NCP700BSN18T1G
Abstract: NCP700BSN30T1G transistor tip 3005 marking ADQ NCP700bsn33t1g
Text: NCP700B 200 mA, Ultra Low Noise, High PSRR, BiCMOS RF LDO Regulator Noise sensitive RF applications such as Power Amplifiers in cell phones and precision instrumentation require very clean power supplies. The NCP700B is 200 mA LDO that provides the engineer
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Original
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NCP700B
NCP700B/D
NCP700BSN18T1G
NCP700BSN30T1G
transistor tip 3005
marking ADQ
NCP700bsn33t1g
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: TPCP8604 東芝トランジスタ シリコンPNP三重拡散形 TPCP8604 ○ 高電圧スイッチング用 • 単位: mm 高耐圧です。: VCEO = −400 V 0.33±0.05 0.05 M A 記 号 定 格 単位 コ レ ク タ • ベ ー ス 間 電 圧 VCBO −400
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Original
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TPCP8604
645mm2
645mm2)
645mm2
100ms
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TPCP8603
Abstract: No abstract text available
Text: TPCP8603 東芝トランジスタ シリコンPNPエピタキシャル形 TPCP8603 ○ 高速スイッチング用 ○ DC-DC コンバータ用 単位: mm ○ ストロボフラッシュ用 0.33±0.05 0.05 M A コレクタ・エミッタ間飽和電圧が低い。:VCE sat = −0.2 V (最大)
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Original
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TPCP8603
645mm2
645mm2)
100ms*
TPCP8603
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2SA2214
Abstract: No abstract text available
Text: 2SA2214 東芝トランジスタ シリコンPNPエピタキシャル形 2SA2214 ○ 高速スイッチング用 ○ DC-DC コンバータ用 ○ ストロボフラッシュ用 単位: mm 2.1±0.1 コレクタ･エミッタ間飽和電圧が低い。: VCE sat = −0.14 V (最大)
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Original
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2SA2214
645mm2
2SA2214
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SSM6N25TU
Abstract: No abstract text available
Text: SSM6N25TU シリコンNチャネルMOS形 U-MOSⅢ 東芝電界効果トランジスタ SSM6N25TU 単位: mm ○ 高速スイッチング 2.1±0.1 • オン抵抗が低い。 1.7±0.1 Ron = 145mΩ (max) (@VGS = 4.0 V) 項 目 記 号 定 格 単位 ド レ イ ン ・ ソ ー ス 間 電 圧
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Original
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SSM6N25TU
645mm2)
SSM6N25TU
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SSM6K22FE
Abstract: No abstract text available
Text: SSM6K22FE 東芝電界効果トランジスタ シリコンＮチャネルMOS形 U-MOS-Ⅲ SSM6K22FE ○ 高速スイッチング ○ DC-DC コンバータ 単位: mm • 小型パッケージで高密度実装に最適 • オン抵抗が低い。 : Ron = 170 mΩ (最大) (@VGS = 4 V)
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Original
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SSM6K22FE
100ms
pad645mm2
SSM6K22FE
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: 2SAR542F3 Datasheet PNP -3.0A -30V Middle Power Transistor l Outline Parameter VCEO Value -30V IC -3A HUML2020L3 2SAR542F3 l Features 1 Suitable for Middle Power Driver. 2) Low V CE sat) VCE(sat)=-0.20V(Max.).
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Original
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2SAR542F3
HUML2020L3
-1A/-50mA)
HUML2020L3)
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TH58NVG5
Abstract: TC58NVG4 TC58DVM92A5TA00 TH58NVG6 SSM3J307T TC58DVG02A5BAJ5 mp1484 TC58NVG3S TH58NVG5S2EBA20 SSM6J409TU
Text: 11 eye 東芝半導体情報誌アイ 2008 年 11 月号 Volume 195 CONTENTS 新製品情報 MOSゲートドライバ用バイポーラトランジスタ HN4B102J / TPC6901A / TPC6902 / TPCP8902 2 携帯機器向けロードスイッチ用 Pch MOSFET 3
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Original
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HN4B102J
TPC6901A
TPC6902
TPCP8902
500mA/div.
