bauelemente DDR
Abstract: SPF 455 Teltow Mechanische Filter VEB Kombinat zf filter rft katalog SPF 10700 49004 SPF455 490.2159 Kombinat VEB Elektronische Bauelemente
Text: Passive elektronische Bauelemente O Widerstände Q Kondensatoren 0 Kinlaklfcaüelemenle 2 Suidererzeognisse Passive elektronische Bauelemente Auf allen G ebieten der Elektronik und Elektrotechnik werden an Leistungsfähigkeit, Lebensdauer und Zu verlässigkeit elektronischer Bauelemente ständig
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diode SY 192
Abstract: KP902A Datenblattsammlung Halbleiterbauelemente DDR VEB mikroelektronik transistor kp mikroelektronik datenblattsammlung "halbleiterwerk frankfurt" KP306a mikroelektronik DDR
Text: . • M ' - l ä r o u jk 1 U ’i m - í!Í'.>. "lA T T S A M M . 'Q elektronische Bauelemente IWT iO 1/87 I# %# S Die vorliegenden Datenblätter dienen nur zur Information« Sie beinhalten Informationen über Halbleiterbauelemente des in den Listen elektronischer Bauelemente eingestuften Sortiments«
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KT 819 transistor
Abstract: 2N2222A 338 SF129D SF137D SSY20B KT819W SF127E KFY18 321 KP303W KFY18
Text: Deutsche Post NfD Studiotechnik Fernsehen Bauelemente - Mitteilung Nr. 6 TRANSISTORVERGLEICHSLISTE Herausgebers Halbleitervergleichsgruppe Studiotechnik Fernsehen Deutsche Post Studiotechnik Fernsehen Bauelemente-Mitteilung Nr. 6 Dez. 79 N f D T r a n s i s t o r v e r g l e i c h s l i s t e
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Halbleiterbauelemente DDR
Abstract: mikroelektronik Heft 12 VEB mikroelektronik information applikation Mikroelektronik Information Applikation Transistoren DDR information applikation mikroelektronik mikroelektronik Heft sy 710 applikation heft
Text: m o t ^ o e l e l - c f a n c i r Information Applikation Bauelemente der Leistungs elektronik SW77 Bipolare SchaltTransistoren i i l - c m t n r D o lk in î^ e lB l-c ta n a r iik Information Applikation H e f t : BAUELEMENTE DER LEISTUNGSELEKTRONIK
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Halbleiterbauelemente DDR
Abstract: MAA 436 TESLA mikroelektronik applikation Radio Fernsehen Elektronik 1977 Heft 9 IL709M mikroelektronik Heft MAA725 K553UD1A "Mikroelektronik" Heft Tesla katalog
Text: INFORMATION MIKROELEKTRONIK APPLIKATION K 159 INNENSCHALTUNG SONDERHEFT IMPORT BAUELEMENTE UDSSR INTEGRIERTE SCHALTUNGEN INFORMATION-APPLIKATION SONDERHEFT IMPORTBAUELEMENTE INTEGRIERTE SCHALTUNGEN MIKROELEKTRONIK HEFT 6 veb Halbleiterwerk frankfurt oder
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Halbleiterbauelemente DDR
Abstract: Dioden SY 250 diode sy-250 B250C135 u103d GD244 transistor gc 301 SAM42 diode sy 166 D172C
Text: electronic Halbleiter-Bauelemente Die vorliegende Übersicht enthält in gedrängter Form die wichtigsten Grenz-und Kenndaten der in der DDR getertigten Halbleiterbauelemente. Die Kennwerte werden im allgemeinen für eine Umgebungs temperatur von 25 °C angegeben.
