BPW21
Abstract: Q62702-P885 GMOY6011
Text: Silizium-Fotodiode für den sichtbaren Spektralbereich Silicon Photodiode for the Visible Spectral Range BPW 21 Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 350 nm bis 820 nm • Angepaßt an die Augenempfindlichkeit Vλ
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Original
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"rain sensor"
Abstract: Q65110A1130 Lambda Sensor GEOY6863 OHLY0597
Text: Silizium-Fotodiode mit Vλ Charakteristik Silicon Photodiode with Vλ Characteristics SFH 2430 Wesentliche Merkmale Features • Spektrale Empfindlichkeit angepasst an die Augenempfindlichkeit Vλ • Niedriger Temperaturkoeffizient der Fotoempfindlichkeit
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SFH-506
Abstract: SFH 506-30 SFH 506-36 ir demodulator ir preamplifier P1201 SFH 415 transistor f 506 Q62702-P1196 Q62702-P1197
Text: SFH 506 SFH 506 fex06841 IR-Empfänger/Demodulator-Baustein IR-Receiver/Demodulator Device Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale ● Fotodiode mit integriertem Verstärker ● Angepaβt an verschiedene Trägerfrequenzen
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fex06841
SFH-506
SFH 506-30
SFH 506-36
ir demodulator
ir preamplifier
P1201
SFH 415
transistor f 506
Q62702-P1196
Q62702-P1197
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: NPN-Si-Fototransistor mit Vλ Charakteristik Silicon NPN Phototransistor with Vλ Characteristics Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 3310 Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 350 nm bis 970 nm • Angepasst an die Augenempfindlichkeit (Vλ)
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: 11.6 max 6 7.7 e 32 0.3 a 32 a b c d e 2.5 +0.1 0.65 x 0.3 Bestückungsplan 78.74 ±0.1 - contact layout 90 85 -0.2 95 max 31 x 2.54 = Id.-Nr. - = bead punched - assemble = Sicke angeprägt = bestückt 9 8 7 6 5 class 4 3 2 +0.1 1 Anforderungsstufe 1 2.54
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Original
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160-Type6-TLSI
D-73099
000gsplan
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: NPN-Si-Fototransistor mit Vλ Charakteristik Silicon NPN Phototransistor with Vλ Characteristics Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 3710 Wesentliche Merkmale Features • Sehr kleines SMT Gehäuse • Angepaßt an die Augenempfindlichkeit (Vλ) • Very small SMT package
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Q65110A3107
Q65110A3512
Q65110A3511
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phototransistor 550 nm
Abstract: No abstract text available
Text: NPN-Si-Fototransistor mit Vλ Charakteristik Silicon NPN Phototransistor with Vλ Characteristics Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 3710 Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale Features • Sehr kleines SMT Gehäuse • Angepaßt an die Augenempfindlichkeit (Vλ)
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Q65110A3107
phototransistor 550 nm
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Schieberegister
Abstract: G003 I002 t01 mssop8
Text: iC-NE LICHTGITTER-PULSEMPFÄNGER Ausgabe E1, Seite 1/9 EIGENSCHAFTEN ANWENDUNGEN ♦ ♦ ♦ ♦ ♦ Lichtgitter ♦ Lichtschranken ♦ Personenschutzsysteme ♦ ♦ ♦ ♦ ♦ ♦ ♦ ♦ ♦ Fotostromverstärker angepasst an Standardfotodioden Integrierter Bandpass mit 300 kHz Mittenfrequenz
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Original
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SFH 3410
Abstract: Radian SFH3410-2
Text: NPN-Si-Fototransistor mit Vλ Charakteristik Silicon NPN Phototransistor with Vλ Characteristics Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 3410 Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 350 nm bis 970 nm • Angepaßt an die Augenempfindlichkeit (Vλ)
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Original
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Q65110A1211
Q65110A2653
Q65110A2654
Q65110A2655
720-SFH3410-2/3-Z
3410-2/3-Z
SFH 3410
Radian
SFH3410-2
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Sfh 506-38
Abstract: Q62702-P1196 Q62702-P1197 Q62702-P1198 Q62702-P1199 Q62702-P1200 Q62702-P1201 SFH 506-36
Text: SFH 506 SFH 506 fex06841 IR-Empfänger/Demodulator-Baustein IR-Receiver/Demodulator Device Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale ● Fotodiode mit integriertem Verstärker ● Angepaßt an verschiedene Trägerfrequenzen
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Original
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fex06841
Sfh 506-38
Q62702-P1196
Q62702-P1197
Q62702-P1198
Q62702-P1199
Q62702-P1200
Q62702-P1201
SFH 506-36
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AM401
Abstract: AD693 0-10V 4.....20MA 0-10V to 0-5V interface 4-20mA 0...5V xtr105 aktive elektronische bauelemente 2
Text: Universelles Spannungs–Transmitter–IC AM401 Bei der Einbeziehung der Sensoren in Systeme stellt sich für den Systementwickler weiterhin die Frage nach der Art und Weise, wie das Sensorsignal bearbeitet werden muß, um optimal an die Systemanforderungen angepaßt werden zu können. Für industrielle Anwendungen gibt es nach wie
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AM401
5/10V
AM427/17
0-5/10V
AM401
AD693
0-10V 4.....20MA
0-10V to 0-5V interface
4-20mA 0...5V
xtr105
aktive elektronische bauelemente 2
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K3053
Abstract: PA6.6 - GF 25 K7101 methylenchlorid stk 142 - 150 96209 K8013 K805 E01000BBA 90302C
Text: Die aus verstärktem Polyamid hergestellten LightClamps sind standardmäßig in den zwei Basis-Durchmessergrößen 18 und 30 mm erhältlich. In Verbindung mit den Reduzierhülsen werden die klemmbaren Durchmesser spezifisch angepasst. Resistenzen gegen aggressive Stoffe, geringes Eigengewicht