TH58NVG5
TC58NVG4
TC58DVM92A5TA00
TH58NVG6
SSM3J307T
TC58DVG02A5BAJ5
mp1484
TC58NVG3S
TH58NVG5S2EBA20
SSM6J409TU
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TPCP8602
Abstract: 8602
Text: TPCP8602 東芝トランジスタ シリコンPNPエピタキシャル形 TPCP8602 ○ 高速スイッチング用 ○ DC-DC コンバータ用 ○ ストロボフラッシュ用 単位: mm 0.33±0.05 0.05 M A • コレクタ･エミッタ間飽和電圧が低い。
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Original
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TPCP8602
TPCP8602
8602
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SSM3K102TU
Abstract: No abstract text available
Text: SSM3K102TU 東芝電界効果トランジスタ シリコンＮチャネルMOS形 SSM3K102TU ○ パワーマネジメントスイッチ ○ 高速スイッチング 2.1±0.1 1.8V 駆動です オン抵抗が低い : Ron = 154mΩ max (@VGS = 1.8V) : Ron = 99mΩ (max) (@VGS = 2.5V)
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Original
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SSM3K102TU
645mm2
645mm
SSM3K102TU
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SSM3K106TU
Abstract: No abstract text available
Text: SSM3K106TU 東芝電界効果トランジスタ シリコンNチャネルMOS形 SSM3K106TU ○ DC-DC コンバータ ○ 超高速スイッチング 単位: mm 2.1±0.1 • 4V 駆動です • オン抵抗が低い : Ron = 530 mΩ max (@VGS = 4 V) 絶対最大定格 (Ta = 25°C)
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Original
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SSM3K106TU
JEDE600
645mm2
SSM3K106TU
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TPCP8F01
Abstract: No abstract text available
Text: TPCP8F01 TOSHIBA Multi-chip Device Silicon PNP Epitaxial Transistor , Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type TPCP8F01 Unit: mm ○ Swtching Applications ○ Load Switch Applications ○ Multi-chip discrete device; built-in PNP Transistor for main switch and N-ch MOS FET for drive
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Original
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TPCP8F01
TPCP8F01
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optically clear adhesive
Abstract: ecg master replacement guide 1115b silver conductive ink resins QTM-500 MGC 7805 CONDUCTIVE INK FOR FLEX CIRCUITS 3m 7815 8880-S7 UL-746
Text: 3M Electronics Assembly Solutions Product Selection Guide Smart Solutions for Building In Value 3M Company, operating in more than 60 countries, has over 60,000 products. These products, based on 40 technology platforms, have been developed by 6,500 3M Product Developers Worldwide.
