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    MSM548263

    Abstract: SOJ40 TFSC
    Text: お客様各位 資料中の「沖電気」「ＯＫＩ」等名称の OKI セミコンダクタ株式会社への変更について 2008 年 10 月 1 日を以って沖電気工業株式会社の半導体事業は OKI セミコン ダクタ株式会社に承継されました。 従いまして、本資料中には「沖電気工業株


    Original     		PDF J2L0017-17-Y1 MSM548263 MSM548263 144-Word MSM548263262 RAM256K SAM512 5128ms 40400milSOJSOJ40-P-400-1 MSM548263-xxJS SOJ40 TFSC

    MSM51V8222A

    Abstract: SOJ28 28z2
    Text: お客様各位 資料中の「沖電気」「ＯＫＩ」等名称の OKI セミコンダクタ株式会社への変更について 2008 年 10 月 1 日を以って沖電気工業株式会社の半導体事業は OKI セミコン ダクタ株式会社に承継されました。 従いまして、本資料中には「沖電気工業株


    Original     		PDF J2L0055-28-Z2 MSM51V8222A MSM51V8222A 214-Word MSM51V8222A512 First-outMSM51V8222A mil28ZIP28 SOJ430mil28SOP SOJ28 28z2

    DI-22

    Abstract: MS81V04166 MSM51V8222A TQFP100-P-1414-0 VT 93 N1
    Text: お客様各位 資料中の「沖電気」「ＯＫＩ」等名称の OKI セミコンダクタ株式会社への変更について 2008 年 10 月 1 日を以って沖電気工業株式会社の半導体事業は OKI セミコン ダクタ株式会社に承継されました。 従いまして、本資料中には「沖電気工業株


    Original     		PDF FJDS81V04166-03 MS81V04166 MS81V04166256kx8 MSM51V8222Ax16FIFO MS81V04166TV/VTR MS81V04166TV 100TQFP 512x512x8x2 DI-22 MS81V04166 MSM51V8222A TQFP100-P-1414-0 VT 93 N1

    WM1-DIN

    Abstract: sj256
    Text: J2L0016-17-Y1 作成：1998年 1月 MSM548262 l 前回作成：1997年 9月 ¡ 電子デバイス MSM548262 262,144-Wordx8-Bit MULTIPORT DRAM n 概要 MSM548262は262,144ワード×8ビットのダイナミックランダムアクセスメモリ（RAM）ポート


    Original     		PDF J2L001617Y1 MSM548262 144Word MSM548262 MSM548262262 RAM256K SAM512 5128ms 40400milSOJSOJ40P4001 MSM548262xxJS WM1-DIN sj256

    MSM518221-30

    Abstract: No abstract text available
    Text: J2L0032-17-Y1 作成：1998年 1月 MSM518221 l 前回作成：1997年 9月 ¡ 電子デバイス MSM518221 262,214-Wordx8-Bit FIELD MEMORY n 概要 MSM518221は512行×512列×8ビットのCMOSダイナミックメモリで、高速非同期リード／ライ


    Original     		PDF J2L003217Y1 MSM518221 214Word MSM518221 MSM518221512 TV/VTRMSM518221 mil28ZIP28 SOJ430mil28SOP MSM518221-30

    Untitled

    Abstract: No abstract text available
    Text: OKI電子デバイス MS81V04166 99, 5作成 262,214 - Word X 8 - Bit X 2 Dual FIFO • 概要 MS81V04166は256kx8ビットの高速非同期リード／ライト動作を 行う２MビットFIFO （First-in First-out memory）の２素子をワンチップ化した合計４Mビットの容量を有す


    Original     		PDF MS81V04166 MS81V04166256kx8 MSM51V8222Ax16FIFO MS81V04166TV/VTR MS81V04166TV MS81V04166 100TQFP 512x512x8x2 25nsFIFO

    Untitled

    Abstract: No abstract text available
    Text: OKI電子デバイス MS8104166 98,12作成 262,214 - Word X 8 - Bit X 2 Dual FIFO • 概要 MS8104166は 256kx8ビ ットの 高速 非同 期リード ／ライト 動作 を 行う２ Mビ ッ ト FIFO （First-in First-out memory）の２素子をワンチップ化した合計４Mビットの容量を有す


    Original     		PDF MS8104166 MS8104166 256kx8 MSM518222Ax16FIFO MS8104166TV/VTR MS8104166TV 100TQFP 512x512x8x2

    FJDS8104160

    Abstract: MS8104160 MSM518222A TQFP100
    Text: FJDS8104160-02 電子デバイス 2000.05.22 作成 MS8104160 Dual FIFO 262,214-Word x 8-Bit x2 •概要 MS8104160 は256kx8 ビットの高速非同期リード／ライト動作を行う２M ビット FIFO（First-in First-out memory）の２ 素子をワンチップ化した合計４M ビットの容量を有するデュアルタイプの FIFO です。２M ビット FIFO のそれぞれのリード


    Original     		PDF FJDS8104160-02 MS8104160 214-Word MS8104160 256kx8 MSM518222A 512x512x8 FJDS8104160 TQFP100