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6x10x12
Halbleiterbauelemente DDR
Dioden SY 250
diode sy-250
B250C135
u103d
GD244
transistor gc 301
SAM42
diode sy 166
D172C
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mikroelektronik ddr
Abstract: Halbleiterbauelemente DDR VEB mikroelektronik vqb 71 A910D VQB71 "halbleiterwerk frankfurt" diode sy-170 VQB 37 u112d
Text: Halbleiter-Bauelemente Semiconductors Die vorliegende Übersicht enthält in gedrängter Form die wichtigsten Grenz- und Kenn daten der in der DDR gefertigten Halbleiterbauelem ente. Dem Anwender soll durch diese Übersicht die Auswahl der jeweils in Frage kommenden
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TESLA KU 602
Abstract: TESLA KU 601 tesla ku 611 kd 501 KD 3055 vergleichsliste DDR kd 616 tungsram UNITRA vergleichsliste
Text: r electronic Vergleichsliste Silizium-Leistungstransistoren 1 Vorwort» Die Verglcich8jiatc Silizium - Leistungstransistoren wurde in erste: Linie als Arbeitsmaterial fuer die Applikationsorgane unseres Kombinates zusanmengestellt. Um das Hauptziel dic.aer Liste - NSW - Bauelemente
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O-220
TESLA KU 602
TESLA KU 601
tesla ku 611
kd 501
KD 3055
vergleichsliste DDR
kd 616
tungsram
UNITRA
vergleichsliste
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Halbleiterbauelemente DDR
Abstract: information applikation Transistoren DDR information applikation mikroelektronik VEB mikroelektronik Kombinat VEB A 281 "halbleiterwerk frankfurt" mikroelektronik Heft Mikroelektronik Information Applikation mikroelektronik DDR
Text: ErïrûDEko^^elel-cbnanikc Information Applikation BAUELEMENTE DER I LEISTUNGSELEKTRONIK 3 Autor: Ing. Lutz Ehrhardt, Stahnsdorf Redaktion und Layout: Ing. Lutz Ehrhardt Heinz Schulz Umschlag: Peter Hoffmann RedaktionsKommission: Heinz Schulz, Vorsitzender
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B084D
Abstract: DL074D 74LS74N transistor vergleichsliste TRANSISTOR 132D VEB mikroelektronik schlenzig B4761D B761D B176D
Text: Neue Halbleiterbauelemente KLAUS SCHLENZIG/ DIETER JUNG Operations verstärker LowPower- SchottkyReihe KLAUS SCHLENZIG/DIETER JUNG Neue Halbleiter bauelemente Operationsverstärker und Low-Power-Schottky-Reihe Militärverlag der D eutschen Demokratischen
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TGL 29331
Abstract: Kombinat VEB Elektronische Bauelemente TGL 31428 bauelemente Kombinat bauelemente DDR TGL-31428 21-1 TGL 24815 TGL 24687 TGL 24815 veb taschenbuch
Text: Kontakt bauelemente Kombinat VEB Elektronische Bauelemente K O N T A K T B A UELEM ENTE In h alt S te c k v e rb in d e r, fla che B a u fo rm Seite 6 H F -R u n d ste ckve rb in d e r 61 N F -R u n d ste ckve rb in d e r 101 L ic h tle ite rs te c k v e rb in d e r
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T112-16
Abstract: Halbleiterbauelemente DDR Datenblattsammlung Tesla katalog tesla schaltkreise mikroelektronik datenblattsammlung VEB mikroelektronik mikroelektronik RFT mikroelektronik DDR rft katalog
Text: Di vorliegenden Datenblätter dienen nur sur- Information« Sie beinhalten Informationen über Halbleiterbauelemente des in den Listen elektronischer Bauelemente ©ingestuften Sortimente© Aus den Datenblättern können keine Liefer- oder ProduktVer bindlichkeiten abgeleitet werden*
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DDR-1035
T112-16
Halbleiterbauelemente DDR
Datenblattsammlung
Tesla katalog
tesla schaltkreise
mikroelektronik datenblattsammlung
VEB mikroelektronik
mikroelektronik RFT
mikroelektronik DDR
rft katalog
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Halbleiterbauelemente DDR
Abstract: GAZ17 diode sy-250 "halbleiterwerk frankfurt" sal41 diode sy-170 SF 127 diode say17 Halbleiter-Bauelemente DDR SY 170
Text: eiecrronic Halbleiter-Bauelemente Die vorliegende Übersicht enthält in gedrängter Form die wichtigsten Grenz- und Kenndaten der in der DD R gefertigten H albleiterbauelem ente. Die Kennwerte werden im allgem einen für eine Um gebungs temperatur von 25 °C angegeben.
