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    BSM 25 OP 120 Search Results

    BSM 25 OP 120 Result Highlights (6)

    Part ECAD Model Manufacturer Description Download Buy
    TC75S102F Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation Operational Amplifier, 1.5V to 5.5V, I/O Rail to Rail, IDD=0.27μA, SOT-25 Visit Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
    BUF602IDBVT Texas Instruments 1000MHz,Wide Bandwidth, High-Speed, Closed Loop Buffer 5-SOT-23 -45 to 85 Visit Texas Instruments Buy
    DRV1101U Texas Instruments High Power Differential Line Driver 8-SOIC Visit Texas Instruments Buy
    LF347BDR Texas Instruments Wide-Bandwidth JFET-input Quad Operational Amplifier 14-SOIC 0 to 70 Visit Texas Instruments Buy
    LF411CPE4 Texas Instruments Precision JFET-input Operational Amplifier 8-PDIP 0 to 70 Visit Texas Instruments Buy
    LF412CP Texas Instruments Dual JFET-input Operational Amplifier 8-PDIP 0 to 70 Visit Texas Instruments Buy

    BSM 25 OP 120 Datasheets Context Search

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    25c diode

    Abstract: No abstract text available
    Text: Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules BSM 150 GXR 120 DN2 Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage Kollektor-Dauergleichstrom


    Original     		PDF BSM150GXR120DN2 25c diode

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    Abstract: No abstract text available
    Text: Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules BSM 150 GXL 120 DN2 Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage Kollektor-Dauergleichstrom


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    BSM150GXL120DN2

    Abstract: Eupec Power Semiconductors 600v bsm igbtmodule BSM15
    Text: Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Module BSM 150 GXL 120 DN2 Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage Kollektor-Dauergleichstrom


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    BSM150GXR120DN2

    Abstract: transistor t 270 transistor 600v transistor f 948 igbtmodule
    Text: Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Module BSM 150 GXR 120 DN2 Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage Kollektor-Dauergleichstrom


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    BSM150GXL120DN2

    Abstract: 150 GXL 120 DN2 ,igbtmodule
    Text: Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Module BSM 150 GXL 120 DN2 Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage Kollektor-Dauergleichstrom


    Original     		PDF BSM150GXL120DN2 BSM150GXL120DN2 150 GXL 120 DN2 ,igbtmodule

    BSM150GXR120DN2

    Abstract: No abstract text available
    Text: Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Module BSM 150 GXR 120 DN2 Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage Kollektor-Dauergleichstrom


    Original     		PDF BSM150GXR120DN2 BSM150GXR120DN2

    BSM150GXR120DN2

    Abstract: No abstract text available
    Text: Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Module BSM 150 GXR 120 DN2 Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage Kollektor-Dauergleichstrom


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    BSM150GXL120DN2

    Abstract: No abstract text available
    Text: Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Module BSM 150 GXL 120 DN2 Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage Kollektor-Dauergleichstrom


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    Abstract: No abstract text available
    Text: Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules BSM 75 GD 60 DLC vorläufige Daten preliminary data Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage


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    Abstract: No abstract text available
    Text: Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules BSM 100 GD 60 DLC vorläufige Daten preliminary data Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage


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    Abstract: No abstract text available
    Text: Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules BSM 50 GB 60 DLC vorläufige Daten preliminary data Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage


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    4500a

    Abstract: No abstract text available
    Text: European PowerSemiconductor and Electronics Company Marketing Information BSM 300 GA 170 DLS 07.05.1998 BSM 300 GA 170 DLS vorläufige Daten preliminary data Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Kollektor-Emitter-Sperrspannung


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    Abstract: No abstract text available
    Text: Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules BSM 50 GD 60 DLC vorläufige Daten preliminary data Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage


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    Abstract: No abstract text available
    Text: Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules BSM 100 GB 60 DLC vorläufige Daten preliminary data Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage


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    4500a

    Abstract: transistor VCE 900V
    Text: European PowerSemiconductor and Electronics Company Marketing Information BSM 300 GA 170 DL M6 28,5 22 23 ø6,4 16,1 13 2 3 24 20 29 93 106,4 2 1 5 3 07.05.1998 BSM 300 GA 170 DL vorläufige Daten preliminary data Höchstzulässige Werte / Maximum rated values


