P2H80QH10
Abstract: No abstract text available
Text: TENTATIVE TENTATIVE SBD MODULE P2H80QH10 P2H80QH10 80A/100V 高耐圧・低リークSBD ２素子独立・絶縁ベース型高周波整流用 最大定格 Maximum Ratings 記 号 項 目 Parameter Symbol P2H80QH10 Unit *1 VRRM 100 V *1*2 Reverse VRRSM
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Original
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0A/100V
P2H80QH10
P2H80QH10
25VRM
25IFM=
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SOT227
Abstract: P2H80QH15
Text: TENTATIVE SBD MODULE 80A/150V P2H80QH15 OUTLINE DRAWING FEATURES * Compatible with Isolated Base SOT227 * Dual Separated Diodes * Extremely Low Forward Voltage Drop * Low Power Loss, High Efficiency * High Surge Capability See the Next Page TYPICAL APPLICATIONS
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Original
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0A/150V
P2H80QH15
OT227
SOT227
P2H80QH15
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P2H80QH15
Abstract: No abstract text available
Text: SBD 80A Avg 150 Volts •回路図 CIRCUIT 3 P2H80QH15 ■外形寸法図 OUTLINE DRAWING （単位 Dimension：mm） 1 4 3 1 4 2 2 ■最大定格 Maximum Ratings 項 目 Parameter くり返しピーク逆電圧 ＊1 Repetitive Peak Reverse Voltage
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Original
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P2H80QH15
250ne
25VRM
25IFM
sDuty1/50
P2H80QH15
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: TENTATIVE TENTATIVE SBD MODULE P2H80QH1 P2H80QH15 80A/150V 高耐圧・低リークSBD ２素子独立・絶縁ベース型高周波整流用 最大定格 Maximum Ratings 記 号 項 目 Parameter Symbol P2H80QH15 Unit *1 VRRM 150 V *1*2 Reverse VRRSM －
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Original
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0A/150V
P2H80QH1
P2H80QH15
P2H80QH15
25VRM
25IFM=
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P2H80QH10
Abstract: No abstract text available
Text: SBD MODULE 80A/100V P2H80QH10 OUTLINE DRAWING FEATURES * Compatible with Isolated Base SOT227 * Dual Separated Diodes * Extremely Low Forward Voltage Drop * Low Power Loss, High Efficiency * High Surge Capability See the Next Page TYPICAL APPLICATIONS * High Frequency Rectification
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Original
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0A/100V
P2H80QH10
OT227
P2H80QH10
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80A400
Abstract: P2H80QH10
Text: SBD 80A Avg 100 Volts •回路図 CIRCUIT 3 P2H80QH10 ■外形寸法図 OUTLINE DRAWING （単位 Dimension：mm） 1 4 3 1 4 2 2 ■最大定格 Maximum Ratings 項 目 Parameter くり返しピーク逆電圧 ＊1 Repetitive Peak Reverse Voltage
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Original
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P2H80QH10
25VRM
25IFM
sDuty1/50
80A400
P2H80QH10
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: SBD MODULE P2H80QH10 80A/100V 高耐圧・低リークSBD ２素子独立・絶縁ベース型高周波整流用 最大定格 Maximum Ratings Symbol P2H80QH10 Unit *1 VRRM 100 V *1*2 Reverse VRRSM − V くり返しﾋﾟｰｸ逆電圧 Repetitive Peak Reverse Voltage
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0A/100V
P2H80QH10
25VRM
25IFM=
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PT76S16
Abstract: d2n203le 10ERB20 508RP FCHS20A 300MCB
Text: Power Semiconductors Catalog Nihon Inter Electronics Corporation 安全設計に関するお願い ●当社は常に製品の品質信頼性の維持向上に努めておりますが、一般に半導体製品では故障がある確率で起こることは避けられ
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Original
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508RP
Abstract: 10ERB20 d2n202le D2W220CD FCH10U15 FCU20A40
Text: NO. 42 Power Semiconductors Catalog Nihon Inter Electronics Corporation 安全設計に関するお願い ●当社は常に製品の品質信頼性の維持向上に努めておりますが、一般に半導体製品では故障がある確率で起こることは避けられ
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Original
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PDM5001
Abstract: PDT400N16 pah60n8cm PHMB50E6CL PHT250N16 PHT400N16 PD100KN16 PAH100N8CM PT76S16 PAT400N16
Text: Contents Page Rectifier Diode PH PC PD PE PF PB PT C2 C3 C4,C5 C5 C6 C6 C7,C8 Fast Recovery Diode PH-F, PC-F, PD-F P2H-F C9 C10 Schottky Barrier Diode PC-Q, PE-Q, PQ-Q P2H-Q C11 C12 Thyristor plus Diode PHT PDT PAT PFT PAH PCH PDH PKH PBH, PBH-A, PBF PGH
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C3557
PH1503
PH150
PDM5001
PDT400N16
pah60n8cm
PHMB50E6CL
PHT250N16
PHT400N16
PD100KN16
PAH100N8CM
PT76S16
PAT400N16
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FCGS20A12
Abstract: FCHS10A12 EC10QS04 TE12L d2n203le 10ERA60 FCHS20A 20NFB60 FCU20A40 PAH100N8CM 10eda10
Text: NO. 43 Power Semiconductors Catalog Nihon Inter Electronics Corporation 安全設計に関するお願い ●当社は常に製品の品質信頼性の維持向上に努めておりますが、一般に半導体製品では故障がある確率で起こることは避けられ
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