    MSM518222

    Abstract: SOJ28
    Text: お客様各位 資料中の「沖電気」「ＯＫＩ」等名称の OKI セミコンダクタ株式会社への変更について 2008 年 10 月 1 日を以って沖電気工業株式会社の半導体事業は OKI セミコン ダクタ株式会社に承継されました。 従いまして、本資料中には「沖電気工業株


    Original     		PDF J2L0033-17-Y1 MSM518222 MSM518222 214-Word MSM518222512 TV/VTRMSM518222 mil28ZIP28 SOJ430mil28SOP SOJ28

    MS81V04160

    Abstract: MSM51V8222A TQFP100
    Text: お客様各位 資料中の「沖電気」「ＯＫＩ」等名称の OKI セミコンダクタ株式会社への変更について 2008 年 10 月 1 日を以って沖電気工業株式会社の半導体事業は OKI セミコン ダクタ株式会社に承継されました。 従いまして、本資料中には「沖電気工業株


    Original     		PDF FJDS81V04160-02 MS81V04160 214-Word MS81V04160 256kx8 MSM51V8222A 512x512x8 TQFP100

    FJDS8104160

    Abstract: MS8104160 MSM518222A TQFP100
    Text: お客様各位 資料中の「沖電気」「ＯＫＩ」等名称の OKI セミコンダクタ株式会社への変更について 2008 年 10 月 1 日を以って沖電気工業株式会社の半導体事業は OKI セミコン ダクタ株式会社に承継されました。 従いまして、本資料中には「沖電気工業株


    Original     		PDF FJDS8104160-02 MS8104160 214-Word MS8104160 256kx8 MSM518222A 512x512x8 FJDS8104160 TQFP100

    MS81V04166

    Abstract: MSM51V8222A TQFP100
    Text: FJDS81V04166-02 OKI電子デバイス MS81V04166 2000.05.22作成 262,214 - Word X 8 - Bit X 2 Dual FIFO • 概要 MS81V04166は256kx8ビットの高速非同期リード／ライト動作を 行う２MビットFIFO （First-in First-out memory）の２素子をワンチップ化した合計４Mビットの容量を有す


    Original     		PDF FJDS81V04166-02 MS81V04166 MS81V04166256kx8 MSM51V8222Ax16FIFO MS81V04166TV/VTR MS81V04166TV 100TQFP 512x512x8x2 MS81V04166 MSM51V8222A TQFP100

    MSM518222A

    Abstract: SOJ28
    Text: J2L0067-18-Z2 作成：1998年12月 MSM518222A l ¡ 電子デバイス MSM518222A 262,214-Word x 8-Bit FIELD MEMORY n 概要 MSM518222Aは512行×512列×8ビットのCMOSダイナミックメモリで、高速非同期リード／ラ イト動作可能な高速FIFO（First-in First-out）動作を行うシリアルアクセスメモリです。主な用途とし


    Original     		PDF J2L0067-18-Z2 MSM518222A MSM518222A 214-Word MSM518222A512 TV/VTRMSM518222A mil28ZIP28 SOJ430mil28SOP SOJ28

    u843

    Abstract: MSM51V8221A SOJ28
    Text: お客様各位 資料中の「沖電気」「ＯＫＩ」等名称の OKI セミコンダクタ株式会社への変更について 2008 年 10 月 1 日を以って沖電気工業株式会社の半導体事業は OKI セミコン ダクタ株式会社に承継されました。 従いまして、本資料中には「沖電気工業株


    Original     		PDF J2L0054-28-Z2 MSM51V8221A MSM51V8221A 214-Word MSM51V8221A512 First-outMSM51V8221A mil28ZIP28 SOJ430mil28SOP u843 SOJ28

    VT 93 N1

    Abstract: VT 93 N2
    Text: FJDS81V04166-03 OKI電子デバイス OKI MS81V04166 2001.12.11作成 262,214 - Word X 8 - Bit X 2 Dual FIFO • 概要 MS81V04166は256kx8ビットの高速非同期リード／ライト動作を 行う２MビットFIFO （First-in First-out memory）の２素子をワンチップ化した合計４Mビットの容量を有す


    Original     		PDF FJDS81V04166-03 MS81V04166 256kx8 MSM51V8222Ax16FIFO MS81V04166 100TQFP VT 93 N1 VT 93 N2

    FJDS8104166

    Abstract: MS8104166 MSM518222A TQFP100
    Text: FJDS8104166-02 OKI電子デバイス MS8104166 2000.05.22 作成 262,214 - Word X 8 - Bit X 2 Dual FIFO • 概要 MS8104166は 256kx8ビ ットの 高速 非同 期リード ／ライト 動作 を 行う２ Mビ ッ ト FIFO （First-in First-out memory）の２素子をワンチップ化した合計４Mビットの容量を有す


    Original     		PDF FJDS8104166-02 MS8104166 MS8104166 256kx8 MSM518222Ax16FIFO MS8104166TV/VTR MS8104166TV 100TQFP FJDS8104166 MSM518222A TQFP100

