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    ITR03479

    Abstract: No abstract text available
    Text: 4MP10MH Ordering number : EN8652 SANYO Semiconductors DATA SHEET PNP Epitaxial Planar Silicon Transistors 4MP10MH High-Frequency General-Purpose Amplifier Applications Features • • • • High fT : fT=400MHz typ . High breakdown voltage : VCEO≥200V.


    Original
    PDF 4MP10MH EN8652 400MHz VCEO200V. 4MN10MH. ITR03479

    ITR03479

    Abstract: ITR03481 ITR03483 ITR03485 ITR03487 ITR03489 ITR03491
    Text: 4MP10MH 注文コード No. N 8 6 5 2 三洋半導体データシート N 4MP10MH PNP エピタキシァルプレーナ型シリコントランジスタ 高周波一般増幅用 特長 ・高 fT である:fT typ=400MHz。 ・高耐圧である:VCEO ≧ 200V。


    Original
    PDF 4MP10MH 400MHz 4MN10MH 600mm2 ITR03487 ITR03489 ITR03491 ITR11803 ITR03479 ITR03481 ITR03483 ITR03485 ITR03487 ITR03489 ITR03491

    ITR03486

    Abstract: ITR03480 ITR03482 ITR03484 ITR03488 ITR03490
    Text: 4MN10MH 注文コード No. N A 0 4 9 3 三洋半導体データシート N 4MN10MH NPN エピタキシァルプレーナ型シリコントランジスタ 高周波一般増幅用 特長 ・高 fT である:fT typ=400MHz。 ・高耐圧である:VCEO ≧ 200V。


    Original
    PDF 4MN10MH 400MHz 4MP10MH 600mm2 ITR03488 ITR03490 ITR03492 ITR11803 A0493-3/3 ITR03486 ITR03480 ITR03482 ITR03484 ITR03488 ITR03490

    smd transistor marking 12W

    Abstract: SMD transistor Marking 13w SMD type Marking 13w SPM5001 SOT89 PNP marking GA ec3h04b smd transistor 12W 52 SMA4205 6c 6pin SGD103
    Text: RF Devices Jun.2006 Hyper Device Business Unit, Semiconductor Company SANYO Electric Co.,Ltd. New Products High High Gain,Low Gain,Low Noise Noise SiRF–Bipolar Transistor MCH4009 •Packege : MCPH4 ■Features High Gain・・・|S21e|2=17dB@2GHz 0.3


    Original
    PDF MCH4009 17dB2GHz SC-72 SC-43 SC-51 O-226 SC-71 O-126 O-92MOD smd transistor marking 12W SMD transistor Marking 13w SMD type Marking 13w SPM5001 SOT89 PNP marking GA ec3h04b smd transistor 12W 52 SMA4205 6c 6pin SGD103

    marking gl

    Abstract: ITR03480 ITR03482 ITR03484 ITR03486
    Text: 4MN10MH Ordering number : ENA0493 SANYO Semiconductors DATA SHEET NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors 4MN10MH High-Frequency General-Purpose Amplifier Applications Features • • • • High fT : fT=400MHz typ . High breakdown voltage : VCEO≥200V.


    Original
    PDF 4MN10MH ENA0493 400MHz VCEO200V. 4MP10MH. A0493-3/3 marking gl ITR03480 ITR03482 ITR03484 ITR03486