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Original
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90301C
90302C
90303C
90304C
90400C
20x20x1
E0025DAE
F-20x20
K3053
PA6.6 - GF 25
K7101
methylenchlorid
stk 142 - 150
96209
K8013
K805
E01000BBA
90302C
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OS-LM01A-A
Abstract: OS-LM01A-B1 OS-LM01A-T1 OS-LM01A-Y1
Text: LINEARlight Optics OS-OP 4x1-20 Preliminary Data Sheet Besondere Merkmale • Optik für LINEARlight OS-LM 01A • geeignet für alle LED-Farben • Länge der Optik ist auf kleinste Einheit des LINEARlight von 56 mm angepasst • Linsenrastermaß : 14 mm
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4x1-20
OS-LM01A-A
OS-LM01A-B1
OS-LM01A-T1
OS-LM01A-Y1
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SFH 3410
Abstract: No abstract text available
Text: NPN-Si-Fototransistor für den sichtbaren Spektralbereich Silicon NPN Phototransistor for the Visible Spectral Range SFH 3410 Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 350 nm bis 970 nm • Angepaßt an die Augenempfindlichkeit Vλ
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Q62702-P5160
GEOY6028
SFH 3410
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Q65110A3653
Abstract: e9555 SFH 3710
Text: NPN-Si-Fototransistor mit Vλ Charakteristik Silicon NPN Phototransistor with Vλ Characteristics Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 3710 E9555 Wesentliche Merkmale Features • Sehr kleines SMT Gehäuse • Angepaßt an die Augenempfindlichkeit (Vλ)
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E9555
E9555
Q65110A3653
Q65110A3653
SFH 3710
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: Silizium-Fotodiode mit Vλ Charakteristik Silicon Photodiode with Vλ Characteristics SFH 2430 Wesentliche Merkmale Features • Spektrale Empfindlichkeit angepasst an die Augenempfindlichkeit Vλ • Niedriger Temperaturkoeffizient der Fotoempfindlichkeit
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Q65110A1130
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W1331-26
Abstract: 3711
Text: VDE/VDI-SCHULUNGSBLÄTTER FÜR DIE LEITERPLATTENFERTIGUNG Mechanische Bearbeitung Fräsen VDE/VDI 3711, Blatt 3.2 Seite 1 Allgemeines Fräskonturen der Leiterplatte erfüllen verschiedene Aufgaben. Sie müssen exakt zum Druckbild hergestellt und geometrisch an das Endprodukt angepaßt werden. Hierbei wird
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: Klare Vorteile im Wasser Sicher und präzise überwachen, messen, regeln Baumer – auf unsere Technik ist Verlass Ausgereifte Produkte, höchste Präzision und kompetente Beratung – diesen Ansprüchen wird Baumer gerecht. Unser vielfältiges Produktportfolio bietet Ihnen, den individuellen Anforderungen Ihrer Branche angepasst, die
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Ku728
0x/12
11xxxxxx
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LS04
Abstract: LS05 MEDER
Text: LS05 – The Next Level LS 05 – Das neue Mitglied der MEDER Levelsensorfamilie! LS05-BVXXXXX 1.1 Rohre: Grundsätzlich sind die Steigrohre aus Edelstahl gefertigt. Nur die Länge und der Durchmesser werden den Kundenwünschen angepasst. Den Längen und Durchmessern sind keine Grenzen gesetzt.
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LS05-BVXXXXX
LS04
LS05
MEDER
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UM10204
Abstract: Sunlight sensor OHF04366
Text: Hochgenauer Umgebungslichtsensor mit I²C Bus Schnittstelle High Accuracy Ambient Light Sensor with I²C Bus Interface Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 5712 Wesentliche Merkmale Features • Gut an die Augenempfindlichkeit (Vλ) angepasst • Hohe Genauigkeit von 3 - 65.000lx
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000lx
100kbit/s;
400kbit/s;
UM10204
Sunlight sensor
OHF04366
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GEOY7012
Abstract: OHLA0687 OHPY3984 Sunlight sensor OSRAM automotive lamp
Text: Hochgenauer Umgebungslichtsensor High Accuracy Ambient Light Sensor Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 5711 Wesentliche Merkmale Features • Optohybrid mit logarithmischem Stromausgang • Perfekt an die Augenempfindlichkeit (Vλ) angepasst • Niedriger Temperaturkoeffizient der
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Q62702-P5160
Abstract: SFH 3410
Text: NPN-Si-Fototransistor mit Vλ Charakteristik Silicon NPN Phototransistor with Vλ Characteristics SFH 3410 Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 350 nm bis 970 nm • Angepaßt an die Augenempfindlichkeit Vλ
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Q65110A3107
Abstract: Q65110A35 GEOY7009 OHFP2578 Q65110A3511 SFH3710
Text: NPN-Si-Fototransistor mit Vλ Charakteristik Silicon NPN Phototransistor with Vλ Characteristics Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 3710 Wesentliche Merkmale Features • Sehr kleines SMT Gehäuse • Angepaßt an die Augenempfindlichkeit (Vλ) • Very small SMT package
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GEO06028
Abstract: Q62702-P5160 phototransistor 550 nm SFH 3410
Text: NPN-Si-Fototransistor für den sichtbaren Spektralbereich im Smart-DIL-Geh. Si-NPN Phototransistor for the Visible Spectral Range in Smart-DIL Package SFH 3410 Wesentliche Merkmale • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 350 nm bis 970 nm • Angepaßt an die Augenempfindlichkeit Vλ
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GEO06028
GEO06028
Q62702-P5160
phototransistor 550 nm
SFH 3410
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