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BR 1n70 Abstract: 0.8um 700V mos 1N70 Text: 3VD199700YL 3VD199700YL 高压MOSFET芯片描述 Ø 3VD199700YL为采用硅外延工艺制造的N沟道增强型700V高压MOS功率场效应晶体管； Ø 先进的高压分压终止环结构； Ø 较高的雪崩能量； Ø 漏源二极管恢复时间快；	Original	3VD199700YL 3VD199700YL 3VD199700YLN 700VMOS O-251-3L 2070m 1900m 556um 440um BR 1n70 0.8um 700V mos 1N70	PDF

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BR 1n70

Abstract: 0.8um 700V mos 1N70
Text: 3VD199700YL 3VD199700YL 高压MOSFET芯片描述 Ø 3VD199700YL为采用硅外延工艺制造的N沟道增强型700V高压MOS功率场效应晶体管； Ø 先进的高压分压终止环结构； Ø 较高的雪崩能量； Ø 漏源二极管恢复时间快；

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3VD199700YL 3VD199700YL 3VD199700YLN 700VMOS O-251-3L 2070m 1900m 556um 440um BR 1n70 0.8um 700V mos 1N70

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