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Text: Single N-channel MOSFET ELM3C1260A •General description ■Features ELM3C1260A uses advanced trench technology to provide excellent Rds on , low gate charge and low gate resistance. • Vds=600V • Id=12A • Rds(on) < 0.65Ω (Vgs=10V) ■Maximum absolute ratings
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ELM3C1260A
ELM3C1260A
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Text: Single N-channel MOSFET ELM3C1260A •General description ■Features ELM3C1260A uses advanced trench technology to provide excellent Rds on , low gate charge and low gate resistance. • Vds=600V • Id=12A • Rds(on) < 0.65Ω (Vgs=10V) ■Maximum absolute ratings
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Text: シングル N チャンネル MOSFET ELM3C1260A •概要 ■特長 ELM3C1260A は低入力容量 低電圧駆動、 低 ON ・ Vds=600V 抵抗という特性を備えた大電流 MOS FET です。 ・ Id=12A ・ Rds on < 0.65Ω (Vgs=10V) ■絶対最大定格値
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Text: 单 N 沟道 MOSFET ELM3C1260A •概要 ■特点 ELM3C1260A 是 N 沟道低输入电容，低工作电压， •Vds=600V 低导通电阻的大电流 MOSFET。 · Id=12A · Rds on < 0.65Ω (Vgs=10V) ■绝对最大额定值 项目 记号 漏极 - 源极电压
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