2SJ348
Abstract: No abstract text available
Text: 注文コード No. N 6 4 2 1 2SJ348 No. N 6 4 2 1 N2499 新 2SJ348 特長 P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ 超高速スイッチング用 ・低オン抵抗。 ・超高速スイッチング。 ・4V 駆動。 絶対最大定格 Absolute Maximum Ratings / Ta=25℃
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Original
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PDF
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2SJ348
N2499
IT00676
--120A
--30V
--10V
IT00675
IT00678
2SJ348
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HF16A
Abstract: a1289 a*12864 A1286 5CCD A12859 532H LC9997FL fujinon s4141
Text: 注文コードNo.N ※ 6 3 5 2 No. N6352 N2499 1/5インチ光学サイズ LC9997FL NTSC カラー用固体撮像素子 LC9997FLは1/5インチ光学サイズフレームトランスファ型CCD Charge Coupled Device の固体撮像素子で ある。
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Original
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PDF
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N6352
N2499
LC9997FL
LC9997FL1/5CCD
330TV
N2499HK
NSUB-14,
A12865
HF16A
a1289
a*12864
A1286
5CCD
A12859
532H
LC9997FL
fujinon
s4141
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CPH5606
Abstract: M2168
Text: 注文コード No. N※6 4 5 1 CPH5606 No. ※N 6 4 5 1 N2499 CPH5606 特長 N チャネルおよび P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ 超高速スイッチング用 ・低オン抵抗超高速スイッチングの N チャネルおよび P チャネル MOS 形電界効果トランジスタを
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Original
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PDF
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CPH5606
N2499
600mm2
700mA
700mA,
IT01104
--10V
600mm2
IT01094
CPH5606
M2168
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CPH3114
Abstract: CPH6702 SBS006
Text: 注文コード No.N 6 3 5 4 CPH6702 No. N 6 3 5 4 N2499 新 CPH6702 特長 TR : PNP エピタキシァルプレーナ形シリコントランジスタ / SBD : ショットキバリアダイオード DC / DC コンバータ用 ・PNP トランジスタとショットキバリアダイオードを 1 パッケージに 2 素子内蔵した複合タイプであり
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Original
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PDF
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CPH6702
N2499
CPH6702
CPH3114
SBS006
600mm2
IT01670
IT01671
CPH3114
SBS006
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TA-2368
Abstract: zp 18a N249 2SJ466 ta2368
Text: 注文コード No. N 5 4 9 1 B 2SJ466 No. N 5 4 9 1 B N2499 半導体ニューズ No.5491A とさしかえてください。 2SJ466 特長 P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ 超高速スイッチング用 ・低オン抵抗。
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Original
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PDF
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2SJ466
N2499
--30V
--10V
IT00685
--35A
IT00687
IT00688
TA-2368
zp 18a
N249
2SJ466
ta2368
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: MCH6605 Ordering number : EN6460C SANYO Semiconductors DATA SHEET P-Channel Silicon MOSFET MCH6605 General-Purpose Switching Device Applications Features • • • • Low ON-resistance Ultrahigh-speed switching 4V drive Composite type with 2 MOSFETs contained in a single package, facilitating high-density mounting
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Original
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PDF
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EN6460C
MCH6605
PW10s,
900mm2
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: MCH6605 Ordering number : EN6460A P-Channel Silicon MOSFET MCH6605 General-Purpose Switching Device Applications Features • • • • Low ON-resistance. Ultrahigh-speed switching. 4V drive. Composite type with 2 MOSFETs contained in a single package, facilitating high-density mounting.
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Original
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PDF
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EN6460A
MCH6605
900mm2
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CPH5605
Abstract: M2168
Text: 注文コード No. N 6 4 4 1 CPH5605 三洋半導体データシート N CPH5605 特長 N チャネルおよび P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ 超高速スイッチング用 ・低オン抵抗超高速スイッチングの N チャネルおよび P チャネル MOS 形電界効果トランジスタを
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Original
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PDF
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CPH5605
600mm2
700mA
700mA,
400mA,
600mm2
IT00790
IT00788
CPH5605
M2168
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MCH6606
Abstract: IT00049
Text: MCH6606 注文コード No. N 6 4 6 1 B 三洋半導体データシート 半導体データシート No.N6461A をさしかえてください。 MCH6606 N チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ 汎用スイッチングデバイス
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Original
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PDF
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MCH6606
N6461A
900mm2
IT00052
900mm2
IT01731
IT01732
MCH6606
IT00049
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TA-2457
Abstract: MCH6601 IT00079 non6458a IT00085
Text: MCH6601 注文コード No. N 6 4 5 8 B 三洋半導体データシート 半導体ニューズ No.N6458A とさしかえてください。 MCH6601 P チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ 汎用スイッチングデバイス 特長
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Original
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PDF
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MCH6601
N6458A
900mm2
IT00088
900mm2
IT00087
--10V
--100mA
IT01733
TA-2457
MCH6601
IT00079
non6458a
IT00085
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MCH6605
Abstract: No abstract text available
Text: MCH6605 注文コード No. N 6 4 6 0 B 三洋半導体データシート 半導体ニューズ No.N6460A とさしかえてください。 MCH6605 P チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ 汎用スイッチングデバイス 特長
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Original
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PDF
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MCH6605
N6460A
900mm2
IT00113
900mm2
IT01735
IT01736
MCH6605
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MCH6605
Abstract: No abstract text available
Text: MCH6605 Ordering number : EN6460B SANYO Semiconductors DATA SHEET P-Channel Silicon MOSFET MCH6605 General-Purpose Switching Device Applications Features • • • • Low ON-resistance. Ultrahigh-speed switching. 4V drive. Composite type with 2 MOSFETs contained in a single package, facilitating high-density mounting.
