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    Text: シングル N チャンネル MOSFET ELM3C0660A •概要 ■特長 ELM3C0660A は低入力容量 低電圧駆動、 低 ON ・ Vds=600V 抵抗という特性を備えた大電流 MOS FET です。 ・ Id=6A ・ Rds on < 1.25Ω (Vgs=10V) ■絶対最大定格値


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    Text: 单 N 沟道 MOSFET ELM3C0660A •概要 ■特点 ELM3C0660A 是 N 沟道低输入电容,低工作电压, •Vds=600V 低导通电阻的大电流 MOSFET。 · Id=6A · Rds on < 1.25Ω (Vgs=10V) ■绝对最大额定值 项目 记号 如没有特别注明时, Ta=25℃


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    Text: Single N-channel MOSFET ELM3C0660A •General description ■Features ELM3C0660A uses advanced trench technology to provide excellent Rds on , low gate charge and low gate resistance. • Vds=600V • Id=6A • Rds(on) < 1.25Ω (Vgs=10V) ■Maximum absolute ratings


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    Text: Single N-channel MOSFET ELM3C0660A •General description ■Features ELM3C0660A uses advanced trench technology to provide excellent Rds on , low gate charge and low gate resistance. • Vds=600V • Id=6A • Rds(on) < 1.25Ω (Vgs=10V) ■Maximum absolute ratings


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