb Z e n t r u m fü r forschung und technologie m ikroelektronik INFORMATION Amateurschaltkreis S 114 D D e r A m a te u rs c h a ltk re is S 1 1 4 D ist e in q u a rz g e s te u e rte r T a k tg e b e r fü r U h re n m it S c h rittm o to r. P rin z ip ie ll sind auch
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Halbleiterbauelemente DDR
Abstract: GAZ17 diode sy-250 "halbleiterwerk frankfurt" sal41 diode sy-170 SF 127 diode say17 Halbleiter-Bauelemente DDR SY 170
Text: eiecrronic Halbleiter-Bauelemente Die vorliegende Übersicht enthält in gedrängter Form die wichtigsten Grenz- und Kenndaten der in der DD R gefertigten H albleiterbauelem ente. Die Kennwerte werden im allgem einen für eine Um gebungs temperatur von 25 °C angegeben.
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DOR102
Halbleiterbauelemente DDR
GAZ17
diode sy-250
"halbleiterwerk frankfurt"
sal41
diode sy-170
SF 127
diode say17
Halbleiter-Bauelemente DDR
SY 170
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2761 l
Abstract: TAA2761A TAAS61A TCA325A k 2761 A 2761 I TAA2761 taa761a TAA 2761 A tca325
Text: Internationale Vergleichstypen: T C A 3 1 1 A , T C A 3 1 5 A , TGA321A» TCÄ325A» TCA 331 A, TCA 335 A, TÄÄ 761 A, TÄÄ 765 A, TAAS61A, TAA8S5A» TAÄ 2761 A, TAÄ 2765 A, TAÄ 4761 A, TÄÄ 4785 A Einfache, doppelte oder vierfache Operatiosisveretirker
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TGA321A»
TAAS61A,
B4781
B76109X2
8761D
S761D
S76110X2
2761 l
TAA2761A
TAAS61A
TCA325A
k 2761
A 2761 I
TAA2761
taa761a
TAA 2761 A
tca325
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Kombinat VEB A 281
Abstract: sn 76001 rft halbleiter A281D DDR Schaltkreise elektronik DDR service-mitteilungen A211D Transistoren DDR nf schaltungen
Text: SERVICE-MITTEILUNGEN r a d i o -television W s V E B IN D U S T R IE V E R T R IE B R U N D F U N K U N D F E R N S E H E N AUSGABE: NOVEMBER Der VEB Kombinat STERN C O N T U R A 2510 Stern-Radio Berlin, Stammbetrieb wird die Produk tion des neuen Kofferrundfunkemp
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Halbleiterbauelemente DDR
Abstract: BEL 639 transistor Sowjetische Halbleiter-Bauelemente KBC111 k4213 Germanium Transistor katalog radio fernsehen elektronik elektronik DDR KT904 KT372
Text: K a ta lo g sowjetischer H albleiterbauelem ente Si« linden im K a t a lo g t e il : Der hiermit unseren Lesern vorgelegte Katalog sowjetischer Transistoren, Dioden und integrierter Schaltkreise ist das Resultat enger Zusammen arbeit zwischen dem VEB Elektronikhandel Berlin und der Redaktion der
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LT 8216
Abstract: DS8282D DDR Schaltkreise DS8282 8286 ds8205d DS8212 DS8216D DS8287D 8212
Text: f m o i k l n T a Schnelle Inierface-Schottky-TTL-SchaStkresse V o rläu fig e technische Daten Vergleichstyp Kurzcharakteristik 1 aus 8 Binärdekoder 8 Bit-Bustreiber mit Speicher, Tri-state-Ausgänge 4 Bit-paralleler bidirektionaler Bustreiber, Tri-stateA u sgä n ge
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D286A3X!
