BF900
Abstract: marking BP LED 103BF Fototransistor fototransistor led Q62702-P1057 Q62702-P1058 Q62702-P1192 Q62702-P85-S2 Q62702-P85-S3
Text: BP 103 B BP 103 BF .NPN-Silizium-Fototransistor NEU: NPN-Silizium-Fototransistor mit Tageslichtsperrfilter Silicon NPN Phototransistor NEW: Silicon NPN Phototransistor with Daylight Filter BP 103 B BP 103 BF Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
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Original
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ICEO/ICEO25o
IPCE/IPCE25o
BF900
marking BP LED
103BF
Fototransistor
fototransistor led
Q62702-P1057
Q62702-P1058
Q62702-P1192
Q62702-P85-S2
Q62702-P85-S3
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P781
Abstract: Q62702-P75 foto transistor Q62702-P79-S2 Q62702-P79-S1 Q62702-P79-S4 200 BP
Text: BP 103 BP 103 fet06017 NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale ● Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 420 nm bis 1130 nm
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Original
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fet06017
IPCE/IPCE25o
ICEO/ICEO25o
P781
Q62702-P75
foto transistor
Q62702-P79-S2
Q62702-P79-S1
Q62702-P79-S4
200 BP
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P781
Abstract: bp 103-5 BF900 B 103 Fotodiode fototransistor led SFH 212 transistor b 103 marking BP LED Q62702-P79-S2
Text: BP 103 BP 103 fet06017 NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale ● Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 420 nm bis 1130 nm
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Original
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fet06017
ICEO/ICEO25o
IPCE/IPCE25o
P781
bp 103-5
BF900
B 103
Fotodiode
fototransistor led
SFH 212
transistor b 103
marking BP LED
Q62702-P79-S2
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bp 103-5
Abstract: BP 103-3 bp 103-2 200 BP
Text: 2008-10-28 Silicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Lead Pb Free Product - RoHS Compliant BP 103 Applications • • • • Anwendungen Photointerrupters Industrial electronics For control and drive circuits Computer-controlled flashes •
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Original
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x00E4
x03BB]
Q62702P0075
Q62702P3577
x00FC
x00F6
bp 103-5
BP 103-3
bp 103-2
200 BP
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BP 103-3
Abstract: No abstract text available
Text: 2008-10-28 Silicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Lead Pb Free Product - RoHS Compliant BP 103 Applications • • • • Anwendungen Photointerrupters Industrial electronics For control and drive circuits Computer-controlled flashes •
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Original
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x00E4
x03BB]
Q62702P0075
Q62702P3577
x00FC
x00F6
BP 103-3
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BP 103-3
Abstract: No abstract text available
Text: 2014-01-14 Silicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1.1 BP 103 Features: Besondere Merkmale: • Spectral range of sensitivity: typ 450 . 1100 nm • Package: Metal Can (TO-18), hermetically sealed, Epoxy • Special: Base connection
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Original
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D-93055
BP 103-3
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BPX osram
Abstract: E7800 242-E7800
Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter LD 242 Wesentliche Merkmale Features • Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren • Kathode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden • Hohe Zuverlässigkeit • Großer Öffnungskegel • Gehäusegleich mit BP 103, BPX 63, SFH 464,
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Original
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BP 103-3
Abstract: No abstract text available
Text: 2007-04-04 Silicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1.0 BP 103 Features: Besondere Merkmale: • Spectral range of sensitivity: 450 . 1100 nm • Package: Metal Can TO-18 , hermetically sealed, Epoxy • Special: Base connection • High linearity
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Original
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D-93055
BP 103-3
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BP 103-3
Abstract: No abstract text available
Text: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor BP 103 Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 450 nm bis 1100 nm • Hohe Linearität • TO-18, Bodenplatte, klares Epoxy-Gießharz,
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Original
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Q62702-P75
Q62702-P3577
BP 103-3
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Q62702P0075
Abstract: osram Phototransistor GETY6017 OHLY0598 get 103 BP 103-3
Text: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor Lead Pb Free Product - RoHS Compliant BP 103 Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 450 nm bis 1100 nm • Hohe Linearität • TO-18, Bodenplatte, klares Epoxy-Gießharz,
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Original
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GETY6017
Abstract: OHLY0598 Q62702P0075 BP 103-3
Text: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor Lead Pb Free Product - RoHS Compliant BP 103 Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 450 nm bis 1100 nm • Hohe Linearität • TO-18, Bodenplatte, klares Epoxy-Gießharz,
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Original
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GET06017
Abstract: Q62702-P3577 Q62702-P75 Q62702-P79-S2 Q62702-P79-S4 BP 103-3
Text: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor BP 103 Wesentliche Merkmale • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 420 nm bis 1130 nm • Hohe Linearität • TO-18, Bodenplatte, klares Epoxy-Gießharz, mit Basisanschluß Features • Especially suitable for applications from
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ICEO/ICEO25°
GET06017
GET06017
Q62702-P3577
Q62702-P75
Q62702-P79-S2
Q62702-P79-S4
