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MCH6656 Abstract: 8V100 Text: MCH6656 注文コード No. N A 0 5 3 0 三洋半導体データシート N MCH6656 N チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ汎用スイッチングデバイス特長・4V 駆動。・MOS 型電界効果トランジスタを 1 パッケージに 2 素子内蔵した複合タイプであり高密度実装が可能である。	Original	PDF	MCH6656 900mm2 100mA 100mA, IT11271 200mA 900mm2 IT13430 MCH6656 8V100
MCH6656 Abstract: No abstract text available Text: MCH6656 Ordering number : ENA0530 SANYO Semiconductors DATA SHEET N-Channel Silicon MOSFET MCH6656 General-Purpose Switching Device Applications Features • • 4V drive. Composite type with 2 MOSFETs contained in a single package, facilitating high-density mounting.	Original	PDF	MCH6656 ENA0530 PW10s, 900mm20 A0530-4/4 MCH6656

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MCH6656

Abstract: 8V100
Text: MCH6656 注文コード No. N A 0 5 3 0 三洋半導体データシート N MCH6656 N チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ汎用スイッチングデバイス特長・4V 駆動。・MOS 型電界効果トランジスタを 1 パッケージに 2 素子内蔵した複合タイプであり高密度実装が可能である。

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MCH6656 900mm2 100mA 100mA, IT11271 200mA 900mm2 IT13430 MCH6656 8V100

MCH6656

Abstract: No abstract text available
Text: MCH6656 Ordering number : ENA0530 SANYO Semiconductors DATA SHEET N-Channel Silicon MOSFET MCH6656 General-Purpose Switching Device Applications Features • • 4V drive. Composite type with 2 MOSFETs contained in a single package, facilitating high-density mounting.

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MCH6656 ENA0530 PW10s, 900mm20 A0530-4/4 MCH6656