3SS66
S180232
LT 8216
DS8282D
DDR Schaltkreise
DS8282
8286
ds8205d
DS8212
DS8216D
DS8287D
8212
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MH1SS1
Abstract: TESLA mh 7400 MH 7404 mh 7400 tesla cdb 838 tda 7851 L 741PC TDB0124DP tda 4100 TDA 7851 A
Text: m ö lk ^ o e le l-c te n a n il-c Information Applikation RGW Typenübersicht Vergleich Teil 2: RGW M iM U Z A U l KÉD lnrüÖC=SraO Information Applikation HEFT 50 RGW Typenübersicht + Vergleich Teil 2: RGW wob Halbleiterwerk Frankfurt /oder bt r iab im v«b kombinat mikrootektronik
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information applikation
Abstract: Mikroelektronik Information Applikation B305D B304D eft 317 transistor information applikation mikroelektronik B303D Kombinat VEB A 301 A301D "information applikation"
Text: LnnJÖD=^Jj i ^ j s l E k t j P D n i k Information Applikation B 303 D B 304 D B 305 D B 306 D m ölkr^elel-ctsnariik Information Applikation Heft: 23 INITIATOREN-IS B303D- B 304D B 305D *B 306D VEB. Halbleiterwerk FrankfurtïOder im VEB Kom binat Mikroelektronik,
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RFT HiFi
Abstract: bauelemente DDR KP103L service-mitteilungen kp 103 ddr bauelemente rft bauelemente "service-mitteilungen" rundfunktechnik DIODE C93
Text: Mit Beilage: BT-Llste "B 93" SERVICE-MITTEILUNGEN V E B IN D U S T R IE V E R T R IE B R U N D F U N K U N O D F E R N S E H E N | KmrciroHZ M fM | R a d i o avrim SEITE NOVEMBER -r e /e W s /o n | 1979 11 1-4 Mitteilung aus dem VEB Stern-Radio Sonneberg H i P l - S T E R E O - S T E U E R G E R Ä T
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25-VA-Kompaktbox
RFT HiFi
bauelemente DDR
KP103L
service-mitteilungen
kp 103
ddr bauelemente
rft bauelemente
"service-mitteilungen"
rundfunktechnik
DIODE C93
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DDR Schaltkreise
Abstract: elektronik DDR service-mitteilungen Stern Radio robotron sensomat 3000 sensomat 18 servicemitteilungen bauelemente DDR GER-A
Text: SERVICE-MITTEILUNGEN -television VEB IN DUSTRIEVERTRIEB RUNDFUNK UND FERNSEH EN r a d io AUSGABE: AUGUST Sä SEITE 1-8 3lO W i c h t i g s t Fernsehnorm Fernsehbereiche Bildröhre ; Senderwahl Rundfunkbereiohe Anschlüsse Stromversorgung Abmessungen G e w io h t
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1/111/Ti
20-V-Li
III/18/379
DDR Schaltkreise
elektronik DDR
service-mitteilungen
Stern Radio
robotron
sensomat 3000
sensomat 18
servicemitteilungen
bauelemente DDR
GER-A
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information applikation
Abstract: applikation heft A109D a 109 opv information applikation mikroelektronik VEB mikroelektronik "information applikation" "halbleiterwerk frankfurt" mikroelektronik Heft 12 "Mikroelektronik" Heft
Text: I 1 I 'li Information Applikation OPERATIONS VERSTÄRKER •lit J m ■ liUf [ f ^ a lk a r a ^ E lo k c t s n a n il- c Information Applikation Heft 21: OPERATIONS-VERSTÄRKER-IS T e ill veb halbleiterwerk frankfurt/oder im v e b k o m b in a t m ik ro e le k tro n ik
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b342d
Abstract: information applikation applikation heft mikroelektronik Heft 12 information applikation mikroelektronik Transistoren DDR VEB mikroelektronik "information applikation" mikroelektronik Heft 10 ITT transistoren
Text: m n t k if ^ s j e le lK t e n a r iH - c g|B Information Applikation in n f B = a n iis ö lH W b n a n lK Information Applikation Heft: 28 Transistorarrays Iweb Halbleiterwerk frankfurt/oder | betrieb im veto kombinet mikroelektronik KAMMER DER TECHNIK Bezirksvorstand Frankfurt/O.
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MH 74141
Abstract: Tesla katalog MH74S04 MH74188 information applikation MH74S287 mikroelektronik RFT CDB404E ucy 74132 MZH 115
Text: m o N r ^ e le l- c fe n a n il- c Information Applikation ._ B|B Information Applikation Heft 26: IMPORT-IS Teil 2 i ' . • fbkj veb Halbleiterwerk frankfurt/oder Ü B d batriab im vab ko m binat mfcr m M ftrnnllt DER TECHNIK I Bezirksvorstand Frankfurt/O.
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mikroelektronik Heft 12
Abstract: SY 185 Radio Fernsehen Elektronik 1977 Heft 9 B260D information applikation keramische Werke Hermsdorf mikroelektronik Heft 10 VEB mikroelektronik information applikation mikroelektronik mikroelektronik DDR
Text: li ii iff li i l •> ■! l l ■! *i n lil i KBD Information Applikation ANSTEUER SCHALTKREIS FÜR SCHALTNETZTEILE UND GLEICH SPANNUNGSWANDLER — R«ge verstarkm B 260 Informations- und Applikationshefte „M IK R O E LE K TR O N IK " Bisher erschienen:
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Halbleiterbauelemente DDR
Abstract: mikroelektronik Heft 12 VEB mikroelektronik information applikation Mikroelektronik Information Applikation Transistoren DDR information applikation mikroelektronik mikroelektronik Heft sy 710 applikation heft
Text: m o t ^ o e l e l - c f a n c i r Information Applikation Bauelemente der Leistungs elektronik SW77 Bipolare SchaltTransistoren i i l - c m t n r D o lk in î^ e lB l-c ta n a r iik Information Applikation H e f t : BAUELEMENTE DER LEISTUNGSELEKTRONIK
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