BPX osram
Abstract: GEOY6638 Q62702-P17-S1 Q62702-P305 BPX 48
Text: Silizium-Differential-Fotodiode Silicon Differential Photodiode BPX 48 BPX 48 F BPX 48 BPX 48 F Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm BPX 48 und bei 920 nm (BPX 48 F) • Hohe Fotoempfindlichkeit
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Original
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BPX osram
Abstract: 1000-LX GEOY6014 Q62702-P47 Q62702-P928
Text: Silizium-Fotodiode Silicon Photodiode BPX 90 BPX 90 F BPX 90 BPX 90 F Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm BPX 90 und bei 950 nm (BPX 90 F) • Hohe Fotoempfindlichkeit • DIL-Plastikbauform mit hoher Packungsdichte
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Original
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Q62702-P47
Q62702-P928
BPX osram
1000-LX
GEOY6014
Q62702-P47
Q62702-P928
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: 2011-05-27 Silicon NPN Phototransistor Arrays NPN-Silizium-Fototransistor Zeilen Version 1.0 BPX 80, BPX 82 . BPX 89 Features: Besondere Merkmale: • Spectral range of sensitivity: 450 . 1100 nm • • • • • Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit:
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Original
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D-93055
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: 2014-01-14 Silicon NPN Phototransistor Arrays NPN-Silizium-Fototransistor Zeilen Version 1.1 BPX 80, BPX 82 . BPX 89 Features: Besondere Merkmale: • Spectral range of sensitivity: typ 450 . 1100 nm • Package: Miniature Array, Epoxy • Special: Multiple-digit array package
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Original
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D-93055
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foto sensor
Abstract: osram bpx 65 photodiode BPX osram GETY6013 Q62702-P27
Text: Silizium-PIN-Fotodiode Silicon PIN Photodiode BPX 65 Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 350 nm bis 1100 nm • BPX 65: Hohe Fotoempfindlichkeit • Hermetisch dichte Metallbauform TO-18 , geeignet bis 125 oC
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Original
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Q62702-P27
foto sensor
osram bpx 65 photodiode
BPX osram
GETY6013
Q62702-P27
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: Silizium-PIN-Fotodiode Silicon PIN Photodiode Lead Pb Free Product - RoHS Compliant BPX 65 Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 350 nm bis 1100 nm • BPX 65: Hohe Fotoempfindlichkeit • Hermetisch dichte Metallbauform (TO-18),
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Original
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Q62702P0027
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BPX osram
Abstract: BPX-65 tci 571 GETY6013 OHLY0598 Q62702P0027
Text: Silizium-PIN-Fotodiode Silicon PIN Photodiode Lead Pb Free Product - RoHS Compliant BPX 65 Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 350 nm bis 1100 nm • BPX 65: Hohe Fotoempfindlichkeit • Hermetisch dichte Metallbauform (TO-18),
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Original
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Q62702P0027
BPX osram
BPX-65
tci 571
GETY6013
OHLY0598
Q62702P0027
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Q62702P0022
Abstract: BPX osram
Text: NPN-Silizium-Fototransistor Zeilen Silicon NPN Phototransistor Arrays Lead Pb Free Product - RoHS Compliant BPX 80 BPX 82 … 89 Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 450 nm bis 1100 nm • Hohe Linearität • Mehrstellige Zeilenbauform aus klarem Epoxy
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Original
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: NPN-Silizium-Fototransistor Zeilen Silicon NPN Phototransistor Arrays Lead Pb Free Product - RoHS Compliant BPX 80 BPX 82 … 89 Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 450 nm bis 1100 nm • Hohe Linearität • Mehrstellige Zeilenbauform aus klarem Epoxy
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Original
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: NPN-Silizium-Fototransistor Zeilen Silicon NPN Phototransistor Arrays BPX 80 BPX 82 … 89 Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 450 nm bis 1100 nm • Hohe Linearität • Mehrstellige Zeilenbauform aus klarem Epoxy
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Original
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Q62702P0022
Abstract: No abstract text available
Text: NPN-Silizium-Fototransistor Zeilen Silicon NPN Phototransistor Arrays Lead Pb Free Product - RoHS Compliant BPX 80 BPX 82 …89 Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 450 nm bis 1100 nm • Hohe Linearität • Mehrstellige Zeilenbauform aus klarem Epoxy
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Original
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Q62702-P43-S3
Abstract: BPX osram BPX-81-4 Q62702-P43-S4 GEOY6021 Q62702-P20
Text: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor BPX 81 Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 440 nm bis 1070 nm • Hohe Linearität • Einstellige Zeilenbauform aus klarem Epoxy • Gruppiert lieferbar
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Original
