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d1117 Abstract: 2SA1988 Text: お客様各位カタログ等資料中の旧社名の扱いについて 2010 年 4 月 1 日を以って NEC エレクトロニクス株式会社及び株式会社ルネサステクノロジが合併し両社の全ての事業が当社に承継されております。従いまして、本資料中には旧社	Original	PDF	2SA1988 O-3PMP-88 MP-88 D11176JJ2V0DS MP-88) M8E02 d1117 2SA1988
2SA1988 Abstract: No abstract text available Text: データ・シートシリコン・トランジスタ Silicon Transistors 2SA1988 PNPシリコン・トランジスタ低周波電力増幅用特徴 ○コレクタ・エミッタ間電圧が−200 Vと高耐圧です。 ○直流電流増幅率hFEのリニアリティーが優れています。	Original	PDF	2SA1988 O-3PMP-88 MP-88 PW300sDuty Cycle10 D11176JJ2V0DS00 D11176JJ2V0DS 2SA1988

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Abstract: 2SA1988
Text: お客様各位カタログ等資料中の旧社名の扱いについて 2010 年 4 月 1 日を以って NEC エレクトロニクス株式会社及び株式会社ルネサステクノロジが合併し両社の全ての事業が当社に承継されております。従いまして、本資料中には旧社

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2SA1988

Abstract: No abstract text available
Text: データ・シートシリコン・トランジスタ Silicon Transistors 2SA1988 PNPシリコン・トランジスタ低周波電力増幅用特徴 ○コレクタ・エミッタ間電圧が−200 Vと高耐圧です。 ○直流電流増幅率hFEのリニアリティーが優れています。

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