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    Abstract: No abstract text available
    Text: European PowerSemiconductor and Electronics Company Marketing Information BSM 400 GA 170 DL M6 28,5 22 23 ø6,4 16,1 13 2 3 24 20 29 93 106,4 2 1 5 3 07.05.1998 BSM 400 GA 170 DL vorläufige Daten preliminary data Höchstzulässige Werte / Maximum rated values


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    4500a

    Abstract: GA170DL
    Text: European PowerSemiconductor and Electronics Company Marketing Information BSM 300 GA 170 DL M6 28,5 22 23 ø6,4 16,1 13 2 3 24 20 29 93 106,4 2 1 5 3 07.05.1998 BSM 300 GA 170 DL vorläufige Daten preliminary data Höchstzulässige Werte / Maximum rated values


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    IC350

    Abstract: No abstract text available
    Text: European PowerSemiconductor and Electronics Company Marketing Information BSM 200 GA 170 DLS 07.05.1998 BSM 200 GA 170 DLS vorläufige Daten Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Kollektor-Emitter-Sperrspannung


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    Abstract: No abstract text available
    Text: European PowerSemiconductor and Electronics Company Marketing Information BSM 50 GD 170 DL 118.11 94.5 119 121.5 99.9 4 x 19.05 = 76.2 3.81 19.05 18 19 1 2 3 4 17 5 6 7 3.81 16 8 9 15 10 11 12 1.15x1.0 15.24 5 x 15.24 =76.2 110 connections to be made externally


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    4500a

    Abstract: No abstract text available
    Text: European PowerSemiconductor and Electronics Company Marketing Information BSM 300 GA 170 DL M6 28,5 22 23 ø6,4 16,1 13 2 3 24 20 29 93 106,4 2 1 5 3 07.05.1998 BSM 300 GA 170 DL vorläufige Daten Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Elektrische Eigenschaften / Electrical properties


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    Untitled

    Abstract: No abstract text available
    Text: European PowerSemiconductor and Electronics Company Marketing Information BSM 100 GB 170 DL 2,8 x 0,5 M6 22,5 22,5 22 ø6,4 16 6 7 1 2 3 28 28 93 20 5 4 106,4 6 7 1 3 5 2 4 23.04.1998 BSM 100 GB 170 DL vorläufige Daten preliminary data Höchstzulässige Werte / Maximum rated values


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    bsm 25 op 120

    Abstract: BSM 204-A
    Text: SIEMENS BSM 35 GD 120 D2 IGBT Power Module Preliminary data • Power module • 3-phase full-bridge • Including fast free-wheel diodes • Package with insulated metal base plate Type VCE BSM 35 GD 120 D2 1200V 50A 'c Package Ordering Code SIXPACK 1 C67076-A2506-A17


    OCR Scan     		PDF C67076-A2506-A17 bsm 25 op 120 BSM 204-A

    FP50R12KS4C

    Abstract: BSM35GP120G bsm 25 op 120
    Text: Power Integrated Modules PIM Type Power Integrated Modules PIM R e ctifie r D iodes < o m RthJC V A V rrm I frmsm K /W V V125°C V A Tc-80°C K/W 2,2 2,2 1600 1600 8 1,8 12 600 16 24 0,8 0,8 13,1 1600 1,2 1,2 13,1 600 0,8 13,1 10,5 BSM 10 GP 60 BSM 15 GP 60


    OCR Scan     		PDF BSM100GP GP120G FP15R12KS4C FP25R12KS4C FP35R12KS4C FP50R12KS4C Tc-80 BSM35GP120G bsm 25 op 120

    BSM141

    Abstract: No abstract text available
    Text: SIEMENS SIMOPAC MOSFET Module VDS l0 ^ D S o n • • • • • • BSM 141 = 400 V = 60 A = 0.075 Q Power module Single switch N channel Enhancement mode Package with insulated metal base plate Circuit diagram: Fig . 1 a1) Type Ordering code BSM 141


    OCR Scan     		PDF C67076-A1010-A2 BSM141