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Original
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225-3S-06
7193HB
optically clear adhesive
ecg master replacement guide
1115b
silver conductive ink resins
QTM-500
MGC 7805
CONDUCTIVE INK FOR FLEX CIRCUITS
3m 7815
8880-S7
UL-746
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: SSM6G18NU 東芝複合素子 シリコン P チャネルMOS形 ＋エピタキシャルショットキバリア形 SSM6G18NU パワーマネージメントスイッチ Pch MOSFET とショットキバリアダイオードを 1 パッケージに内蔵 低 RDS ON 低 VF のため低損失:
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Original
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SSM6G18NU
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tny256
Abstract: EE16 core transformer TM 1343 transformer transformer tm 1343 S2 Schottky Rectifier P08A 22340 TNY256Y tny256 flyback transformer
Text: TNY256 TM TinySwitch Plus Energy Efficient, Low Power Off-line Switcher Product Highlights TinySwitch Plus Features • Extended power range • Fully integrated auto-restart reduces short circuit current • Line under-voltage sense eliminates turn-off glitches
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Original
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TNY256
O-220
tny256
EE16 core transformer
TM 1343 transformer
transformer tm 1343
S2 Schottky Rectifier
P08A
22340
TNY256Y
tny256 flyback transformer
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: 2SC6033 東芝トランジスタ シリコンNPNエピタキシャル形 2SC6033 ○ 高速スイッチング用 ○ DC−DC コンバータ用 ○ ストロボフラッシュ用 • 単位: mm : hFE = 250~400 IC = 0.3A 直流電流増幅率が高い。
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Original
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2SC6033
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: 2SC5976 東芝トランジスタ シリコンNPNエピタキシャル形 2SC5976 ○ 高速スイッチング用 ○ DC-DC コンバータ用 ○ ストロボフラッシュ用 単位: mm • 直流電流増幅率が高い。 • コレクタ･エミッタ間飽和電圧が低い。: VCE sat = 0.14 V (最大)
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Original
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2SC5976
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: NCV8570B 200 mA, Ultra Low Noise, High PSRR, LDO, Linear Voltage Regulator The NCV8570B is a 200 mA Low Dropout, Linear Voltage Regulator with ultra low noise characteristics. It’s low noise combined with high Power Supply Rejection Ratio PSRR make it especially
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Original
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NCV8570B
NCV8570B/D
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TNY256
Abstract: TNY256G TNY256Y TNY256P diode u2 7d diode zener smd a6 j2kl PO8A PI-250 PI-2362-012699
Text: TNY256 TM TinySwitch Plus Energy Efficient, Low Power Off-line Switcher Product Highlights TinySwitch Plus Features • Extended power range • Fully integrated auto-restart reduces short circuit current • Line under-voltage sense eliminates turn-off glitches
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Original
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TNY256
O-220
TNY256
TNY256G
TNY256Y
TNY256P
diode u2 7d
diode zener smd a6
j2kl
PO8A
PI-250
PI-2362-012699
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TTA007
Abstract: 23S1C
Text: TTA007 東芝トランジスタ シリコンPNPエピタキシャル形 TTA007 単位: mm 高速スイッチング用 DC-DC コンバータ用 • 直流電流増幅率が高い。 : hFE = 200~500 IC = −0.1 A • コレクタ・エミッタ間飽和電圧が低い。
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Original
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TTA007
645mm
645mm2)
645mm2
645mm2
TTA007
23S1C
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TTC007
Abstract: No abstract text available
Text: TTC007 東芝トランジスタ シリコンNPNエピタキシャル形 TTC007 単位: mm 高速スイッチング用 DC-DC コンバータ用 • 直流電流増幅率が高い。 : hFE = 400~1000 IC = 0.1 A • コレクタ・エミッタ間飽和電圧が低い。
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Original
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TTC007
645mm
645mm2)
645mm2
645mm2
TTC007
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TPCP8902
Abstract: No abstract text available
Text: TPCP8902 シリコンPNP / NPNエピタキシャル形 PCT方式 東芝トランジスタ TPCP8902 ○ 携帯機器用 ○ スイッチング用 単位: mm 0.33±0.05 0.05 M A 5 小型薄型で実装面積が小さい。 • 直流電流増幅率が高い。
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Original
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TPCP8902
645mm2
645mm2
TPCP8902
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: SSM6L11TU TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P/N Channel MOS Type SSM6L11TU High Speed Switching Applications • Optimum for high-density mounting in small packages • Low ON-resistance Q1: RDS ON = 395m Q2: RDS(ON) = 430m (max) (@VGS = 1.8 V) (max) (@VGS = -2.5 V)
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Original
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SSM6L11TU
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: SSM6N25TU TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type U-MOSIII SSM6N25TU High Speed Switching Applications Optimum for high-density mounting in small packages • Low on-resistance: Unit: mm (max) (@VGS = 2.5 V) 1.7±0.1 Ron = 145m (max) (@VGS = 4.0 V)
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Original
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SSM6N25TU
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