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DOR102
Halbleiterbauelemente DDR
GAZ17
diode sy-250
"halbleiterwerk frankfurt"
sal41
diode sy-170
SF 127
diode say17
Halbleiter-Bauelemente DDR
SY 170
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information applikation
Abstract: DL193D information applikation mikroelektronik Mikroelektronik Information Applikation mikroelektronik Heft 12 "Mikroelektronik" Heft mikroelektronik applikation VEB mikroelektronik applikation heft DL192D
Text: [ H n in k ^ t M E le l- c f a n a n il- c Information Applikatiùn Auf ein Wort: Werte Nutzer dieser Applikations-Hefte! Das Tempo der Entwicklung in der Mikroelektronik erfordert, ständig neue Informationen über Bauelemente und ihre mögliche Anwendung
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Funkamateur
Abstract: SF128 sf126 SSY20 SU161 SF136 SF137 sf359 132 gd 120 sf358
Text: Funkam ateur-Tabeilen Halbleiter-Bauelemente aus der DDR-Produktion 1980 Typ P« mW [W] UcBO V U ceO Ic [ U c e r ] mA V [A] hin Bei UCE und Ic mA V [A] MHz Silizium-NF-Transistoren 200 SC 206 SC 207 200 sc 236 200 sc 237 200 200 sc 238 sc 239 200 Silizium-HF-Transistoren
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il21E
Funkamateur
SF128
sf126
SSY20
SU161
SF136
SF137
sf359
132 gd 120
sf358
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kt829a
Abstract: VEB mikroelektronik Datenblattsammlung Halbleiterbauelemente DDR information applikation mikroelektronik B4207D mikroelektronik datenblattsammlung mikroelektronik DDR "halbleiterwerk frankfurt" KT 829 b
Text: 0=¡rúl[hE=°@Blel- t3nariilK e le k t r o n ik - b a u e t e m e n t e Die vorliegenden Datenblätter beinhalten ausführliche technische Angaben von aktiven elek tronischen Bauelementen des in den "Listen Elektronischer Bauelemente und Bausteine" (LEB
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Halbleiterbauelemente DDR
Abstract: sy 170 diode sy-180 diode sy 171 10 diode sy-170 mikroelektronik DDR mikroelektronik Heft 12 VEB mikroelektronik SY 180 Applikation Information
Text: m o ß ^ t s ie le l- c ia n o r ill- i Information Applikation INFORMATION A PPLIKA TIO N M IK R O E L E K T R O N IK Heft 16: L E IS T U N G S -E L E K T R O N IK II Bauelemente-Sortiment der DDR -Teil 1: Dioden- VEB GLEICHRICHTERWERK STAHNSDORF im VEB Kombinat Mikroelektronik
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Halbleiterbauelemente DDR
Abstract: transistor vergleichsliste u82720 Datenblattsammlung VEB mikroelektronik aktive elektronische bauelemente ddr mikroelektronik datenblattsammlung je 3055 Motorola mikroelektronik DDR Transistor Vergleichsliste DDR
Text: íx}i3í iu ]9n;g'q s p o s i l i o j p j S j © DNmiAf W¥S±±na N31¥Q >l!UDüq>|! ZUR B E A C H T U N G Die vorliegenden Datenblätter beinhalten ausführliche technische Angaben von aktiven elektronischen Bauelementen des in den "Listen Elektronischer Bauelemente und Bausteine" LEB)
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R-1035
Halbleiterbauelemente DDR
transistor vergleichsliste
u82720
Datenblattsammlung
VEB mikroelektronik
aktive elektronische bauelemente ddr
mikroelektronik datenblattsammlung
je 3055 Motorola
mikroelektronik DDR
Transistor Vergleichsliste DDR
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TRANSISTOR 132-gd
