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Untitled Abstract: No abstract text available Text: MCH6653 Ordering number : ENA1239 SANYO Semiconductors DATA SHEET P-Channel Silicon MOSFET MCH6653 General-Purpose Switching Device Applications Features • • 1.5V drive. Composite type with 2 MOSFETs contained in a single package, facilitating high-density mounting.	Original	PDF	MCH6653 ENA1239 PW10s, 900mm A1239-4/4
A1239 Abstract: No abstract text available Text: MCH6653 注文コード No. N A 1 2 3 9 三洋半導体データシート N MCH6653 P チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ汎用スイッチングデバイス特長・1.5V 駆動。・MOS 型電界効果トランジスタを 1 パッケージに 2 素子内蔵した複合タイプであり高密度実装が可能である。	Original	PDF	MCH6653 900mm2 --100mA IT11260 PW10s --400mA 900mm2 IT13776 A1239

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Untitled

Abstract: No abstract text available
Text: MCH6653 Ordering number : ENA1239 SANYO Semiconductors DATA SHEET P-Channel Silicon MOSFET MCH6653 General-Purpose Switching Device Applications Features • • 1.5V drive. Composite type with 2 MOSFETs contained in a single package, facilitating high-density mounting.

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MCH6653 ENA1239 PW10s, 900mm A1239-4/4

A1239

Abstract: No abstract text available
Text: MCH6653 注文コード No. N A 1 2 3 9 三洋半導体データシート N MCH6653 P チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ汎用スイッチングデバイス特長・1.5V 駆動。・MOS 型電界効果トランジスタを 1 パッケージに 2 素子内蔵した複合タイプであり高密度実装が可能である。

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MCH6653 900mm2 --100mA IT11260 PW10s --400mA 900mm2 IT13776 A1239