    SF229

    Abstract: toshiba s105
    Text: TOSHIBA TC528257 t a r g e t s il ic o n g a t e c m o s s p e c 262,144WORDS X 8BITS MULTIPORT DRAM DESCRIPTION T h e T C 5 2 8 2 5 7 is a 2M b it C M O S m u ltip o rt m e m o ry eq u ip p e d w ith a 2 6 2 ,1 4 4 -w o rd s b y ra n d o m a ccess m e m o ry R A M p o rt a n d a 5 1 2 -w o rd s by


    OCR Scan     		PDF TC528257 144WORDS SF229 toshiba s105

    KM428C257

    Abstract: XAL W6 MAS 10 RCD sc 4145 CNR 14 V 471 K CA278 CI008 On Screen Display Samsung
    Text: SA M S U N G E L E C T R O N I C S INC b7E D m 7^4142 001L>bb2 17Û SMGK PRELIMINARY KM428C257 CMOS VIDEO RAM 256K X 8 Bit CMOS Video RAM FEATURES GENERAL DESCRIPTION - Dual port Architecture 2 56 K x 8 bits RAM port 512 x 8 bits SAM port The Sam sung KM 428C 257 is a C M OS 256K x 8 bit Dual


    OCR Scan     		PDF KM428C257 256KX 512x8 110ns 130ns 150ns 110mA 100mA 40-PIN 40/44-PIN KM428C257 XAL W6 MAS 10 RCD sc 4145 CNR 14 V 471 K CA278 CI008 On Screen Display Samsung

    tc528257

    Abstract: W640 SFC39 DIN 41162
    Text: TOSHIBA SILICON GATE CMOS TC528257 t a r g e t s p e c 262,144WORDS X 8BITS MULTIPORT DRAM DESCRIPTION The TC528257 is a 2M bit CM OS m ultiport m em ory equipped with a 262,144-words by 8 -bits dynam ic random access mem ory RAM port and a 512-words by 8 -bits static serial access memory (SA M ) port. The


    OCR Scan     		PDF TC528257 144WORDS TC528257 144-words 512-words -84UUHEB-fl-B TC528257J/SZ/FT/TRâ TC528257J/SZ/FT/TR-70 W640 SFC39 DIN 41162

    Untitled

    Abstract: No abstract text available
    Text: O K I Semiconductor MSM548263 262,144-Word x 8-Bit Multiport DRAM D ESCR IPTIO N The MSM548263 is a 2-M bit C M O S m ultiport D R A M composed of a 262,144-word by 8-bit dynam ic R A M and a 512-vvord by 8-bit SA M . Its R A M and S A M operate independently and


    OCR Scan     		PDF MSM548263 144-Word MSM548263 512-vvord

    KM428C258

    Abstract: No abstract text available
    Text: PRELIMINARY KM428C258 CMOS VIDEO RAM 256K X 8 Bit CMOS Video RAM FEATURES GENERAL DESCRIPTION • Dual port Architecture 256K x 8 bits RAM port 512 x 8 bits SAM port • Performance range : The Samsung KM428C258 is a CMOS 256K x 8 bit Dual Port DRAM. It consists of a 256K x 8 dynamic random


    OCR Scan     		PDF KM428C258 KM428C258 110ns 130ns 150ns 256IMENSIONS 40-PIN 40/44-PIN

    Untitled

    Abstract: No abstract text available
    Text: TOSHIBA TC528267 s i l i c o n g a t e CMOS 262,144WORDS x 8BITS MULTIPORT DRAM target DESCRIPTION T h e T C 5 2 8 2 6 7 is a 2 M b it C M O S m u ltip o rt m e m o ry e q u ip p e d w ith a 2 6 2 ,1 4 4 -w o rd s by ra n d o m acc e ss m e m o ry R A M p o rt an d a 5 1 2 -w o rd s b y


    OCR Scan     		PDF 144WORDS TC528267 H-123

    8L15A

    Abstract: NT25-6 sec sl06 SFE 8 528257J C198
    Text: TOSHIBA TC528257 t a r g e t s il ic o n g a t e c m o s 262,144WORDS X 8BITS MULTIPORT DRAM DESCRIPTION T h e T C 5 2 8 2 5 7 is a 2 M bit C M O S m u ltip o rt m e m o ry e q u ip p e d w ith a 2 6 2 ,1 4 4 -w o rd s by ra n d o m a cc e ss m e m o ry R A M p o rt an d a 5 1 2 -w ords by


    OCR Scan     		PDF TC528257 144WORDS C-231 C-232 8L15A NT25-6 sec sl06 SFE 8 528257J C198

    KSD 303

    Abstract: ks503a SOJ40
    Text: TOSHIBA TC528267 t a r g e t s il ic o n g a t e c m o s 262,144WORDS x 8BITS MULTIPORT DRAM DESCRIPTION The TC528267 is a 2M bit CM OS multiport m emory equipped with a 262,144-words by 8-bits dynamic random access memory RAM port and a 512-words by 8-bits static serial access memory (SAM) port. The


    OCR Scan     		PDF TC528267 144WORDS TC528267 144-words 512-words C-293 KSD 303 ks503a SOJ40