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Original
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PDF
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MCH6605
EN6460B
900mm2
MCH6605
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: MCH6601 Ordering number : EN6458A P-Channel Silicon MOSFET MCH6601 General-Purpose Switching Device Applications Features • • • • Low ON-resistance. Ultrahigh-speed switching. 2.5V drive. Composite type with 2 MOSFETs contained in a single package, facilitating high-density mounting.
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Original
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PDF
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EN6458A
MCH6601
900mm2
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: MCH6601 Ordering number : EN6458B P-Channel Silicon MOSFET MCH6601 General-Purpose Switching Device Applications Features • • • • Low ON-resistance. Ultrahigh-speed switching. 1.5V drive. Composite type with 2 MOSFETs contained in a single package, facilitating high-density mounting.
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Original
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PDF
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MCH6601
EN6458B
900mm2
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: Ordering number : EN6458D MCH6601 P-Channel Power MOSFET http://onsemi.com –30V, –0.2A, 10.4Ω, Dual MCPH6 Features • • • • Low ON-resistance Ultrahigh-speed switching 1.5V drive Composite type with 2 MOSFETs contained in a single package, facilitating high-density mounting
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Original
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PDF
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EN6458D
MCH6601
PW10s,
900mm2
20where
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CPH3115
Abstract: CPH3215
Text: CPH3115 / CPH3215 注文コード No. N 6 3 4 4 B 三洋半導体データシート 半導体ニューズ No.N6344A とさしかえてください。 CPH3115 / CPH3215 PNP / NPN エピタキシァルプレーナ型シリコントランジスタ DC / DC コンバータ用
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Original
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CPH3115
CPH3215
N6344A
CPH3115
600mm2
100mA
300mA
CPH3115AQ,
CPH3215
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en645
Abstract: MCH6601
Text: MCH6601 Ordering number : EN6458B SANYO Semiconductors DATA SHEET P-Channel Silicon MOSFET MCH6601 General-Purpose Switching Device Applications Features • • • • Low ON-resistance. Ultrahigh-speed switching. 1.5V drive. Composite type with 2 MOSFETs contained in a single package, facilitating high-density mounting.
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Original
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PDF
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MCH6601
EN6458B
900mm2
en645
MCH6601
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: MCH6601 Ordering number : EN6458C SANYO Semiconductors DATA SHEET P-Channel Silicon MOSFET MCH6601 General-Purpose Switching Device Applications Features • • • • Low ON-resistance Ultrahigh-speed switching 1.5V drive Composite type with 2 MOSFETs contained in a single package, facilitating high-density mounting
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Original
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PDF
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MCH6601
EN6458C
900mm2Ã
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: MCH6605 Ordering number : EN6460B P-Channel Silicon MOSFET MCH6605 General-Purpose Switching Device Applications Features • • • • Low ON-resistance. Ultrahigh-speed switching. 4V drive. Composite type with 2 MOSFETs contained in a single package, facilitating high-density mounting.
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Original
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PDF
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EN6460B
MCH6605
900mm2
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F245B
Abstract: BF256 2N3820 BC264 U1898E BFS21A MPF105 vergleichsliste BF320 TIS69
Text: FACHHÄNDLER INFORMATION DISKRETE PRODUKTE FETs Warum FET-Vorzugsprodukte? Weil: • 20% unserer Produkte mehr als 80% aller Anforderungen erfüllen. ■ wir unsere Produkte mittels Computer analysiert haben nach: größtem Bedarf notwendigen Parametern niedrigsten Kosten
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100-MHz
F245B
BF256
2N3820
BC264
U1898E
BFS21A
MPF105
vergleichsliste
BF320
TIS69
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E421 fet
Abstract: equivalent transistor e176 J2N2608 J2N3821 E112 jfet e420 dual jfet 2N390G TRANSISTOR E421 dual JFET 2N4360 equivalent transistors Teledyne Semiconductor jfet
Text: Discretes from Teledyne Semiconductor In this catalog are listed more than 2000 high-quality diodes, bipolar transistors and JFETs available from Teledyne Semiconductor. Key specifications are included for each device and many are available w ith hi-rel processing to m ilitary specifications.
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O-72P*
O-92X
O-105
O-106
O-106P
E421 fet
equivalent transistor e176
J2N2608
J2N3821
E112 jfet
e420 dual jfet
2N390G TRANSISTOR
E421 dual JFET
2N4360 equivalent transistors
Teledyne Semiconductor jfet
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