BP 103-3
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foto transistor
Abstract: GETY6017 Q62702-P3577 Q62702-P75 BP 103-3
Text: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor BP 103 Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 420 nm bis 1130 nm • Hohe Linearität • TO-18, Bodenplatte, klares Epoxy-Gießharz, mit Basisanschluß • Especially suitable for applications from
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Original
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Q62702-P75
Q62702-P3577
foto transistor
GETY6017
Q62702-P3577
Q62702-P75
BP 103-3
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BP 103-3
Abstract: No abstract text available
Text: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor BP 103 Wesentliche Merkmale • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 420 nm bis 1130 nm • Hohe Linearität • TO-18, Bodenplatte, klares Epoxy-Gießharz, mit Basisanschluß Features • Especially suitable for applications from
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GETY6017
BP 103-3
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BPX48
Abstract: SFH291 SFH100 fh205 BPW-21 SFH 314 fotodioden SFH317 bpx90 SFH2030
Text: Si-Fotodetektoren Silicon Photodetectors Typenübersicht Summary of Types 1. Integrierter Empfänger Integrated Receiver 2. Fototransistoren Phototransistors S ' y •- S BP 103 SFH 302 S F H 50 6 BPX81 BPX 83 SFH 305 V BP X 90/F BPX 38 BP 103 B/BF SFH 313/FA
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313/FA
314/FA
BPY62
BPX81
310/FA
303/F
317/F
213/FA
214/FA
BPX48/F
BPX48
SFH291
SFH100
fh205
BPW-21
SFH 314
fotodioden
SFH317
bpx90
SFH2030
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SIEMENS Phototransistors BPY
Abstract: 2108a siemens dioden SFH-506 SFH100 BPW21 300FA 2108 A SFH 314 SFH-10
Text: Silicon Photodetectors Si-Fotodetektoren Summary of Types Typenübersicht 1. Integrierter Empfänger Integrated Receiver 2. Fototransistoren Phototransistors ♦ SFH 506 BPX 81 3. SFH 300/FA SFH 313/FA SFH 314/FA BP 103 SFH 302 SFH 305 BPX 83 BP 104 F BPW 34 FA
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300/FA
313/FA
314/FA
309/FA
310/FA
309P/PFA
303/FA
203/FA
213/FA
214/FA
SIEMENS Phototransistors BPY
2108a
siemens dioden
SFH-506
SFH100
BPW21
300FA
2108 A
SFH 314
SFH-10
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Phototransistor bp 101
Abstract: fototransistor led bf 252 SFH 207 Q62702-P1057 Q62702-P1058 Q62702-P1192 Q62702-P85-S2 Q62702-P85-S3 Q62702-P85-S4
Text: SIEMENS NPN-Silizium-Fototransistor NEU: NPN-Silizium-Fototransistor mit Tageslichtsperrfilter Silicon NPN Phototransistor NEW: Silicon NPN Phototransistor with Daylight Filter BP 103B BP 103 BF Area not flat Emitter _ 2 5 .2 _ J 2 4.2 Collector 8.2 Approx. weight 0 .2 g
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/PCEtfpcE25Â
23SL0S
oE025Â
Phototransistor bp 101
fototransistor led
bf 252
SFH 207
Q62702-P1057
Q62702-P1058
Q62702-P1192
Q62702-P85-S2
Q62702-P85-S3
Q62702-P85-S4
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Phototransistor bp 101
Abstract: P781
Text: SIEMENS NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor BP 103 M aße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 420 nm bis 1130 nm
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Q62702-P75
Q62702-P79-S1
Q62702-P79-S2
Q62702-P79-S4
62702-P781
/PCe//PCE25°
11III
Phototransistor bp 101
P781
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: SIEMENS BP 103 NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Features Wesentliche Merkmale • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 420 nm bis 1130 nm
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0HF01594
fl23St
00flA232
fl23Sfc
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npn phototransistor package
Abstract: No abstract text available
Text: SIEMENS BP 103 SILICON NPN PHOTOTRANSISTOR Package Dimensions in Inches mm FEATURES Maximum Ratings • • • • • • • • • Operating and Storage Temperature Range Hop, Tstg) . -4 0° to +80°C Soldering Temperature (¿2 mm from case bottom)
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LD242
cE02H
npn phototransistor package
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Phototransistor bp 101
Abstract: BP103 siemens
Text: SIEM ENS BP 103 fet06017 NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor Maße in mm, w enn nicht anders angegeben/D im ensions in mm, unless otherw ise specified. W esentliche M erkmale Features • • • • Speziell geeignet für Anwendungen im
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: SIEMENS BP 103 SILICON NPN PHOTOTRJ* NSISTOR Package Dimensions in Inches mm 141 (3.6), Ti 18 (3.0) 571 (14.5) .492(12.5) _ Emitter i- E 0.100r (2.54) 0.169(4.3) 0.161 (4.1) Base T ^ v I 6 .0 1 8 0(0.45) _L Collector .106 (2.7) .216(5.5) .208 (5.3)
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S23b35ti
0007bb3
S23fc
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TMS320A2400A
Abstract: 74S169 S320A2400 AMI 8103
Text: TMS320A2400A MODEM DIGITAL SIGNAL PROCESSOR JU LY 1988 Full-Duplex Modem Operation at 2400, 1200, and 300 bp* • CCITT V.22 Us, V.22, V.21, BeU 212A. and Bell 103 Compatible TM S320A2400A N PACKAGE TOP VIEW • 1.8-p CMOS Technology for Low Power • Direct Interface to Low-Cost TCM29C13
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TMS320A2400A
TCM29C13
S320A2400A
40-pin
74S169
S320A2400
AMI 8103
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Phototransistor bp 101
Abstract: SFH300 siemens SFH nm Q62702-P1057 Q62702-P1058 Q62702-P1189 Q62702-P1192 Q62702-P1193 Q62702-P85-S2 Q62702-P85-S3
Text: SIEMENS NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor SFH 300 SFH 300 FA Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/D im ensions in mm, unless otherw ise specified. Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 420 nm bis 1130 nm SFH 300
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GE006652
/CE0250
0HF01593
Phototransistor bp 101
SFH300
siemens SFH nm
Q62702-P1057
Q62702-P1058
Q62702-P1189
Q62702-P1192
Q62702-P1193
Q62702-P85-S2
Q62702-P85-S3
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