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Q62702-P20
Q62702-P3583
Q62702-P43-S3
Q62702-P43-S3
BPX osram
BPX-81-4
Q62702-P43-S4
GEOY6021
Q62702-P20
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BPX osram
Abstract: foto transistor Q62702-P21 GEOY6367 Q62702-P25 Q62702-P30 OSRAM READING LIGHT
Text: NPN-Silizium-Fototransistor Zeilen Silicon NPN Phototransistor Arrays BPX 82 … 84 Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 440 nm bis 1070 nm • Hohe Linearität • Mehrstellige Zeilenbauform aus klarem Epoxy
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Original
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BPX 48
Abstract: No abstract text available
Text: 2014-01-10 Silicon Differential Photodiode Silizium-Differential-Fotodiode Version 1.1 BPX 48 Features: Besondere Merkmale: • Especially suitable for applications from 400 nm to 1100 nm • High photosensitivity • DIL plastic package with high packing density
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Original
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D-93055
BPX 48
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GEOY6021
Abstract: OHLY0598 150CA
Text: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor Lead Pb Free Product - RoHS Compliant BPX 81 Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 450 nm bis 1100 nm • Hohe Linearität • Einstellige Zeilenbauform aus klarem Epoxy
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Original
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: 2014-01-14 Silicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1.1 BPX 81 Features: Besondere Merkmale: • Spectral range of sensitivity: typ 450 . 1100 nm • Package: Miniature Array, Epoxy • Special: One-digit array package • High linearity
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Original
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D-93055
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BPX 48
Abstract: No abstract text available
Text: Silizium-Differential-Fotodiode Silicon Differential Photodiode Lead Pb Free Product - RoHS Compliant BPX 48 Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm • Hohe Fotoempfindlichkeit • DIL-Plastikbauform mit hoher Packungsdichte
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Original
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Q65110A3337
Abstract: BPX osram GEOY6021 OHRD1938 Q62703-Q395
Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter LD 261 Wesentliche Merkmale Features • • • • • • • • • • GaAs-IR-Lumineszenzdiode Hohe Zuverlässigkeit Gruppiert lieferbar Gehäusegleich mit BPX 81 Miniatur-Gehäuse GaAs infrared emitting diode
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Original
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BPX osram
Abstract: GEOY6021 OHLY0598 OHRD1938 Q65110A3337
Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter Lead Pb Free Product - RoHS Compliant LD 261 Wesentliche Merkmale Features • • • • • • • • • • GaAs-IR-Lumineszenzdiode Hohe Zuverlässigkeit Gruppiert lieferbar Gehäusegleich mit BPX 81
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Original
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osram bpx 65 photodiode
Abstract: No abstract text available
Text: Silizium-PIN-Fotodiode Silicon PIN Photodiode Lead Pb Free Product - RoHS Compliant BPX 65 Wesentliche Merkmale Features • Wellenlängenbereich (S10%) 350nm bis 1100nm • Kurze Schaltzeit (typ. 12 ns) • Hermetisch dichte Metallbauform (TO-18), geeignet bis 125 oC
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350nm
1100nm
Q62702P0027
osram bpx 65 photodiode
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bpx 43-4
Abstract: BPX 43-3/4
Text: 2007-04-02 Silicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1.0 BPX 43 Features: Besondere Merkmale: • Spectral range of sensitivity: 450 . 1100 nm • Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit: 450 . 1100 nm • Gehäuse: Metall Gehäuse TO-18 , hermetisch
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D-93055
bpx 43-4
BPX 43-3/4
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OHRD1938
Abstract: BPX osram GEOY6021 Q62703-Q395 Q62703-Q67 LD261-1
Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter LD 261 Wesentliche Merkmale Features • • • • • • • • • • GaAs-IR-Lumineszenzdiode Hohe Zuverlässigkeit Gruppiert lieferbar Gehäusegleich mit BPX 81 Miniatur-Gehäuse GaAs infrared emitting diode
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fototransistor BPX 81
Abstract: BPX osram GEOY6021 OHLY0598
Text: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor Lead Pb Free Product - RoHS Compliant BPX 81 Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 450 nm bis 1100 nm • Hohe Linearität • Einstellige Zeilenbauform aus klarem Epoxy
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BPX osram
Abstract: E7800 242-E7800
Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter LD 242 Wesentliche Merkmale Features • Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren • Kathode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden • Hohe Zuverlässigkeit • Großer Öffnungskegel • Gehäusegleich mit BP 103, BPX 63, SFH 464,
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