Abstract: TRANSISTORS 132 GD equivalent io transistor 131-G bbc ds diodes DS 1,8 transistor vergleichsliste aeg diode Si 61 L AF124 Transistor Vergleichsliste DDR OC1044 bbc ds diodes
Text: Vergleichsliste Halbleiter Bauelemente In h a lt: Einleitung Typenbezeichnung und Form elzeichen G e g e n ü b e r s t e ll u n g n a c h A l p h a b e t : T ransistoren G leichrichterdioden Leistungs-Zenerdioden V e rg le ic h nach T y p e n g ru p p e n
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06o3H
TRANSISTOR 132-gd
TRANSISTORS 132 GD
equivalent io transistor 131-G
bbc ds diodes DS 1,8
transistor vergleichsliste
aeg diode Si 61 L
AF124
Transistor Vergleichsliste DDR
OC1044
bbc ds diodes
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meuselwitz
Abstract: service-mitteilungen elektra 58 GER-A servicemitteilungen LTE filter drehkondensator VEB Narva "WF Berlin" "service-mitteilungen"
Text: SERVICE-MITTEILUNGEN V E B IN D U S T R IE V E R T R IE B R U N D F U N K U N D F E R N S E H E N ifflUHl r a d io - AUSGABE: television 1 Seite 6 1985 1 - 4 Schlüsselliste für Garantiereparaturen - Bauelemente/Bauteile und Hersteller Stand: Mai 1985 Bisherige Ausgaben der Schlüsselliste
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IC 7447
Abstract: "halbleiterwerk frankfurt" IC 7495 dioda by 238 SYk 04 vergleichsliste BY 235 D147d IC 7474 ic 74193
Text: eiecrronic Halbleiter-Bauelemente Vergleichsliste Hersteller Bi BA Bi Bi Bi Bi Bi Bi 100 103 106 116 127 147/25 147/50 152 i E S 8 Ti 8 T. T Se B i 152 Hl B i 170 B i 177 B i 178 B i 1«B BA 187 B i 204 B i 216 B i 217 B i 216 B i 219 B i 220 BA 221 B i 222
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SPF455
Abstract: SPF 455 H 5 SPF 455 msf 38.9 SPF 455 h5 455-A6 SPF10700 455-B6 SFU 455 Y veb taschenbuch
Text: Mechanische Frequenzfilter Sondererzeugnisse Kombinat VEB Elektronische Bauelemente F R E Q U E N Z S E L E K T IV E B A U E L E M E N T E In h alt Piezokeram ische B a ndfilte r O b e rflä ch e n w e lle n filte r Seite 6 16 S O N D E R E R Z E U G N IS S E
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Ag05/23/87
SPF455
SPF 455 H 5
SPF 455
msf 38.9
SPF 455 h5
455-A6
SPF10700
455-B6
SFU 455 Y
veb taschenbuch
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VQB71
Abstract: vqb 71 Halbleiterbauelemente DDR "halbleiterwerk frankfurt" U105D diode sy-250 U107D u311d hfo frankfurt sy 170
Text: eiecrronic Halbleiter-Bauelemente D ie v o r lie g e n d e Ü b e rs ic h t e n t h ä l t i n g e d rä n g te r Form d ie w ic h tig s te n G renz- und K enndaten d e r i n d e r DDR g e f e r t i g t e n H a lb le ite r b a u e le m e n te . D ie K ennw erte werden im a llg e m e in e n f ü r e in e U m gebungstem peratur von
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VEB mikroelektronik
Abstract: Datenblattsammlung mikroelektronik datenblattsammlung U880D A4510D VEB M ik ro e le k tro n ik u880 U7660 Erfurt Mikroelektronik
Text: o = in ] S [ h o = ü @ e iB i< b n a r iil- c EÎE' D Â 1b ^ feLÂ 'î l¡ SM /EháLUfi^G e le k t r o n is c h e b g u g t e im n t e •- 2 / S ;■ D A T E N B L A T T S A M M L U N G "Elektronische Bauelemente" Ausgabe 2/88 13 : " N e u e un d w e i t e r e n t w i c k e l t e
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